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本实用新型公开了一种反向稳压LED芯片，其包括：衬底、外延层、第一刻蚀道、第一发光结构和至少一个第二发光结构；所述外延层设于所述衬底上，并通过刻蚀至所述衬底的第一刻蚀道分为第一区域与第二区域；所述第一发光结构设于所述第一区域；所述第二发光结...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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