发光元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光元件。发光元件包括：第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；第二发光部，布置于暴露的第一n型半导体层上，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及第一粘结部，将第一n型半导体层与第二n型半导体层之间粘结并电连接。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本技术涉及一种发光元件，尤其涉及一种层叠多个发光层的发光元件。
技术介绍
发光二极管作为无机光源，被多样地用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。尤其，显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多样的颜色。显示装置的各个像素配备蓝色、绿色及红色的子像素，通过这些子像素的颜色确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来实现图像。发光二极管在显示装置中主要用作背光源。然而，最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的微型LED(microLED)作为下一代显示器。
技术实现思路
技术问题本技术要解决的课题在于提供一种光再现性优异的发光元件。本技术要解决的课题并不局限于以上提到的课题，未提到的其他课题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。技术方案为了达成要解决的一课题，根据本技术的实施例的发光元件包括：第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使所述第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；第二发光部，在暴露的所述第一n型半导体层上与所述第一台面结构物隔开，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及第一粘结部，将所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间粘结并电连接。根据实施例，在所述第二发光部，所述第二活性层、所述第二p型半导体层及所述第二透明电极可以竖直层叠而形成第二台面结构物，所述第二台面结构物在所述第二n型半导体层上使所述第二n型半导体层的一部分暴露。根据实施例，所述发光元件还可以包括：第三发光部，布置于暴露的所述第二n型半导体层上，并且包括第三n型半导体层、第三活性层、第三p型半导体层及第三透明电极；以及第二粘结部，在所述第二n型半导体层与所述第三n型半导体层之间，将所述第二发光部与第三发光部之间粘结并电连接。根据实施例，所述第二粘结部可以包括从由Au、Al、Ti、Ni、Sn、In、Cr及Be构成的组中选择的至少一种。根据实施例，所述第二粘结部的厚度可以大于所述第二活性层的厚度。根据实施例，所述第一台面结构物、所述第二台面结构物及所述第三发光部可以具有彼此相同的尺寸。根据实施例，还可以包括：第一垫，与所述第一透明电极电连接；第二垫，与所述第二透明电极电连接；第三垫，与所述第三透明电极电连接；以及公用垫，与所述第一n型半导体层至第三n型半导体层电连接。根据实施例，所述公用垫可以布置于与所述第一n型半导体层的一面相向的另一面。根据实施例，所述公用垫可以布置于暴露的所述第一n型半导体层上。根据实施例，所述公用垫可以布置于暴露的所述第二n型半导体层上。根据实施例，在所述第三发光部，所述第三活性层、所述第三p型半导体层及所述第三透明电极可以竖直层叠而形成第三台面结构物，所述第三台面结构物在所述第三n型半导体层上使所述第三n型半导体层的一部分暴露，并且所述公用垫可以布置于暴露的所述第三n型半导体层上。根据实施例，所述发光元件还可以包括：第三发光部，在暴露的所述第一n型半导体层上与所述第二发光部隔开布置，并且包括第三n型半导体层、第三活性层、第三p型半导体层及第三透明电极。根据实施例，还可以包括：第二粘结部，在所述第一n型半导体层与所述第三n型半导体层之间，将所述第一发光部与第三发光部之间粘结并电连接。根据实施例，所述第二粘结部可以包括从由Au、Al、Ti、Ni、Sn、In、Cr及Be构成的组中选择的至少一种。根据实施例，所述第一粘结部可以延伸至所述第一n型半导体层与所述第三n型半导体层之间，进而将所述第一发光部与第三发光部之间粘结并电连接。根据实施例，所述第一台面结构物、所述第二发光部及所述第三发光部可以具有彼此相同的尺寸。根据实施例，所述发光元件还可以包括：光阻断膜，在暴露的所述第一n型半导体层上布置于所述第二发光部与第三发光部之间。根据实施例，所述第一粘结部可以包括从由Au、Al、Ti、Ni、Sn、In、Cr及Be构成的组中选择的至少一种。根据实施例，所述第一粘结部的厚度可以大于所述第一活性层的厚度。根据实施例，所述第二粘结部可以与所述第一粘结部为一体型。其他实施例的具体事项包含在具体实施方式以及附图中。有益效果对于根据本技术的实施例的发光元件而言，第一发光层、第二发光层及第三发光层竖直层叠，第一活性层、第二活性层及第三活性层不重叠，并且第一活性层至第三活性层各自的尺寸实质上相同，从而从第一发光部至第三发光部分别产生的光能够彼此不干涉，从而颜色再现性优异。附图说明图1a是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图。图1b是将图1a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图1c是用于说明图1a所示的发光元件的一部分的立体图。图1d是用于说明图1a所示的发光元件的变形例的剖视图。图2a至图2c是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的剖视图。图3a是用于说明根据本技术的又一实施例的发光元件的平面图。图3b是将图3a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。图4a至图16a是用于说明制造根据本技术的一实施例的发光元件的方法的平面图。图4b至图16b是将图4a至图16a的发光元件沿A-A'截取的剖视图。具体实施方式为了充分理解本技术的构成及效果，参照附图对本技术的优选实施例进行说明。然而，本技术并不局限于以下公开的实施例，可以实现为多种形态，并且能够进行多样的变更。并且，在本技术的实施例中使用的术语除非被另外定义，否则可以被解释为对相应
中具有通常知识的人员通常已知的含义。以下，参照附图对根据本技术的实施例的发光元件进行详细说明。图1a是用于说明根据本技术的一实施例的发光元件的平面图，图1b是将图1a的发光元件沿A-A'截取的剖视图，图1c是用于说明图1a所示的发光元件的一部分的立体图。并且，图1d是用于说明图1a所示的发光元件的变形例的剖视图。参照图1a至图1d，发光元件可以包括竖直层叠的第一发光部LE1、第一粘结部AC1、第二发光部LE2、第二粘结部AC2及第三发光部LE3。第一发光部LE1可以包括第一n型半导体层102、第一活性层104、第一p型半导体层106及第一透明电极108。第二发光部LE2可以包括第二n型半导体层202、第二活性层204、第二p型半导体层206及第二透明电极208。第三发光部LE3可以包括第三n型半导体层302、第三活性层304、第三p型半导体层306及第三透明电极308。根据一实施例，第一n型半导体层102、第二n型半导体层202及第三n型半导体层302分别可以是掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使所述第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；/n第二发光部，在暴露的所述第一n型半导体层上与所述第一台面结构物隔开，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及/n第一粘结部，将所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间粘结并电连接。/n

