一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs及其应用制造技术

技术编号:11363190 阅读:208 留言:0更新日期:2015-04-29 13:40
本发明专利技术公开了一种近红外发光量子点DMPS-CdTe QDs及其应用。所述DMPS-CdTe QDs是在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解,电解液经恒温加热得到DMPS-CdTe QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS-CdTe QDs。所述DMPS-CdTe QDs可作为ECL纳米发光体检测Cu2+。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种近红外发光量子点DMPS‑CdTe QDs,其特征在于,是在氮气饱和条件下,于CdCl2和DMPS的碱性电解液中,采用计时电位法,电解Te电极,到达终点电量后结束电解,电解液经恒温加热得到DMPS‑CdTe QDs粗产品,再经纯化既得水溶性近红外发光DMPS‑CdTe QDs。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邓盛元张婷婷张源单丹
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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