一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及复合材料制备领域，公开了一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)石墨烯薄膜的制备；2)石墨烯薄膜的转移；3)银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备。本发明专利技术充分发挥了银纳米线与石墨烯薄膜各自的优势，使复合薄膜具有高导电性与高透过率的同时保证其表面平整度，其电学性能已媲美ITO薄膜，且其光学透过率却更优于ITO薄膜，更适合于透明导电电极的应用。同时，本发明专利技术很好的减少了工艺流程，大大降低了材料的制备成本，有利于实现大规模工业化生产。

A preparation method of Ag nanowire / graphene composite film

【技术实现步骤摘要】
一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法
本专利技术涉及复合材料制备领域，尤其是涉及一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法。
技术介绍
随着有机电致发光器件(OrganicLight-emittingDiode，OLED)、太阳能电池以及新型柔性电子器件的迅速发展，迫使其中起重要作用的透明导电材料需从结构、性能、制备工艺等方面进行提升以满足高效器件的应用要求。现常用的ITO(氧化铟锡)等透明导电材料虽然具有良好的光电性能，但也有很多缺陷：1、铟为稀土元素，资源有限，价格昂贵；2、ITO薄膜主要采用真空溅射、蒸镀等技术制备，生产工艺复杂，成本高，大尺寸样件较难制备；3、ITO薄膜质地较脆，耐弯折性能差，无法获得柔性透明导电层。因此，寻求具有较高的稳定性，亦有高导电率和高透过率，且重量轻、可弯曲、可采用卷轴式工业化连续生产的新材料应用成为光电领域的一个重要研究方向。石墨烯作为碳材料新兴家族中的一员，其在保持高透过率的同时还具有超高的载流子迁移率，强度高同时具备可弯曲特性，用石墨烯薄膜替代传统ITO、AZO等透明电极在光电器件中的应用，被普遍认本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)石墨烯薄膜的制备：/n1.1提供一生长基底；/n1.2将上述的生长基底放置于管式炉中部，用机械泵将石英管内的压力抽至5pa以下，并多次通入氢气来清洗管路；/n1.3控制氢气流量来保持管式炉内压力恒定，同时将管式炉升温并保持在800～1200℃，通入99.999％的甲烷气体作为碳源，使得氢气与甲烷充分混合并与生长基底良好的接触，从而实现石墨烯薄膜在生长基底表面的生长；/n2)石墨烯薄膜的转移：/n2.1提供一目标衬底；/n2.2将步骤1)中表面长有单层石墨烯薄膜的生长基底从管式炉中取出，在石墨烯薄膜外表面旋涂一层PMM...

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)石墨烯薄膜的制备：
1.1提供一生长基底；
1.2将上述的生长基底放置于管式炉中部，用机械泵将石英管内的压力抽至5pa以下，并多次通入氢气来清洗管路；
1.3控制氢气流量来保持管式炉内压力恒定，同时将管式炉升温并保持在800～1200℃，通入99.999％的甲烷气体作为碳源，使得氢气与甲烷充分混合并与生长基底良好的接触，从而实现石墨烯薄膜在生长基底表面的生长；
2)石墨烯薄膜的转移：
2.1提供一目标衬底；
2.2将步骤1)中表面长有单层石墨烯薄膜的生长基底从管式炉中取出，在石墨烯薄膜外表面旋涂一层PMMA膜层，并于烘箱中100～200℃的温度下进行固化；
2.3将上述步骤2.2处理之后的生长基底置于氯化铁溶液中，使其漂浮于其中来刻蚀生长基底，得到附着有石墨烯薄膜的PMMA膜层；
2.4用去离子水清洗上述附着有石墨烯薄膜的PMMA膜层，反复清洗几次以去除其上的残余氯化铁溶液；
2.5将上述附着有石墨烯薄膜的PMMA膜层转移至目标衬底表面，采用丙酮浸泡8～12h以去除PMMA膜层，得到带有石墨烯薄膜的目标衬底；
3)银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备
将上述整个带有石墨烯薄膜的目标衬底浸入预先制备好的银纳米线的悬浊液中，然后以均匀的速度将带有石墨烯薄膜的目标衬底从银纳米线悬浊液中提拉出来，在粘度和重力作用下，目标衬底表面即可形成一层均匀的液膜，固化后形成银纳米线/石墨烯复合薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种银纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈姝敏，徐一麟，吴迪，赵魁，
申请(专利权)人：荆楚理工学院，
类型：发明
国别省市：湖北;42