发光模块制造技术

提供了一种发光模块。所述发光模块包括发光二极管，所述发光二极管包括：第一发光区域；以及第二发光区域，与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，且包括彼此相隔的多个发光单元，所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动，所述多个发光单元分别被独立驱动。

Light emitting module

【技术实现步骤摘要】
发光模块本申请是国际申请日为2018年2月7日、申请号为201880005651.6的专利技术专利申请“发光二极管和包括该发光二极管的发光模块”的分案申请。
本专利技术涉及发光二极管和包括该发光二极管的发光模块，具体地，涉及包括多个发光区域的发光二极管和包括所述发光二极管的发光模块。
技术介绍
根据现有技术的发光模块具有在单个LED芯片上形成有单个波长变换层的发光部和在所述发光部上布置有透镜的结构。根据现有技术的这种发光模块难以实现指向角的可控和改变相关色温(correlatedcolortemperature,CCT)。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要解决的问题为提供一种能够调节指向角的发光二极管和包括该发光二极管的发光模块。本专利技术所要解决的另一问题为提供一种能够调节色温的发光二极管和包括该发光二极管的发光模块。本专利技术所要解决的问题为提供一种能够调节发光面积的发光二极管和包括该发光二极管的发光模块。本专利技术所要解决的又一问题为提供一种易于实现小型化的发光二极管和包括该发光二极管的发光模块。技术方案根据本专利技术的一实施例，提供一种发光模块，其包括：发光二极管，所述发光二极管包括：第一发光区域；以及第二发光区域，与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，且包括彼此相隔的多个发光单元，所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动，所述多个发光单元分别被独立驱动。根据本专利技术的一实施例，提供一种发光二极管，其包括第一发光区域以及第二发光区域，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动。根据本专利技术的另一实施例，提供一种发光模块，其包括：发光二极管，包括第一发光区域和第二发光区域，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域；以及单焦点透镜，位于所述发光二极管上，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动。技术效果根据本专利技术的发光二极管包括第一发光区域和具有围绕第一发光区域的结构的第二发光区域，各发光区域被独立驱动，因此可以调节发光二极管的指向角。并且，发光二极管包括波长变换层，该波长变换层包括对应于第一发光区域的第一波长变换层和对应于第二发光区域的第二波长变换层，各发光区域被独立驱动，因此可以调节发光二极管的色温。此外，第一发光区域和第二发光区域中的至少一个可以包括独立驱动的多个发光单元，据此，可以调节第一发光区域和/或第二发光区域的发光面积。并且，发光模块由于具有所述发光二极管，因此可以利用单焦点的透镜。随之，可以将发光模块小型化。附图说明图1a至图1b示出了根据本专利技术的一实施例的发光二极管。图2示出了根据本专利技术的一实施例的发光二极管的制造方法。图3a至图3b示出了根据本专利技术的一实施例的发光模块。图4a至图4b示出了根据本专利技术的另一实施例的发光二极管。图5a至图5b示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图6a至图6b示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图7a至图7b示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图8示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图9a至图9b示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图10示出了根据图9a至图9b的实施例的发光二极管的驱动例。图11a至图11b示出了根据本专利技术的又一实施例的发光二极管。图12a至图12b示出了根据本专利技术的实施例的发光二极管的指向角分布。图13示出了根据本专利技术的实施例的根据施加到发光二极管的电源的比率控制的光分布变化的实验例。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。下面叙述的实施例是为了能够向本专利技术所属
的普通技术人员充分地传递本专利技术的思想，作为示例而提供的。因此，本专利技术不限于以下所说明的实施例，也可以具体化为其他形态。并且，出于方便考虑，在附图中，构成要素的宽度、长度、厚度等也可能被夸张地示出。并且，如果记载为一个构成要素在另一构成要素的“上部”或者“上”，则不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“其上”的情况，还包括在各构成要素和另一构成要素之间存在其它构成要素的情况。在整个说明书中，相同的参照符号表示相同的构成要素。根据本专利技术的一实施例的发光二极管的特征在于，包括第一发光区域和第二发光区域，所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动。在此，所述第一发光区域和所述第二发光区域可以共享相同的中心。并且，所述第一发光区域和所述第二发光区域各包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一发光区域和所述第二发光区域可以分别发出彼此相同的波长的光或者发出彼此不同的波长的光。所述第一发光区域和所述第二发光区域可以被独立驱动。为此，发光二极管还可以包括：第一电极对，与所述第一发光区域的所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接；第二电极对，与所述第二发光区域的所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接。或者，根据另一实施例，发光二极管还可以包括：第一电极，与所述第一发光区域电连接；第二电极，与所述第二发光区域电连接；以及公共电极，与所述第一发光区域和第二发光区域两者均电连接。发光二极管还可以包括覆盖所述第一发光区域和所述第二发光区域的波长变换层。所述第一发光区域和所述第二发光区域可以通过一个基板而彼此结合，所述基板位于所述第一发光区域、第二发光区域和所述波长变换层之间。在此，所述波长变换层可以包括：第一波长变换层，位于所述第一发光区域上并且包括第一荧光体；以及第二波长变换层，围绕所述第一波长变换层，并位于所述第二发光区域上且包括第二荧光体。此时，所述第一波长变换层可以覆盖整个第一发光区域和部分第二发光区域。并且，所述波长变换层还可包括位于所述第一波长变换层和所述第二波长变换层之间，用于促进光扩散的阻挡层。例如，可以通过所述第一发光区域和所述第一荧光体的组合而呈现具有2300K至3500K的色温的光，通过所述第二发光区域和所述第二荧光体的组合而呈现具有4500K至6500K的色温的光，或者与此相反。发光二极管还可以包括第三发光区域，所述第三发光区域与所述第二发光区域相隔，并且围绕所述第二发光区域，随之，所述波长变换层可以具有覆盖所述第一发光区域至所述第三发光区域的结构。并且，所述波长变换层还可以包括与所述第三发光区域对应，并包括第三荧光体的第三波长变换层。发光二极管还可以包括包裹最外廓发光区域的侧面的反射层。并且，发光二极管还可以包括覆盖所述波长变换层的扩散层。此外，第二发光区域的面积可以大于所述第一发光区域的面积，或者与此相反的实施例也是可能的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光模块，其包括发光二极管，/n所述发光二极管包括：/n第一发光区域；以及/n第二发光区域，与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，且包括彼此相隔的多个发光单元，/n所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，/n所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动，/n所述多个发光单元分别被独立驱动。/n

【技术特征摘要】
20170208 KR 10-2017-0017652;20180205 KR 10-2018-001.一种发光模块，其包括发光二极管，
所述发光二极管包括：
第一发光区域；以及
第二发光区域，与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域，且包括彼此相隔的多个发光单元，
所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，
所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动，
所述多个发光单元分别被独立驱动。


2.如权利要求1所述的发光模块，其中，
所述第一发光区域和所述第二发光区域发出彼此不同的波段的光。


3.如权利要求1所述的发光模块，其中，
所述第一发光区域和所述第二发光区域发出彼此相同的波段的光。


4.如权利要求1所述的发光模块，其中，还包括：
波长变换层，包括第一波长变换层和第二波长变换层，
其中，所述第一波长变换层...

【专利技术属性】
技术研发人员：金枋显，徐瑛慧，李在浩，李锺旼，郑丞晧，郑义成，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR