【技术实现步骤摘要】
漏电流补偿装置和半导体存储器装置本申请要求于2018年10月2日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0117301号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开通过整体引用包含于此。
本专利技术构思涉及一种漏电流补偿装置和半导体存储器装置，更具体地，涉及一种用于自适应地补偿漏电流的漏电流补偿装置和包括该漏电流补偿装置的半导体存储器装置。
技术介绍
半导体存储器装置包括易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM))和非易失性存储器装置(诸如，磁随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)等)。这样的半导体存储器包括彼此连接的大量的存储器单元。这样的存储器单元设置在多条字线与多条位线的交叉点处。可对这样的存储器单元执行读取操作、写入操作和/或擦除操作。在写入操作的情况下，需要控制流入写入操作的目标单元的电流，使得利用正确的数据写入目标单元。
技术实现思路
本专利技术构思的至少一个示例性实施例提供...
【技术保护点】
1.一种漏电流补偿装置，所述漏电流补偿装置包括：/n电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；/n漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及/n补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。/n
【技术特征摘要】
20181002 KR 10-2018-01173011.一种漏电流补偿装置，所述漏电流补偿装置包括：
电流供应单元，被配置为向存储器装置的设置在字线与位线的交叉点处的多个单元之中的至少一个操作单元供应电流；
漏电流感测单元，被配置为感测流到所述多个单元之中的非操作单元的漏电流的量，以基于感测的漏电流的量输出结果值；以及
补偿电流供应单元，被配置为接收结果值并向操作单元供应补偿电流。
2.根据权利要求1所述的漏电流补偿装置，其中，漏电流感测单元包括：第一感测放大器，被配置为感测在电流供应单元的一端处的电压值。
3.根据权利要求2所述的漏电流补偿装置，其中，在电流供应单元的所述一端处的电压值被供应到第一感测放大器的第一输入端，第一参考电压被供应到第一感测放大器的第二输入端，第一感测放大器将电流供应单元的所述一端处的电压值与第一参考电压进行比较以输出结果值。
4.根据权利要求1所述的漏电流补偿装置，其中，漏电流感测单元包括：第一感测放大器至第n感测放大器，被配置为感测在电流供应单元的所述一端处的电压值，其中，n是大于或等于2的整数。
5.根据权利要求4所述的漏电流补偿装置，其中，在电流供应单元的所述一端处的电压值被供应到第一感测放大器至第n感测放大器中的每个的第一输入端，并且
彼此不同的第一参考电压至第n参考电压被供应到第一感测放大器至第n感测放大器中的每个的第二输入端。
6.根据权利要求5所述的漏电流补偿装置，其中，漏电流感测单元将在电流供应单元的所述一端处的电压值与第一参考电压至第n参考电压中的每个进行比较以输出不同的结果值。
7.根据权利要求1所述的漏电流补偿装置，所述漏电流补偿装置还包括：
存储单元，被配置为根据不同的温度区间和不同的单元位置中的至少一个存储不同的补偿电流信息。
8.根据权利要求7所述的漏电流补偿装置，所述漏电流补偿装置还包括：
温度感测单元，被配置为感测所述多个单元的温度或所述多个单元的周围温度，以产生感测的温度信息，
其中，温度感测单元将感测的温度信息发送到存储单元。
9.根据权利要求7所述的漏电流补偿装置，其中，补偿电流供应单元接收补偿电流信息，并根据接收的补偿电流信息向操作单元供应补偿电流。
10.根据权利要求1所述的漏电流补偿装置，其中，漏电流感测单元包括：
调节器单元，被配置为感测流到在其上未设置有选择的单元的未选择的位线的漏电流的量；以及
电流镜单元，被配置为将漏电流的量作为结果值输出到补偿电流供应单元。
11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：白钟民，维维克·文卡塔·卡鲁尔，金鍾律，比拉·阿哈默德·扬尤亚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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