薄膜太阳能电池预制板的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜太阳能电池预制板的制备方法。所述薄膜太阳能预制板的制备方法包括：步骤S10，提供金属基底，所述金属基底具有一生长表面。S20，对所述生长表面进行表面处理。S30，在所述生长表面上生长石墨烯薄膜，获得薄膜太阳能电池衬底。S40，制备背电极层，覆盖所述石墨烯薄膜，获得薄膜太阳能电池预制板。本发明专利技术在所述金属基底和所述背电极层之间制备一层石墨烯薄膜，使得所述背电极层更好地附着在所述金属基底上。这使得采用本发明专利技术提供的方法制备得到的薄膜太阳能电池具有光电转化率高、使用寿命长的优点。

Preparation method of thin film solar cell preforms

【技术实现步骤摘要】
薄膜太阳能电池预制板的制备方法
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制备方法领域，特别是涉及一种薄膜太阳能电池预制板的制备方法。
技术介绍
薄膜太阳能电池作为新能源的一种利用形式，其具有永久性，清洁性以及稳定性，从而深得人们的青睐。目前，关于薄膜太阳能电池的研究正进行的如火如荼。薄膜太阳能电池主要结构包括衬底，背电极层，吸收层，窗口层，电极。目前关于薄膜太阳能电池的研究中，人们的研究重点主要集中在吸收层结构及性能的提高上，而对于背电极的研究却鲜有报道。钼薄膜常常作为薄膜太阳能电池的背电极层。经过调研，钼薄膜作为薄膜太阳能电池的背电极，其质量对芯片的短路电流、填充因子及串联电阻等影响重大。在薄膜太阳能电池中，影响芯片性能的，与背电极钼薄膜质量相关的因素包括：(1)所选衬底的自然性能与缺陷；(2)衬底清洗的洁净程度；(3)钼薄膜和吸收层界面处MoSe2存在的可能形态；(4)钠离子通过钼薄膜向吸收层中的扩散；(5)钼薄膜和衬底、钼薄膜和吸收层之间的附着性。因此，钼薄膜的质量对薄膜太阳能电池的制备以及性能具有十分重要的作用。而在已有的研究过程中发现，溅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能电池预制板的制备方法，其特征在于，包括：/nS10，提供金属基底(110)，所述金属基底(110)具有一生长表面(111)；/nS20，对所述生长表面(111)进行表面处理；/nS30，在所述生长表面(111)上生长石墨烯薄膜(120)，获得薄膜太阳能电池衬底(100)；/nS40，制备背电极层(130)，覆盖所述石墨烯薄膜(120)，获得薄膜太阳能电池预制板(200)。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池预制板的制备方法，其特征在于，包括：
S10，提供金属基底(110)，所述金属基底(110)具有一生长表面(111)；
S20，对所述生长表面(111)进行表面处理；
S30，在所述生长表面(111)上生长石墨烯薄膜(120)，获得薄膜太阳能电池衬底(100)；
S40，制备背电极层(130)，覆盖所述石墨烯薄膜(120)，获得薄膜太阳能电池预制板(200)。


2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法，其特征在于，在所述S30和所述S40之间还包括：
S50，对所述薄膜太阳能电池衬底(100)做退火处理。


3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法，其特征在于，所述S50包括：
S51，将所述薄膜太阳电池衬底(100)放置在加热炉内，所述加热炉内填充惰性气体；
S52，升高所述加热炉内温度来加热所述薄膜太阳能电池衬底(100)，加热的速度为10℃/s～30℃/s，且加热到500℃～550℃；
S53，保持所述薄膜太阳能电池衬底(100)的温度在500℃～550℃这个范围内15min～30min；
S54，加热炉停止加热，炉内温度自然下降，所述薄膜太阳能电池衬底(100)随炉内温度冷却至300℃～360℃；
S55，保持所述薄膜太阳能电池衬底(100)的温度在300℃～360℃这个范围内15min～30min；
S56，降低炉内温度至室温，降温速度为2℃/s～15℃/s。


4.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池预制板的制备方法，其特征在于，在所述S40后还包括：
S60，对所述薄膜太...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，代凤玉，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11