一种全光谱发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种全光谱发光二极管，包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。本实用新型专利技术通过两个或以上的不同色光的发光单元以水平相接方式/垂直叠加方式设于衬底上，这样结构的发光二极管的体积小，便于携带，且能同时发出多种色光，满足用户的特殊用途需要。

A full spectrum LED

【技术实现步骤摘要】
一种全光谱发光二极管
本技术涉及LED
，特别涉及一种全光谱发光二极管。
技术介绍
LED照明灯是利用第四代绿色光源LED做成的一种照明灯具。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。目前，一个发光二极管只能发出一种色光，而无法同时发出多种色光，以满足用户的特殊用途，而针对这一情况，部分商家一般是将多个发光二极管组合起来形成一个LED灯，但是这样的组合形成的LED灯的体积较大，不方便携带。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种全光谱发光二极管，其体积小，便于携带，同时能发出多种色光，满足用户特殊用途需要。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种全光谱发光二极管，包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全光谱发光二极管，其特征在于：包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。/n

【技术特征摘要】
1.一种全光谱发光二极管，其特征在于：包括支架和LED芯片，所述LED芯片装设于支架上，所述LED芯片包括衬底和至少两个发出不同色光的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N极和P极，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方/下方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极设于N型半导体层上，所述P极设于P型半导体层上，所述发光单元之间以水平相接方式/垂直相叠方式设置于衬底上。


2.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以水平方式设置于衬底上，所述发光单元的N极与相邻发光单元的P极电连接。


3.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的上方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的N型半导体层与位于下方发光单元的P极相互叠合。


4.根据权利要求1所述的一种全光谱发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层设于N型半导体层的下方,所述发光单元之间以垂直相叠方式设置于衬底上，位于上方发光单元的P型半导体层与位于下方发光单元的N极相互叠合。


5.根据权利要求2-4中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗兴，廖宗仁，
申请(专利权)人：东莞佰鸿电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44