【技术特征摘要】
20180817 US 62/764,961;20190809 US 16/536,6271.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使所述第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；
第二发光部，在暴露的所述第一n型半导体层上与所述第一台面结构物隔开，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及
第一粘结部，将所述第一n型半导体层与所述第二n型半导体层之间粘结并电连接。


2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
在所述第二发光部，所述第二活性层、所述第二p型半导体层及所述第二透明电极竖直层叠而形成第二台面结构物，所述第二台面结构物在所述第二n型半导体层上使所述第二n型半导体层的一部分暴露。


3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第三发光部，布置于暴露的所述第二n型半导体层上，并且包括第三n型半导体层、第三活性层、第三p型半导体层及第三透明电极；以及
第二粘结部，在所述第二n型半导体层与所述第三n型半导体层之间，将所述第二发光部与第三发光部之间粘结并电连接。


4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述第二粘结部的厚度大于所述第二活性层的厚度。


5.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述第一台面结构物、所述第二台面结构物及所述第三发光部具有彼此相同的尺寸。


6.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第一垫，与所述第一透明电极电连接；
第二垫，与所述第二透明电极电连接；
第三垫，与所述第三透明电极电连接；以及
公用垫，与所述第一n型半导体层至第三n型半导体层电连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：张钟敏，金彰渊，梁明学，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR