微粗糙电解铜箔及铜箔基板制造技术

本发明专利技术公开一种微粗糙电解铜箔及铜箔基板。微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇。凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，凹槽的平均深度小于或等于1.5微米。微结晶簇位于凸锋顶部。每一个微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成。微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。微粗糙表面与基材之间有良好的接合力，且具有良好的介入损失有表现，能够有效地抑制讯号损耗。

Micro rough electrolytic copper foil and copper foil substrate

【技术实现步骤摘要】
微粗糙电解铜箔及铜箔基板
本专利技术涉及一种铜箔，特别是涉及一种电解铜箔及具有此铜箔的铜箔基板。
技术介绍
随着信息和电子产业的发展，高频高速的讯号传输已成为现代电路设计与制造的一环。电子产品为了能符合高频高速的讯号传输需求，所采用的铜箔基板在高频下需要有良好的介入损失(insertionloss)表现，以防止高频讯号在传递时产生过度的损耗。铜箔基板的介入损失与其表面粗糙度有高度关联。当表面粗糙度降低时，介入损失有较佳的表现，反之则否。但是降低粗糙度的同时，也会导致铜箔与基材间的剥离强度下滑，影响到后端产品的良率。因此，如何将剥离强度维持在业界水平，并提供良好的介入损失表现，已成为本领域所欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种微粗糙电解铜箔。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇。所述凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米。所述微结晶簇位于所述凸锋顶部。每一个所述微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成。所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于2微米。优选地，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于1.3微米。多个所述微结晶构成一分岔状的结晶团。优选地，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.26。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种铜箔基板，其包括一基材以及一微粗糙电解铜箔。所述微粗糙电解铜箔包括一贴附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，所述微结晶簇的平均高度小于或等于2微米。所述铜箔基板于20GHz的介入损失(InsertionLoss)介于0至-1.5db/in。所述微粗糙电解铜箔与所述基材间的剥离强度大于4.3lb/in。优选地，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-1.2db/in。优选地，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.65db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-1.0db/in。优选地，所述铜箔基板于8GHz的介入损失介于0至-0.63db/in，所述铜箔基板于12.89GHz的介入损失介于0至-0.97db/in，所述铜箔基板于16GHz的介入损失介于0至-1.15db/in，所述铜箔基板于20GHz的介入损失介于0至-1.45db/in。优选地，所述微结晶簇的平均最大宽度小于或等于5微米；部份的所述微结晶簇形成有分岔结构；每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于1.8微米；每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米；所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.26。优选地，所述基材在在10GHz频率下的Dk值小于或等于4且在10GHz频率下的Df值小于或等于0.020，更佳地，所述基材11在10GHz频率下的Dk值小于或等于3.8且在10GHz频率下的Df值小于或等于0.015。本专利技术的其中一有益效果在于，微粗糙表面与基材之间有良好的接合力，且有良好的介入损失表现，能够有效地抑制讯号传送时的损耗。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为侧视示意图，说明本专利技术铜箔基板的其中一实施方式。图2为图1的II部分的放大示意图。图3为示意图，说明微粗糙电解铜箔的生产设备。图4为扫描式电子显微镜图，说明实施例1微粗糙电解铜箔的表面形态。图5为扫描式电子显微镜图，说明实施例1微粗糙电解铜箔的截面形态。图6为扫描式电子显微镜图，说明比较例3的铜箔表面形态。图7为扫描式电子显微镜图，说明比较例3的铜箔截面形态。具体实施方式以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“微粗糙电解铜箔及铜箔基板”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。参阅图1，本专利技术铜箔基板1，包括一基材11以及二片微粗糙电解铜箔12。微粗糙电解铜箔12分别贴合在基材11的两相反侧。值得一提的是，铜箔基板1也可以仅包括一片微粗糙电解铜箔12。基材11较佳是具有低Dk值及低Df值，以抑制介入损失(insertionloss)。较佳地，所述基材11在10GHz频率下的Dk值小于或等于4且在10GHz频率下的Df值小于或等于0.020，更佳地，所述基材11在10GHz频率下的Dk值小于或等于3.8且在10GHz频率下的Df值小于或等于0.015。基材11可采用预浸片含浸合成树脂再固化而成的复合材料。预浸片可例举如：酚醛棉纸、棉纸、树脂制纤维布、树脂制纤维不织布、玻璃板、玻璃织布，或玻璃不织布。合成树脂可例举如：环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚苯醚树脂，或酚树脂。合成树脂层可以是单层或多层，并没有一定的限制。基材11可选自但不限于EM891、IT958G、IT150DA、S7439G、MEGTRON4、MEGTRON6，或MEGTRON7。参阅图1及图2，微粗糙电解铜箔12是对铜箔表面以电解法进行粗糙化处理而得。电解法粗糙化处理可对铜箔的任一表面进行处理，因此，微粗糙电解铜箔12具有位于至少一侧的微粗糙表面121。在本专利技术的其中一实施方式中，是取反转铜箔(ReverseTreatedcopperFoil，RTF)作为生箔，而后对其光泽面进一步执行粗糙化处理而获得微粗糙电解铜箔12。微粗糙表面121用来贴附在基材11，其包括多个凸锋122、多个凹槽123以及多个微结晶簇124。两个相邻的凸锋122界定出一个凹槽123。凹槽123具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，凹槽123的平均深度小于或等于1.5微米，较佳是小于或等于1.3微米，更佳是小于或等于1微米。凹槽123的平均宽度介于0.1至4微米。微结晶簇124的平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇，所述凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，每一个所述微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成；/n其中，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。/n

【技术特征摘要】
1.一种微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇，所述凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，每一个所述微结晶簇由多个平均直径小于或等于0.5微米的微结晶堆栈构成；
其中，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.3。


2.根据权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇由多个微结晶堆栈构成，所述微结晶的平均直径小于或等于0.5微米，每一个所述微结晶簇的平均高度小于或等于2微米。


3.根据权利要求2所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，每一个所述微结晶簇沿其自身高度方向的所述微结晶平均堆栈数量是15个以下；所述微结晶簇的平均最大宽度小于或等于5微米；多个的所述微结晶簇构成一分岔状的结晶团。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的微粗糙电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙电解铜箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.26。


5.一种铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板包括：
一基材；以及
一微粗糙电解铜箔，其包括一贴附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇，所述凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，所述凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，所述凹槽的平均深度小于或等于1.5微米，所述微结晶簇位于所述凸锋顶部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋云兴，高羣祐，吴宗宪，
申请(专利权)人：金居开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71