【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器供电电路及其方法
本专利技术涉及电源供电领域，尤其涉及一种非易失性存储器供电电路及其方法。
技术介绍
非易失性存储器(Non-VolatileMemory，NVM)被广泛的用在集成电路芯片中，众所周知，对非易失性存储器进行数据的读取、写入或擦除时需要外部提供电源，尤其是在数据的写入和擦除时需要在一定的电压范围内，电压太高会造成NVM记忆体损伤，电压太低会造成数据写入不充分，两种情况都会降低NVM的数据存储可靠性。现有的技术解决方案有内置电荷泵电路和外置电源引脚两种方案。其中内置电荷泵电路方案由于电荷泵结构相对较为复杂，难于设计而且占用较大芯片面积，具有一定的风险和额外成本。而外置电源引脚方案会引入额外的封装引脚和额外的外置电源，从而降低产品的竞争力。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种非易失性存储器供电电路及其方法，通过集成芯片已有的电源引脚和内部电源，为集成芯片中非易失性存储器提供数据的读取、写入和擦除时所需要的电压，简化设计，节约成本。本专利技术为达上述目的所提出的
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器供电电路，集成于具有非易失性存储器的集成芯片中，所述非易失性存储器供电电路包括电源输入端及电源输出端，所述电源输入端与所述集成芯片的电源引脚电连接，用于输入第一电压，所述电源输出端与所述非易失性存储器电连接，用于为所述非易失性存储器供电，其特征在于，所述非易失性存储器供电电路还包括电压检测模块、开关控制模块及电压恢复模块，所述电压检测模块的一端与所述电源输入端电连接，所述电压检测模块的另一端与所述开关控制模块及所述电压恢复模块电连接，所述开关控制模块电连接于所述电源输入端及所述电源输出端之间，所述电压恢复模块还与所述电源输出端电连接，所述电压检测模块用...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器供电电路，集成于具有非易失性存储器的集成芯片中，所述非易失性存储器供电电路包括电源输入端及电源输出端，所述电源输入端与所述集成芯片的电源引脚电连接，用于输入第一电压，所述电源输出端与所述非易失性存储器电连接，用于为所述非易失性存储器供电，其特征在于，所述非易失性存储器供电电路还包括电压检测模块、开关控制模块及电压恢复模块，所述电压检测模块的一端与所述电源输入端电连接，所述电压检测模块的另一端与所述开关控制模块及所述电压恢复模块电连接，所述开关控制模块电连接于所述电源输入端及所述电源输出端之间，所述电压恢复模块还与所述电源输出端电连接，所述电压检测模块用于检测所述第一电压是否在一预设电压范围内，并根据检测结果输出控制信号至所述开关控制模块及所述电压恢复模块；
当所述第一电压在所述预设电压范围内时，所述电压检测模块输出第一电平的控制信号，以控制所述开关控制模块导通，使得所述电源输入端提供所述第一电压至所述电源输出端；
当所述第一电压不在所述预设电压范围内时，所述电压检测模块输出第二电平的控制信号，以控制所述电压恢复模块通过所述集成芯片的内部电源提供第二电压至所述电源输出端。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器供电电路，其特征在于，所述电压检测模块包括与非门、第一比较器、第二比较器及第一电阻至第四电阻，所述第一电阻的一端与所述电源输入端电连接，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电连接，所述第一电阻与所述第二电阻之间形成第一节点，所述第二电阻的另一端接地，所述第三电阻的一端与所述电源输入端电连接，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端电连接，所述第三电阻与所述第四电阻之间形成第二节点，所述第四电阻的另一端接地，所述第一比较器的反相输入端与所述第一节点电连接，所述第二比较器的反相输入端与所述第二节点电连接，所述第一比较器的同相输入端与所述第二比较器的同相输入端均电连接至一参考电压，所述第一比较器的输出端及所述第二比较器的输出端分别与所述与非门的第一输入端及第二输入端电连接，所述与非门的输出端与所述开关控制模块及所述电压恢复模块电连接。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器供电电路，其特征在于，所述开关控制模块包括第五电阻、第一电流源及第一电子开关至第四电子开关，所述第一电子开关的第一端与所述与非门的输出端电连接，所述第一电子开关的第二端接地，所述第一电子开关的第三端与所述第二电子开关的第一端电连接，所述第二电子开关的第一端还与所述第三电子开关的第一端电连接，所述第二电子开关的第二端接地，所述第二电子开关的第三端与所述第二电子开关的第一端电连接，所述第二电子开关的第三端还与所述第一电流源的一端电连接，所述第一电流源的另一端电连接至所述集成芯片的内部电源，所述第三电子开关的第二端接地，所述第三电子开关的第三端通过所述第五电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，黄辉，付俊寅，高跃，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳青铜剑科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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