【技术实现步骤摘要】
研磨装置用调节器
本专利技术涉及研磨装置用调节器,更具体而言,涉及一种能够提高研磨垫的调节准确度及稳定性的研磨装置用调节器。
技术介绍
一般而言,化学机械式研磨(ChemicalMechanicalPolishing;CMP)工序被认为是使具备研磨层的半导体制作所需的晶片等的晶片与研磨盘之间进行相对旋转,从而研磨晶片表面的标准工序。图1是概略地图示以往的化学机械式研磨装置的图,图2是图示以往的化学机械式研磨装置的调节器的图。如图1及图2所示,以往的化学机械式研磨装置1由研磨盘10、研磨头20和调节器300构成,所述研磨盘10在上面附着有研磨垫11,所述研磨头20安装要研磨的晶片W,在接触研磨垫11上面的同时旋转,所述调节器300以预先确定的压力对研磨垫11的表面加压的同时进行微细切削,使得在研磨垫11表面形成的微孔在表面显现。研磨盘10附着有研磨晶片W的研磨垫11,随着旋转轴12旋转驱动而旋转运动。研磨头20由承载头(图中未示出)和研磨臂22构成,所述承载头(图中未示出)位于研磨盘10的研磨垫11的上面,把持晶片W,所述研磨臂22旋转驱动承载头并按一定的振幅进行往复运动。调节器30细微地切削研磨垫11的表面,以便不堵塞在研磨垫11表面发挥盛装由研磨剂和化学物质混合的浆料的作用的大量发泡微孔;并使填充于研磨垫11发泡气孔的浆料顺畅供应给被承载头21把持的晶片W。调节器30包括旋转轴32、相对于旋转轴32而沿上下方向能移动地结合的盘支架34、配置于盘支架34下面的调节盘36,构成为 ...
【技术保护点】
1.一种研磨装置用调节器,其特征在于,包括:/n调节盘,其用于重整研磨垫;/n加压部,其用于向所述调节盘施加轴向的压力;/n测量部,其设置于所述加压部与所述调节盘之间,用于测量来自所述加压部的所述压力;/n校正部,其基于所述测量部测量的信号,校正来自所述加压部的所述压力。/n
【技术特征摘要】
20181017 KR 10-2018-01240251.一种研磨装置用调节器,其特征在于,包括:
调节盘,其用于重整研磨垫;
加压部,其用于向所述调节盘施加轴向的压力;
测量部,其设置于所述加压部与所述调节盘之间,用于测量来自所述加压部的所述压力;
校正部,其基于所述测量部测量的信号,校正来自所述加压部的所述压力。
2.根据权利要求1所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
所述测量部在所述调节盘的移动和旋转停止的停止位置上,测量来自所述加压部的所述压力。
3.根据权利要求2所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
所述校正部在所述调节盘配置于所述研磨垫的状态下,校正来自所述加压部的所述压力。
4.根据权利要求1所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
包括存储有所述调节盘的基准压力范围的数据库,
所述校正部基于所述测量部测量的所述调节盘的测量压力范围与所述基准压力范围间的偏差,校正来自所述加压部的所述压力。
5.根据权利要求4所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
所述基准压力范围按照所述调节盘的使用年限,并基于在所述研磨垫中由所述测量部测量的所述测量压力范围而存储。
6.根据权利要求4所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
包括警报发生部,当所述测量压力范围与所述基准压力范围间的偏差超出基准偏差范围时,所述警报发生部发出警报信号。
7.根据权利要求1所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
所述校正部在对所述研磨垫进行调节工序之前,校正来自所述加压部的所述压力。
8.根据权利要求1所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
包括旋转部,其结合于所述调节盘的上部,使所述调节盘旋转,
所述加压部设置于所述旋转部的上部,所述测量部设置于所述加压部与所述旋转部之间,在将来自所述加压部的所述压力传递给所述旋转部的同时测量所述压力。
9.根据权利要求8所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
所述测量部借助于所述加压部而选择性地沿上下方向移动,从而接触所述旋转部或从所述旋转部隔开。
10.根据权利要求9所述的研磨装置用调节器,其特征在于,
包括第一耦合器,其结合于所述旋转部的上部,
当所述测量部借助于所述加压部而移动到下部时,所述测量部接触所述第一耦合器,所述压力经所述第一耦合器传递至所述旋转部,
当所述测量部借助于所述加压部而移动到上部时,所述测量部从所述第一耦合器隔开。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔光洛,金泰贤,
申请(专利权)人:凯斯科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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