应用于碳化硅器件隔离变换拓扑的尖峰电压抑制电路制造技术

本申请提供了一种应用于碳化硅器件隔离变换拓扑的尖峰电压抑制电路，包括变换器主体电路、设有一次绕组与二次绕组的变压器电路；一次绕组的第一端与第二端分别连接到变换器主体电路的第一输出端与第二输出端，二次绕组连接到产生尖峰电压的电路；尖峰电压抑制电路还包括第一二极管与第二二极管；一次绕组的第一端还连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接到变换器主体电路的第一输入端；一次绕组的第一端还连接第二二极管的阴极，第二二极管的阳极连接到变换器主体电路的第二输入端。由此，降低产生中的尖峰电压，而不是消除已经产生的尖峰电压，不会浪费尖峰电压的能量，稳定性强，转换效率高。转换效率高。转换效率高。

【技术实现步骤摘要】
应用于碳化硅器件隔离变换拓扑的尖峰电压抑制电路


[0001]本申请涉及一种尖峰电压抑制电路，尤其适合应用碳化硅器件的隔离变换电源。

技术介绍

[0002]隔离变换拓扑中的原边绕组和次边的二极管，在高频状态下，由于功率开关管的反复动作必然导致较大尖峰电压，尖峰电压不仅带来电磁干扰问题，过高的尖峰还会损坏器件，影响电源的稳定性。
[0003]碳化硅器件的使用，提高了功率开关管的开关频率，使尖峰电压问题更明显，也更难抑制。传统的尖峰抑制电路中常用两种方案：一是有损吸收电路，即RC电路或者RCD电路；二是无损缓冲电路，即DDC电路。RC或者RCD 电路用于吸收尖峰电压，如图1所示，其尖峰电压的很大部分能量被电阻消耗，在当今越来越追求高效率趋势下，这种抑制反向尖峰电压的方法不具备优势。 DDC电路如图2所示，变压器中心需要抽头，只支持部分的二次侧整流拓扑，而且需要较大的电容来吸收尖峰。在使用DDC电路时，使用碳化硅器件，提升功率密度的效果较差。

技术实现思路

[0004]本申请所要解决的技术问题是：提供一种应用于碳化硅器件隔离变换拓扑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于碳化硅器件隔离变换拓扑的尖峰电压抑制电路，包括变换器主体电路、设有一次绕组与二次绕组的变压器电路；所述一次绕组的第一端与第二端分别连接到变换器主体电路的第一输出端与第二输出端，所述二次绕组连接到产生尖峰电压的电路，其特征在于：所述尖峰电压抑制电路还包括第一二极管与第二二极管；所述一次绕组的第一端还连接所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接到所述变换器主体电路的第一输入端；所述一次绕组的第一端还连接所述第二二极管的阴极，所述第二二极管的阳极连接到所述变换器主体电路的第二输入端。2.如权利要求1所述的应用于碳化硅器件隔离变换拓扑的尖峰电压抑制电路，其特征在于：所述变换器主体电路的第一输入端还连接电源的正极，所述变换器主体电路的第二输入端还连接电源的负极。3.如权利要求1所述的应用于碳化硅器件隔离变换拓...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德求，雷仕建，王运，蒋成明，
申请(专利权)人：深圳青铜剑科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：