发光二极管装置及其制造方法制造方法及图纸

一种发光二极管装置及其制造方法。发光二极管装置包含发光二极管晶片、波长转换层以及中间层。波长转换层包含面向发光二极管晶片的顶面的底面。中间层具有第一部分以及第二部分，第一部分位于发光二极管晶片与波长转换层的部分底面之间，第二部分自第一部分延伸且连接于波长转换层的剩余底面与发光二极管晶片的侧面之间。第二部分的侧面包含线形面与弧形面，线形面大致对齐于波长转换层的侧面，弧形面的一端连接线形面而另一端连接发光二极管晶片的侧面，且线形面与弧形面构成一导角。如此一来可以提升发光二极管装置的散热效率、侧面取光效率以及光线均匀化。

LED device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
发光二极管装置及其制造方法
本揭露是关于一种发光二极管装置及其制造方法。
技术介绍
由于发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)具有寿命长、体积小、低振动、散热低、能源消耗低等优点，发光二极管已广泛应用于指示灯或居家光源等装置中。近年来，随着多色域及高亮度的发展，发光二极管已应用在各种显示装置、照射装置等。传统发光二极管装置的结构具有发光二极管晶片散热问题，且也容易发生发光二极管晶片所发出的光线未经波长转换物质转换就出光的情况，这会导致发光不均匀。
技术实现思路
本揭露的实施方式提供一种发光二极管装置，将波长转换层与发光二极管晶片之间的中间层厚度减薄以提高发光二极管晶片的散热效率，进而提升发光二极管装置的发光稳定性，并使中间层与反射构件之间的部分界面为平坦的，以及使波长转换层的侧边直接与反射构件接触，借此避免发光二极管晶片所发出的光线未经波长转换层转换后就出光的情况发生。因此，本发光二极管装置可以提升发光二极管装置的侧面取光效率并可达到提升光线均匀化的设计需求。于部分实施例中，一种发光二极管装置包含发光二极管晶片、波长转换层与中间层。波长转换层包含面向发光二极管晶片的顶面的底面。中间层具有第一部分以及第二部分，第一部分位于发光二极管晶片与波长转换层的部分的底面之间，第二部分自第一部分延伸且连接于波长转换层的剩余底面与发光二极管晶片的侧面之间。第二部分的侧面包含线形面与弧形面，线形面大致对齐于波长转换层的侧面，弧形面的一端连接线形面而另一端连接发光二极管晶片的侧面，且线形面与弧形面构成导角。于部分实施例中，导角的角度为约90度至约160度之间。于部分实施例中，线形面与波长转换层的底面之间的夹角约在90度以下。于部分实施例中，中间层为粘着剂。于部分实施例中，波长转换层的材料包含量子点或荧光粉或其组合。于部分实施例中，发光二极管装置还包含反射构件包覆波长转换层侧面、中间层的第二部分的侧面以及发光二极管晶片的未被第二部分所覆盖的侧面，其中波长转换层的侧面直接接触反射构件。于部分实施例中，第一部分的厚度小于第二部分的最小厚度。于部分实施例中，发光二极管装置还包括基板，发光二极管晶片以覆晶方式位于基板上。于部分实施例中，一种发光二极管装置的制造方法，包含提供波长转换层；形成具有粘性的中间层于波长转换层上；间隔设置多个发光二极管晶片于中间层上；加热与加压使得一部分的中间层往发光二极管晶片之间的间隔处流动，以及流至发光二极管晶片的侧面；位于发光二极管晶片之间的间隔处的中间层表面形成一弧形面；执行第一次切割经过位于发光二极管晶片之间的间隔处的中间层与底下的波长转换层，以得到多个发光单元，其中第一次切割使得中间层具有至少一侧面，侧面与被切割过的弧形面构成导角；以及形成反射构件以包覆每一发光单元的侧面。于部分实施例中，发光二极管装置的制造方法还包含固化制程，在加热与加压之后执行固化制程，使具有粘性的中间层固化于发光二极管晶片的侧面上。于部分实施例中，导角的角度为约90度至约160度之间。于部分实施例中，其中于第一次切割后更提供基板，使发光单元设置于基板上，且于基板上形成反射构件包覆每一发光单元的侧面。于部分实施例中，发光二极管装置的制造方法还包括执行第二次切割经过位于发光单元之间的反射构件，以形成具有被反射构件包覆的发光单元。于部分实施例中，于执行第二次切割后，发光二极管装置的制造方法还包括移除基板。于部分实施例中，于提供基板后，发光二极管装置的制造方法还包括倒置发光单元，使波长转换层朝上而发光二极管晶片朝下且位于基板上。于部分实施例中，发光二极管装置的制造方法还包括执行第二次切割经过位于发光单元之间的反射构件与基板，以形成具有被反射构件包覆的发光单元位于基板上。于部分实施例中，基板是线路基板，发光二极管晶片以覆晶方式位于线路基板上。于部分实施例中，加热与加压使中间层的tanδ介于约0.7至约3.0。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个样态。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。图1A绘示根据一实施例的发光二极管装置的剖面图；图1B绘示根据一实施例的发光二极管装置与对比例的亮度比较图；图2绘示根据另一实施例的发光二极管装置的剖面图；图3A至图3H绘示根据一实施例的发光二极管装置的制造方法；以及图4A至图4G绘示根据另一实施例的发光二极管装置的制造方法。具体实施方式以下将以附图及详细说明清楚说明本揭露的精神，任何所属
中具有通常知识者在了解本揭露的实施例后，当可由本揭露所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本揭露的精神与范围。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上方或上”，于实施例中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征之间。此外，本揭露在多个范例中将重复使用元件标号以和/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施例以和/或所讨论的配置之间的关系。此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可以相应地进行解释。图1A绘示根据本揭露的部分实施例的发光二极管装置100的剖面图。发光二极管装置100包含发光二极管晶片200、波长转换层300、中间层400以及反射构件500。发光二极管晶片200包含顶面202、相对于顶面202的底面204，以及位于顶面202与底面204之间的侧面206，并且具有二电极208设置于底面204上，其中电极208包括一正极与一负极。波长转换层300包含面向发光二极管晶片200的顶面202的底面302、与底面302相连接的侧面306、以及与底面302相对的出光面304。于部分实施例中，发光二极管晶片200包含一n型半导体层，一p型半导体层，以及一主动层位于n型半导体层和p型半导体层之间。于部分实施例中，发光二极管晶片200发出蓝光。于部分实施例中，发光二极管晶片200为覆晶形式。于部分实施例中，波长转换层300为含有波长转换物质的封装胶，其中波长转换物质可选自荧光粉、色素、颜料、量子点或其中之一或以上的组合，其作用为将发光二极管晶片200所发出的光线以一定比例进行波长转换。于部分实施例中，中间层400为粘着剂，可将发光二极管晶片200固定于波长转换层300上。于部分实施例中，中间层400为可透光的接着层，其材料可以为任何具透光性的高分子胶材，例如包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：/n一发光二极管晶片；/n一波长转换层，包含面向该发光二极管晶片的顶面的一底面；以及/n一中间层，具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分位于该发光二极管晶片与该波长转换层的部分该底面之间，该第二部分自该第一部分延伸且连接于该波长转换层的剩余该底面与该发光二极管晶片的侧面之间，该第二部分的侧面包含一线形面与一弧形面，该线形面对齐于该波长转换层的侧面，该弧形面的一端连接该线形面而另一端连接该发光二极管晶片的侧面，且该线形面与该弧形面构成一导角。/n

