发光元件制造技术

公开一种发光元件，包括：第一发光部，包括第一n型半导体层、第一活性层、第一p型半导体层和第一欧姆层；第二发光部，布置于第一发光部，包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层和第二欧姆层；第三发光部，布置于第二发光部，包括第三n型半导体层、第三活性层、第三p型半导体层、一面与第三p型半导体层电接触的第一金属图案和一面与第三n型半导体层电接触的第二金属图案；公共垫，与第一n型半导体层、第二n型半导体层、第二金属图案共同电连接；第一过孔结构物，在第二金属图案与公共垫之间电连接第二金属图案与公共垫，其中，第二金属图案的一面包括与第一过孔结构物相接的第一部分以及与第三n型半导体层相接的第二部分。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本技术涉及一种发光元件，尤其涉及一种层叠有多个发光层的发光元件。
技术介绍
发光二极管作为无机光源，被广泛用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。尤其，显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多样的颜色。显示装置的各个像素配备蓝色、绿色及红色的子像素，并且通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来实现图像。发光二极管在显示装置中主要被用作背光源。然而，最近正在开发作为利用发光二极管直接实现图像的下一代显示器的微型LED(microLED)。
技术实现思路
本技术要解决的课题在于提供一种改善了光效率及光提取的发光元件。本技术要解决的技术问题并不局限于以上提到的技术问题，未提到的其他技术问题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。为了达成要解决的一个课题，根据本技术的实施例的发光元件包括：第一发光部，包括第1-1型半导体层、第一活性层、第1-2型半导体层和第一欧姆层；第二发光部，布置于所述第一发光部上，包括第2-1型半导体层、第二活性层、第2-2型半导体层和第二欧姆层；第三发光部，布置于所述第二发光部上，包括第3-1型半导体层、第三活性层、第3-2型半导体层、一面与所述第3-2型半导体层电接触的第一金属图案和一面与所述第3-1型半导体层电接触的第二金属图案；第一垫，与所述第一欧姆层电连接；第二垫，与所述第二欧姆层电连接；第三垫，与所述第一金属图案电连接；公共垫，与所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层、所述第二金属图案共同电连接；以及第一过孔结构物，在所述第二金属图案与所述公共垫之间将所述第二金属图案与所述公共垫电连接，其中，所述第二金属图案的一面包括与所述第一过孔结构物相接的第一部分以及与所述第3-1型半导体层相接的第二部分。根据一实施例，所述第二金属图案的第二部分可以具有所述第一部分的1～5倍的面积。根据一实施例，所述第二部分可以具有包围所述第一部分的结构。根据一实施例，所述第一金属图案及所述第二金属图案各自的导电率可以大于所述第一欧姆层及所述第二欧姆层各自的导电率。根据一实施例，所述第一金属图案可以相接于所述第3-2型半导体层并具有第一厚度，所述第二金属图案贯通所述第3-1型半导体层及所述第三活性层，并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。根据一实施例，所述第一金属图案的与一面对向的另一面的高度可以与所述第二金属图案的与一面对向的另一面相同或者更高。根据一实施例，所述第二金属图案还可以具有和所述一面对向的另一面，所述一面的宽度大于另一面的宽度，所述另一面的宽度大于所述第一过孔结构物的宽度。根据一实施例，所述第二金属图案可以具有与所述第一过孔结构物邻近的部分的外侧壁凸出的结构。根据一实施例，所述发光元件还可以包括：第二过孔结构物，在所述第一金属图案与所述第三垫之间将所述第一金属图案与所述第三垫电连接，其中，所述第一金属图案的一面包括与所述第二过孔结构物相接的第一部分以及与所述第3-2型半导体层相接的第二部分。根据一实施例，所述第一金属图案的第二部分可以具有所述第一部分的1～5倍的面积。根据一实施例，所述第二部分可以具有包围所述第一部分的结构。根据一实施例，所述第一金属图案可以具有大于所述第二过孔结构物的宽度。根据一实施例，所述发光元件还可以包括：第二过孔结构物，将所述第一欧姆层与所述第一垫之间电连接；第三过孔结构物，将所述第二欧姆层与所述第二垫之间电连接；第四过孔结构物，将所述第一金属图案与所述第三垫之间电连接；以及第一钝化膜，将所述第一过孔结构物至所述第四过孔结构物分别与所述第一发光部至所述第三发光部电绝缘，其中，所述第一钝化膜具有包围所述第一过孔结构物至所述第四过孔结构物各自的外侧壁的第一部分以及布置于所述第3-1型半导体层与所述第一垫至所述第三垫及所述公共垫之间的第二部分，所述第一钝化膜的所述第二部分具有大于或等于所述第一部分的厚度。根据一实施例，所述发光元件还可以包括：第五过孔结构物，将所述公共垫与所述第1-1型半导体层之间电连接；以及第六过孔结构物，将所述公共垫与所述第2-1型半导体层之间电连接其中，所述第一钝化膜的第一部分包围所述第五过孔结构物及第六过孔结构物各自的外侧壁。根据一实施例，所述第一过孔结构物至所述第六过孔结构物可以分别包括布线膜以及包围布线膜外侧壁的种子膜。根据一实施例，所述第二金属图案可以具有与所述第一过孔结构物相接的一面和与该一面对向的另一面，所述发光元件还包括第五过孔结构物，所述第五过孔结构物包括：第一图案，与所述第二金属图案的另一面及所述第2-1型半导体层电接触；以及第二图案，将所述第一金属图案与所述第1-1型半导体层之间电连接。根据一实施例，所述第一过孔结构物至所述第五过孔结构物可以分别包括布线膜以及包围布线膜外侧壁的种子膜。根据一实施例，所述发光元件还可以包括：钝化膜，包围所述第一发光部至所述第三发光部各自的外侧壁；以及外侧种子膜，包围所述钝化膜的外侧壁。根据一实施例，所述发光元件还可以包括：第一外侧种子膜，包围所述第一发光部至所述第三发光部中的一个或两个的外侧壁；第一钝化膜，布置于所述第一发光部至所述第三发光部中的至少一个与所述第一外侧种子膜之间；第二外侧种子膜，包围所述第一发光部至所述第三发光部中的剩余的发光部的外侧壁；以及第二钝化膜，布置于所述第一发光部至所述第三发光部中的剩余的发光部与所述第二外侧种子膜之间。根据一实施例，与所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层及所述第3-1型半导体层各自的一面对向的另一面可以具有多个凸起。根据一实施例，所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层及所述第3-1型半导体层可以分别包括n型半导体，所述第1-2型半导体层、所述第2-2型半导体层及所述第3-2型半导体层分别包括p型半导体。根据一实施例，所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层及所述第3-1型半导体层可以分别包括p型半导体，所述第1-2型半导体层、所述第2-2型半导体层及所述第3-2型半导体层分别包括n型半导体。其他实施例的具体事项包含在具体实施方式以及附图中。对于根据本技术的一示例的发光元件而言，在发出红色光的发光部中，在n型半导体层及p型半导体层形成有金属图案，从而能够提高欧姆特性。并且，通过将第1-1型半导体层、第2-1型半导体层及第3-1型半导体层共同电连接于公共垫，从而相比于将第1-2型半导体层、第2-2型半导体层及第3-2型半导体层共同连接的情形能够更稳定地接收电流。并且，在发光元件的外侧壁形成种子膜，从而能够反射从发光元件发出的光而提高发光元件的光效率。附图说明图1a是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图。图1b是将图1a的发光元件沿A-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n第一发光部，包括第1-1型半导体层、第一活性层、第1-2型半导体层和第一欧姆层；/n第二发光部，布置于所述第一发光部上，包括第2-1型半导体层、第二活性层、第2-2型半导体层和第二欧姆层；/n第三发光部，布置于所述第二发光部上，包括第3-1型半导体层、第三活性层、第3-2型半导体层、一面与所述第3-2型半导体层电接触的第一金属图案和一面与所述第3-1型半导体层电接触的第二金属图案；/n第一垫，与所述第一欧姆层电连接；/n第二垫，与所述第二欧姆层电连接；/n第三垫，与所述第一金属图案电连接；/n公共垫，与所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层、所述第二金属图案共同电连接；以及/n第一过孔结构物，在所述第二金属图案与所述公共垫之间将所述第二金属图案与所述公共垫电连接，/n其中，所述第二金属图案的一面包括与所述第一过孔结构物相接的第一部分以及与所述第3-1型半导体层相接的第二部分。/n

