【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器器件的感测电路和操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月4日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0118358的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文中。
示例实施例大体上涉及半导体存储器器件，更具体地，涉及非易失性存储器器件的感测电路、包括感测电路的非易失性存储器器件以及操作非易失性存储器器件的方法。
技术介绍
半导体存储器器件可以根据存储器器件从电源切断时的数据保持特性而被分类为易失性存储器和非易失性存储器。NAND闪存器件通常是非易失性存储器器件，并且包括多个NAND闪存单元。根据程序，NAND闪存单元可以被划分为导通单元(on-cell)和截止单元(off-cell)。当存储器单元之一是导通单元时，在位线中流动的电流被称为导通单元电流，并且存储器单元之一是截止单元时，在位线中流动的电流被称为截止单元电流。随着工艺的细化，可以降低操作电压，从而可以降低导通单元电流，并且位线的漏电流可以在高温下增加(例如，85℃至150℃)。当读...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器器件的感测电路，所述感测电路包括：/n预充电电流产生器，连接到感测节点，所述预充电电流产生器被配置为响应于预充电信号产生预充电电流，所述预充电电流被提供给所述非易失性存储器器件的位线；/n调整晶体管，连接在所述感测节点和与所述位线耦接的第一节点之间，所述调整晶体管被配置为响应于第一控制电压调整被提供给所述位线的所述预充电电流的量；以及/n自适应控制电压产生器，被配置为响应于所述预充电信号和第二控制电压产生与所述非易失性存储器器件的操作温度成比例的控制电流，并且被配置为基于所述控制电流与所述操作温度成比例地对所述第一控制电压的电平进行升压，其中所述第二控...
【技术特征摘要】
20181004 KR 10-2018-01183581.一种非易失性存储器器件的感测电路，所述感测电路包括：
预充电电流产生器，连接到感测节点，所述预充电电流产生器被配置为响应于预充电信号产生预充电电流，所述预充电电流被提供给所述非易失性存储器器件的位线；
调整晶体管，连接在所述感测节点和与所述位线耦接的第一节点之间，所述调整晶体管被配置为响应于第一控制电压调整被提供给所述位线的所述预充电电流的量；以及
自适应控制电压产生器，被配置为响应于所述预充电信号和第二控制电压产生与所述非易失性存储器器件的操作温度成比例的控制电流，并且被配置为基于所述控制电流与所述操作温度成比例地对所述第一控制电压的电平进行升压，其中所述第二控制电压与所述操作温度成反比。
2.根据权利要求1所述的感测电路，还包括：
电流调整电路，连接到所述第一节点并且在第二节点处与所述调整晶体管和所述自适应控制电压产生器连接，所述电流调整电路被配置为响应于所述第一节点的电压调整要提供给所述第二节点的所述控制电流。
3.根据权利要求2所述的感测电路，其中，所述自适应控制电压产生器包括串联连接在电源电压和所述第二节点之间的第一p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，
其中，所述第一PMOS晶体管包括耦接到所述电源电压的源极、接收所述预充电信号的栅极和耦接到所述第二PMOS晶体管的漏极，
其中，所述第二PMOS晶体管包括耦接到所述第一PMOS晶体管的源极、接收所述第二控制电压的栅极和耦接到所述第二节点的漏极，以及
其中，所述第二PMOS晶体管被配置为响应于所述第二控制电压向所述第二节点提供所述控制电流。
4.根据权利要求3所述的感测电路，其中，所述自适应控制电压产生器被配置为：
通过响应于所述操作温度的增加而增加所述控制电流来增加所述第一控制电压的电平，以及
通过响应于所述操作温度的降低而减小所述控制电流来减小所述第一控制电压的电平。
5.根据权利要求2所述的感测电路，其中，所述调整晶体管包括n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有耦接到所述感测节点的漏极、耦接到所述第二节点的栅极和耦接到所述第一节点的源极，以及
其中，所述调整晶体管被配置为响应于所述第一控制电压，根据所述操作温度的增加来增加被提供给所述位线的所述预充电电流的量。
6.根据权利要求2所述的感测电路，其中，所述电流调整电路包括：
p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，连接在电源电压和所述第二节点之间；以及
n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，连接在所述第二节点和地电压之间，
其中，所述PMOS晶体管包括耦接到所述电源电压的源极、耦接到所述地电压的栅极和耦接到所述第二节点的漏极，
其中，所述NMOS晶体管包括耦接到所述第二节点的漏极、耦接到所述第一节点的栅极和耦接到所述地电压的源极，以及
其中，所述NMOS晶体管响应于所述第一节点的电压而导通，以减小所述第一控制电压的电平。
7.根据权利要求2所述的感测电路，还包括：
负载电流产生器，与所述预充电电流产生器并联连接到所述感测节点，其中，所述负载电流产生器被配置为响应于所述第二控制电压产生要提供给所述位线的负载电流，
其中，所述负载电流产生器包括p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管，并且被配置为响应于所述第二控制电压向所述感测节点提供与所述操作温度的增加成比例地增加的所述负载电流。
8.根据权利要求2所述的感测电路，还包括：
控制电压产生器，被配置为产生与所述操作温度成比例的输出电流、以及与绝对温度成比例PTAT电流成反比的所述第二控制电压；以及
预充电信号控制器，被配置为产生所述预充电信号，并且基于所述第二控制电压控制所述预充电信号的脉冲宽度。
9.根据权利要求8所述的感测电路，其中，所述控制电压产生器包括：
PTAT电流源，被配置为产生所述输出电流；
电流镜像电路，连接到所述PTAT电流源，其中所述电流镜像电路被配置为通过镜像所述PTAT电流来产生多个复制电流，并且被配置为基于控制代码至少输出所述复制电流中的选择部分；以及
电流电压转换器，连接到所述电流镜像电路，其中所述电流电压转换器被配置为将与所述复制电流中的选择部分相对应的第一负载电流转换为所述第二控制电压。
10.根据权利要求9所述的感测电路，其中，所述电流镜像电路被配置为响应于所述操作温度的增加而增加所述第一负载电流。
11.根据权利要求9所述的感测电路，还包括：
电流比较器，被配置为基于所述第二控制电压产生第二负载电流，将所述第二负载电流与参考电流进行比较，并且基于所述比较产生比较信号；以及
控制代码产生器，被配置为...
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