一种反向稳压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反向稳压LED芯片，其包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域；所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构相互串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。本实用新型专利技术通过将多个第二发光结构相互串联，可将反向击穿电压提高至3n V(其中，n为第二发光结构的个数)，大幅提升了有反向电流存在时，LED芯片的安全性、可靠性，使得本实用新型专利技术中的LED芯片可应用于多种不同的使用场合。

A reverse voltage stabilizing LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种反向稳压LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种反向稳压LED芯片。
技术介绍
LED又称发光二极管，是半导体二极管的一种，其具有单向导电性。当在LED芯片外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，这种反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。但当外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性，如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就会彻底失去单向导电性，被永久损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。由于在现有使用场合中，很少会出现反向电压的情景，因此现有的LED芯片往往不进行反向保护电路的设计。一种经常出现反向电流的场合是在测试芯片是否漏电时，由于LED芯片漏电通过正向施加电压是无法区分的，故采用反向施加电压的方法来测试；但在这种测试场合中，由于LED的正向电压通常小于4V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反向稳压LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域和第二区域；/n所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。/n

【技术特征摘要】
1.一种反向稳压LED芯片，其特征在于，包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域和第二区域；
所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结构设于所述第二区域；所述第一发光结构和第二发光结构串联；且所述第一发光结构和第二发光结构电流传输方向相反。


2.如权利要求1所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，还包括第一二次电极和第二二次电极；
所述第一发光结构包括第一电极和第二电极，所述第二发光结构包括第三电极和第四电极；
所述第一电极和所述第四电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第二二次电极实现电连接；
所述第二电极和所述第三电极通过横跨所述第一刻蚀道的所述第一二次电极实现电连接。


3.如权利要求1或2所述的反向稳压LED芯片，其特征在于，所述第二区域还设有第二刻蚀道和第三二次电极；所述第二刻蚀道刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王硕，庄家铭，崔永进，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44