【技术特征摘要】
20181022 TW 1071372411.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一发光二极管晶片；
一波长转换层，包含面向该发光二极管晶片的顶面的一底面；以及
一中间层，具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分位于该发光二极管晶片与该波长转换层的部分该底面之间，该第二部分自该第一部分延伸且连接于该波长转换层的剩余该底面与该发光二极管晶片的侧面之间，该第二部分的侧面包含一线形面与一弧形面，该线形面对齐于该波长转换层的侧面，该弧形面的一端连接该线形面而另一端连接该发光二极管晶片的侧面，且该线形面与该弧形面构成一导角。


2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该导角的角度为90度至160度之间。


3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该线形面与该波长转换层的底面之间的夹角在90度以下。


4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该中间层为一粘着剂。


5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该波长转换层的材料包含量子点或荧光粉或其组合。


6.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含：
一反射构件，包覆该波长转换层侧面、该中间层的该第二部分的侧面以及该发光二极管晶片的未被该第二部分所覆盖的侧面，其中该波长转换层的侧面直接接触该反射构件。


7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一部分的厚度小于该第二部分的最小厚度。


8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包括一基板，该发光二极管晶片以覆晶方式位于该基板上。


9.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包含：
提供一波长转换层；
形成具有粘性的一中间层于一波长转换层上；
间隔设置多个发光二极管晶片于该中间层上；
加热与加压使得一部分的该中间层往所述多个发光二极管晶片之间的间隔处流动，以及流至所述多个发光二极管晶片的侧面；...

【专利技术属性】
技术研发人员：童鸿钧，鍾长志，陈富鑫，李育群，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71