一种CdTe薄膜太阳能电池板及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片，其特征在于：在所述的玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为ZnO层，第二膜层为CdS层，第三膜层为CdTe层，第四膜层为背电极层。本发明专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种复合有CdTe膜层，光电转换效率高，太能利用率高的CdTe薄膜太阳能电池板。本发明专利技术还提供一种CdTe薄膜太阳能电池板的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【
】本专利技术涉及一种太阳能电池构件，更具体地说是一种太阳能电池用电池板。本专利技术还涉及一种CdTe薄膜太阳能电池板的制备方法。【
技术介绍
】现有的太阳能电池板成本高，相对光电转换效率低，为了更有效地提高太阳能电池板的转换效率，需要对太阳能电池板结构作出进一步改进。【
技术实现思路
】本专利技术目的是克服了现有技术的不足，提供一种复合有CdTe膜层，光电转换效率高，太能利用率高的CdTe薄膜太阳能电池板。本专利技术还提供一种CdTe薄膜太阳能电池板的制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的:一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片1，其特征在于:在所述的玻璃基片I的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于:其中第一膜层即最内层为ZnO层21，第二膜层为CdS层22，第三膜层为CdTe层23，第四膜层为背电极层24。如上所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述的ZnO层21的厚度为500nmo如上所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第二膜层为CdS层22的厚度为50?10nm0如上所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第三膜层为CdTe层23的厚度为50?10nm0如上所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第四膜层为背电极层24包括铜层241和银层242。如上所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述铜层241的厚度为10nm，银层242的厚度为40nm。一种制备上述的CdTe薄膜太阳能电池板的方法，其特征在于包括如下步骤:(I)磁控溅射ZnO层，用AZO作为靶材，交流溅射，用氩气作为溅射气体，掺杂少量比例的氧气，氩氧体积比为10:1，采用8个阴极，每个阴极溅射功率40KW，溅射生产速度2m/min ；(2)沉积CdS层，采用化学气相沉积法，采用“离子离子”模型制备；(3)升华CdTe层，采用近空间升华法制备，将镀有ZnO和CdS的玻璃基片加热到680?700摄氏度，用氩气作为保护气体，利用高纯CdTe作为蒸发源，真空压力3xlO_2Pa，在700摄氏度下升华，沉积出CdTe产品薄膜，沉积速率50?160nm/s ；(4)用超声喷雾喷涂CdCl2乙醇溶液，烘干，通入氧气，加热到380?420摄氏度，保持30?60分钟，用去离子水清洗CdTe膜面的CdCl2残留物；(5)沉积背电极层，用含0.1 %溴的乙醇溶液刻蚀CdTe膜面，依次蒸发镀1nmCu和4011!^8，在N2保护下于150度热处理90分钟，在过渡层制备完成后，利用蒸发沉积制备Ag/Cu作为背电极。如上所述的制备CdTe薄膜太阳能电池板的方法，其特征在于所述步骤(2)中膜层禁带宽度2.4eV,吸收率14-1O5CnT1,用来作为η型窗口层掺杂，掺杂浓度116个/cm3。与现有技术相比，本专利技术有如下优点:本专利技术通过复合有CdTe膜层，光电转换效率高，太能利用率高可以大批量生产。【【附图说明】】图1是本专利技术结构示意图。【【具体实施方式】】一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片1，在所述的玻璃基片I的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于:其中第一膜层即最内层为ZnO层21，第二膜层为CdS层22，第三膜层为CdTe层23，第四膜层为背电极层24。CdTe即碲化镉。所述的ZnO层21，即氧化锌层，ZnO的厚度为500nm。所述第二膜层为CdS层22，即硫化镉层，CdS层的厚度为50?lOOnm。所述第三膜层为CdTe层23的厚度为50?lOOnm。所述第四膜层为背电极层24包括铜层241和银层242。作为导电层。所述铜层241的厚度为10nm，银层242的厚度为40nm。一种制备上述的CdTe薄膜太阳能电池板的方法，包括如下步骤:(I)磁控溅射ZnO层，用AZO作为靶材，交流溅射，用氩气作为溅射气体，掺杂少量比例的氧气，氩氧体积比为10:1，采用8个阴极，每个阴极溅射功率40KW，溅射生产速度2m/min ;面电阻为15欧。(2)沉积CdS层，采用化学气相沉积法，采用“离子离子”模型制备，膜层禁带宽度2.4eV，吸收率14-1O5CnT1，用来作为η型窗口层掺杂，掺杂浓度116个/cm3 ；(3)升华CdTe层，采用近空间升华法制备，将镀有ZnO和CdS的玻璃基片加热到700摄氏度，用氩气作为保护气体，利用高纯CdTe作为蒸发源，真空压力3xlO_2Pa，在700摄氏度下升华，沉积出CdTe产品薄膜，沉积速率50?160nm/s ；(4)用超声喷雾喷涂CdCl2乙醇溶液，烘干，通入氧气，加热到400摄氏度，保持30?60分钟，用去离子水清洗CdTe膜面的CdCl2残留物；(5)沉积背电极层，用含0.1%溴的乙醇溶液刻蚀CdTe膜面，依次蒸发镀1nmCu和4011!^8，在N2保护下于150度热处理90分钟，在过渡层制备完成后，利用蒸发沉积制备Ag/Cu作为背电极。CdTe的禁带宽度为1.45Ev,用其作为薄膜太阳能电池的材料生产成本低，相对光电转换效率高，可以大批量生产，是一种具有重要应用前景的薄膜太阳能电池构件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在所述的玻璃基片(1)的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于：其中第一膜层即最内层为ZnO层(21)，第二膜层为CdS层(22)，第三膜层为CdTe层(23)，第四膜层为背电极层(24)。

【技术特征摘要】
1.一种CdTe薄膜太阳能电池板，包括有玻璃基片(I)，其特征在于:在所述的玻璃基片(I)的复合面上由内到外依次相邻地复合有四个膜层，其特征在于:其中第一膜层即最内层为ZnO层(21)，第二膜层为CdS层(22)，第三膜层为CdTe层(23)，第四膜层为背电极层(24)。2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述的ZnO层(21)的厚度为500nm。3.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第二膜层为CdS层(22)的厚度为50?10nm04.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第三膜层为CdTe层(23)的厚度为50?lOOnm。5.根据权利要求1所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述第四膜层为背电极层(24)包括铜层(241)和银层(242)。6.根据权利要求5所述的CdTe薄膜太阳能电池板，其特征在于所述铜层(241)的厚度为10nm，银层(242)的厚度为40nm。7.一种制备权利要求1-6任意一项所述的CMTe薄膜太阳能电池板的方法,其特征在于包括如下步骤: (1)磁控溅射ZnO层，用AZO作为靶材，交流溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦文锋，王玲，杨永华，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44