具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板制造技术

本发明专利技术公开一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板。进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，微粗糙化处理面具有多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，其呈非均匀性分布并构成一长岛状图案。因此，本发明专利技术的进阶反转电解铜箔与一树脂基复合材料之间具有良好的结合力，且能够提高信号完整性以及减少信号的传输损耗，满足5G应用的需求。

【技术实现步骤摘要】
具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板
本专利技术涉及一种电解铜箔，特别是涉及一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，以及应用其的铜箔基板。
技术介绍
随着信息和电子产业的发展，高频高速信号传输已成为现代电路设计和制造的一环。为了符合电子产品对于高频高速信号传输的需求，铜箔基板(coppercladlaminates,CCL)需要防止高频信号在传递时产生过度的插入损耗(insertionloss)，以具有良好的信号完整性(signalintegrity,SI)。其中，铜箔基板中的铜箔的插入损耗表现与其表面处理面的粗糙度具有高度关联，原因在于高频高速信号传输时将产生集肤效应(Skineffect)：导体内部的电流分布不均匀的一种现象。随着与导体表面的距离逐渐增加，导体内的电流密度呈指数递减，即导体内的电流会集中在导体的表面，因此导体表面处理面的表面积愈小愈有利于高频高速信号传输；然而，表面积愈大愈有利于剥离强度，这与信号完整性是相冲突的，进一步而言，在铜箔的表面形貌越平坦，其信号完整性越好，而铜箔的表面积愈大，其剥离强度越好。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；/n其中，不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；/n其中，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域以及至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域以及至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 62/863,8271.一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；
其中，不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；
其中，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域以及至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域以及至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构。


2.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述第一平滑区域与所述第二平滑区域内都不存在所述铜结晶。


3.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或所述铜晶须。


4.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。


5.如权利要求4所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。


6.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面还具有至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。


7.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度(Rzjis94)小于2.1微米。


8.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰以及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。


9.如权利要求1所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋云兴，李思贤，许纮玮，高羣祐，
申请(专利权)人：金居开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71