具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板制造技术

本发明专利技术公开一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板。进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，微粗糙化处理面具有多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，其呈非均匀性分布并构成一长岛状图案。因此，本发明专利技术的进阶反转电解铜箔与一树脂基复合材料之间具有良好的结合力，且能够提高信号完整性以及减少信号的传输损耗，满足5G应用的需求。

【技术实现步骤摘要】
具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板
本专利技术涉及一种电解铜箔，特别是涉及一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，以及应用其的铜箔基板。
技术介绍
随着信息和电子产业的发展，高频高速信号传输已成为现代电路设计和制造的一环。为了符合电子产品对于高频高速信号传输的需求，铜箔基板(coppercladlaminates,CCL)需要防止高频信号在传递时产生过度的插入损耗(insertionloss)，以具有良好的信号完整性(signalintegrity,SI)。其中，铜箔基板中的铜箔的插入损耗表现与其表面处理面的粗糙度具有高度关联，原因在于高频高速信号传输时将产生集肤效应(Skineffect)：导体内部的电流分布不均匀的一种现象。随着与导体表面的距离逐渐增加，导体内的电流密度呈指数递减，即导体内的电流会集中在导体的表面，因此导体表面处理面的表面积愈小愈有利于高频高速信号传输；然而，表面积愈大愈有利于剥离强度，这与信号完整性是相冲突的，进一步而言，在铜箔的表面形貌越平坦，其信号完整性越好，而铜箔的表面积愈大，其剥离强度越好。因此，本
亟待研究出可以同时兼顾信号完整性以及剥离强度的铜箔基板。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其可以应用于高频高速的5G领域，并且可以保持目标应用所需要的特性，例如保持电解铜箔的剥离强度(peelstrength)。本专利技术还提供一种使用此进阶反转电解铜箔的铜箔基板，可作为高频高速基板。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其包括一微粗糙化处理面。所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶，其中不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，且不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团。在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有以下结构特征：(1)至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域；(2)至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域；(3)至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构，且所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或铜晶须；以及(4)至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是提供一种铜箔基板，其包括一基板以及一进阶反转电解铜箔，所述进阶反转电解铜箔设置于所述基板上，且具有一微粗糙化处理面接合于所述基板的一表面。所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶，其中不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，且不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团。在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有以下结构特征：(1)至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域；(2)至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域；(3)至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构，且所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或铜晶须；以及(4)至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。在本专利技术的一实施例中，所述第一平滑区域与所述第二平滑区域内都不存在所述铜结晶。在本专利技术的一实施例中，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。在本专利技术的一实施例中，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。在本专利技术的一实施例中，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度(Rzjis94)小于2.1微米。在本专利技术的一实施例中，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰以及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。在本专利技术的一实施例中，每一个所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术的进阶反转铜箔，其能通过“微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶，而具有至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域、至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域以及至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构，且所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或铜晶须”的技术手段，以在不损害剥离强度的前提下减少插入损耗(insertionloss)，提高信号完整性，以适应信号传输的高频、高速化，满足5G应用的需求。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术的铜箔基板的结构示意图。图2为图1的II部分的放大示意图。图3为图2的III部分的放大示意图。图4为用于生产本专利技术的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔的连续式电解设备的结构示意图。图5为以放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，其显示本专利技术的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔的表面形貌。图6为以放大倍率3000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，其显示本专利技术的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔的表面形貌。图7为以放大倍率10000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，其显示本专利技术的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔的表面形貌。图8为扫描式电子显微镜图影像，其显示现有的RTF-3铜箔的表面形貌。图9为扫描式电子显微镜图影像，其显示现有的MLS-G铜箔的表面形貌。其中，附图标记说明如下：C：铜箔基板1：基板2：进阶电解铜箔20：微粗糙化处理面20a：第一平滑区域20b：第二平滑区域20c：长岛状微结构20d：线条状无铜区域21：铜结晶211：顶部铜结晶W：铜晶须G：铜结晶团22：凸峰23：凹槽3：连续式电解设备31：送料辊32：收料辊33：电解槽331：电极34：电解辊组35：辅助辊组具体实施方式以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。参阅图1至图3所示，本专利技术提供一种铜箔基板C，其包括一基板1以及至少一设置于基板1上的进阶反转电解铜箔2。在本实施例中，进阶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；/n其中，不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；/n其中，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域以及至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域以及至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 62/863,8271.一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；
其中，不同数量的所述铜结晶堆叠在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；
其中，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述微粗糙化处理面具有至少十个长为250nm且宽为250nm的第一平滑区域以及至少一个长为500nm且宽为500nm的第二平滑区域以及至少一个长为1,500nm以上的长岛状微结构。


2.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述第一平滑区域与所述第二平滑区域内都不存在所述铜结晶。


3.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，在扫描式电子显微镜以35度倾斜角与10,000倍放大倍率的观察下，所述长岛状微结构中有至少三个所述铜结晶及/或所述铜晶须。


4.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。


5.如权利要求4所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。


6.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面还具有至少两个长为1,000nm以上的线条状无铜区域。


7.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度(Rzjis94)小于2.1微米。


8.如权利要求1所述的具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰以及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。


9.如权利要求1所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋云兴，李思贤，许纮玮，高羣祐，
申请(专利权)人：金居开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71