【技术特征摘要】
20180914 US 62/731,218;20190905 US 16/561,4401.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一发光部，包括第1-1型半导体层、第一活性层、第1-2型半导体层和第一欧姆层；
第二发光部，布置于所述第一发光部上，包括第2-1型半导体层、第二活性层、第2-2型半导体层和第二欧姆层；
第三发光部，布置于所述第二发光部上，包括第3-1型半导体层、第三活性层、第3-2型半导体层、一面与所述第3-2型半导体层电接触的第一金属图案和一面与所述第3-1型半导体层电接触的第二金属图案；
第一垫，与所述第一欧姆层电连接；
第二垫，与所述第二欧姆层电连接；
第三垫，与所述第一金属图案电连接；
公共垫，与所述第1-1型半导体层、所述第2-1型半导体层、所述第二金属图案共同电连接；以及
第一过孔结构物，在所述第二金属图案与所述公共垫之间将所述第二金属图案与所述公共垫电连接，
其中，所述第二金属图案的一面包括与所述第一过孔结构物相接的第一部分以及与所述第3-1型半导体层相接的第二部分。


2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第二金属图案的第二部分具有所述第一部分的1～5倍的面积。


3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
所述第二部分具有包围所述第一部分的结构。


4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一金属图案相接于所述第3-2型半导体层并具有第一厚度，
所述第二金属图案贯通所述第3-1型半导体层及所述第三活性层，并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。


5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
所述第一金属图案的与一面对向的另一面的高度与所述第二金属图案的与一面对向的另一面相同或者更高。


6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第二金属图案还具有和所述一面对向的另一面，
所述一面的宽度大于另一面的宽度，
所述另一面的宽度大于所述第一过孔结构物的宽度。


7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第二金属图案具有与所述第一过孔结构物邻近的部分的外侧壁凸出的结构。


8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第二过孔结构物，在所述第一金属图案与所述第三垫之间将所述第一金属图案与所述第三垫电连接，
其中，所述第一金属图案的一面包括与所述第二过孔结构物相接的第一部分以及与所述第3-2型半导体层相接的第二部分。


9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述第一金属图案的第二部分具有所述第一部分的1～5倍的面积。


10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，
所述第二部分具有包围所述第一部分的结构。


11.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述第一金属图案具有大于所述第二过孔结构物的宽度。


12.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第二过孔结构物，将所述第一欧姆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成逵，李豪埈，蔡钟炫，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR