一种垂直结构的金黄光LED芯片及其护眼灯制造技术

本实用新型专利技术提供了一种一种垂直结构的金黄光LED芯片，包括衬底、发光层、电极层，所述衬底上设置有p型半导体材料层；所述发光层上设置有型半导体材料层，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层上的红光发光层、黄光发光层。红光发光层射出的红光与黄光发光层射出的黄光混合后为金黄光，无蓝光射出，从而有利于保护人眼免受蓝光危害，同时该芯片结构简单、节能、成本低。此外，本实用新型专利技术还提供了一种LED护眼灯，灯罩由天然水晶岩矿石制成，天然水晶岩矿石发热之后，将周围空气中的水分子吸收到表面，然后蒸发，再吸水，再蒸发，交替往复进行，不断产生负离子；同时天然水晶岩矿石呈现雾状，所产生的光柔和无眩光。

A vertical golden yellow LED chip and its eye protection lamp

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构的金黄光LED芯片及其护眼灯
本技术涉及LED
，具体地涉及一种垂直结构的金黄光LED芯片及采用该芯片的护眼灯。
技术介绍
近年来，LED技术发展迅速，LED照明产品以其节能、环保、耐用的特点，正逐渐取代常规照明光源。目前大部分的LED照明光源是由蓝光LED芯片激发黄色荧光粉后产生的白光，其光谱曲线不平滑，特别是蓝光波段的峰值明显高于自然光或者白炽灯。世界卫生组织WHO爱眼协会公布：2006年至2008年因蓝光辐射每年导致全球超过30000人失明。据中华医学会眼科学分会数据显示：在中国4.2亿网民中，63.5％的网民因蓝光辐射而产生了视力下降、白内障、失明等不同程度的眼疾。现有研究表明，一天中长时间暴露在高强度蓝光光线中，将加重视网膜黄斑区疾病、导致白内障术后的眼底损伤、引发视觉模糊和眩光，并抑制褪黑素的分泌以及打扰睡眠，而且还会提高人体自身重大疾病的发生率。为避免蓝光对人类的危害，现有技术中已采取一些方案对蓝光加以吸收或阻碍蓝光的出射。如申请号为201110193268.8，名称为“减少LED蓝光危害的镀膜滤光片”的专利，在基体的一侧表面或两侧表面镀稀土氧化物材料制成的吸光材料，并将该镀膜基体置于光源的出光光路上，达到对光源中蓝光的吸收，从而减少蓝光对人类的危害；申请号为201120329140.5，名称为“一种防蓝光LED灯”的专利，通过设置荧光粉层，实现了对光源出射蓝光的散射；申请号为201320123960.8，名称为“一种LED护眼光源及护眼灯”的专利，使用绿光芯片、红光芯片与蓝绿芯片，实现了降低了高能蓝光的目的。上述方法中均为对光源出射光速中蓝光成分的吸收过滤或者加长蓝光波长，从而减少高能蓝光对人类的危害。然而上述方法只能降低高能蓝光比例不能从根本上杜绝蓝光。此外，现有技术中也有采用无蓝光的LED芯片，如申请号为201810869092.5，名称为“一种无蓝光低色温双波段LED光源”的专利，采用黄光芯片与红光芯片组合，但是采用双芯片容易出现混光不均匀的现象，具有一定的局限性。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种垂直结构的金黄光LED芯片，包括：衬底，所述衬底上设置有p型半导体材料层；发光层，所述发光层上设置有n型半导体材料层，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层上的红光发光层、黄光发光层；电极层，所述电极层包括设置在所述衬底底部的第一电极层、设置在所述n型半导体材料层上的第二电极层，所述第一电极层上设置有第一电极，所述第二电极层上设置有第二电极。进一步地，所述衬底的材料为GaAs。进一步地，所述红光发光层由峰值波长为600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩尔分数为0.1～0.3；所述黄光发光层由峰值波长为550～590nm的(AlyIn1-y)0.5Ga0.5P材料制成，其中，y的摩尔分数为0.3～0.5。进一步地，所述p型半导体材料层为p型AlInGaP层，所述n型半导体材料层为n型AlInGaP层。进一步地，所述红光发光层与所述黄光发光层相接触处且靠近所述n型半导体材料层设置有凹槽。另一方面，本技术还提供了一种LED护眼灯，包括灯座，所述灯座上设置有灯罩，所述灯罩内设置有上述任一所述的垂直结构的金黄光LED芯片。进一步地，所述灯罩由天然水晶岩矿石制成。本技术提供了一种垂直结构的金黄光LED芯片，红光发光层射出的红光与黄光发光层射出的黄光混合后为金黄光，无蓝光射出，从而有利于保护人眼免受蓝光危害，同时该芯片结构简单、节能、成本低。此外，本技术还提供了一种LED护眼灯，灯罩由天然水晶岩矿石制成，天然水晶岩矿石发热之后，将周围空气中的水分子吸收到表面，然后蒸发，再吸水，再蒸发，交替往复进行，不断产生负离子；同时天然水晶岩矿石呈现雾状，所产生的光柔和无眩光。附图说明图1是本技术提供的垂直结构的金黄光LED芯片的结构示意图；图2是本技术的另一实施例提供的垂直结构的金黄光LED芯片的结构示意图；其中，1、衬底；2、p型半导体材料层；301、红光发光层；302、黄光发光层；4、n型半导体材料层；501、第一电极层；502、第二电极层；601、第一电极；602、第二电极；7、凹槽。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1所示，本技术提供了一种垂直结构的金黄光LED芯片，包括衬底1、发光层、电极层，所述衬底1上设置有p型半导体材料层2；所述发光层上设置有n型半导体材料层4，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层2上的红光发光层301、黄光发光层302；所述电极层包括设置在所述衬底1底部的第一电极层501、设置在所述n型半导体材料层4上的第二电极层502，所述第一电极层501上设置有第一电极601，所述第二电极层502上设置有第二电极602。在本技术的实施方式中，所述衬底的材料为GaAs；所述红光发光层由峰值波长为600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩尔分数为0.1～0.3；所述黄光发光层由峰值波长为550～590nm的(AlyIn1-y)0.5Ga0.5P材料制成，其中，y的摩尔分数为0.3～0.5；所述p型半导体材料层为p型AlInGaP层，所述n型半导体材料层为n型AlInGaP层。在本技术的另一实施例中，如图2所示，所述红光发光层301与所述黄光发光层302相接触处且靠近所述n型半导体材料层4设置有凹槽7。如此，避免了红光发光层与黄光发光层在相接触处出现交叉的现象。另一方面，本技术还提供了一种LED护眼灯，包括灯座，所述灯座上设置有灯罩，所述灯罩内设置有上述任一所述的垂直结构的金黄光LED芯片。具体地，所述灯罩由天然水晶岩矿石制成。灯罩由天然水晶岩矿石制成，天然水晶岩矿石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底上设置有p型半导体材料层；/n发光层，所述发光层上设置有n型半导体材料层，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层上的红光发光层、黄光发光层；/n电极层，所述电极层包括设置在所述衬底底部的第一电极层、设置在所述n型半导体材料层上的第二电极层，所述第一电极层上设置有第一电极，所述第二电极层上设置有第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设置有p型半导体材料层；
发光层，所述发光层上设置有n型半导体材料层，所述发光层包括并排相连地设置在所述P型半导体材料层上的红光发光层、黄光发光层；
电极层，所述电极层包括设置在所述衬底底部的第一电极层、设置在所述n型半导体材料层上的第二电极层，所述第一电极层上设置有第一电极，所述第二电极层上设置有第二电极。


2.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述衬底的材料为GaAs。


3.根据权利要求1所述的垂直结构的金黄光LED芯片，其特征在于，所述红光发光层由峰值波长为600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩尔分数为0.1～0.3；...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伯文，
申请(专利权)人：武汉瑞宸腾飞投资有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42