本发明提供一种微粗糙电解铜箔，其包含一微粗糙面及多个铜瘤，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，在面积为120μm2的微粗糙面中，无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区的面积大于或等于62500nm2，各排列铜瘤区的长度为300nm...

本发明公开一种具有长岛状微结构的进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板。进阶反转电解铜箔包括一微粗糙化处理面，微粗糙化处理面具有多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，其呈非均匀性分布并构成一长岛状图案。因此，本发明的进阶反转电解铜箔与一树...

本发明提供一种微粗糙电解铜箔，其包含一微粗糙面及多个铜瘤，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，在面积为120μm

本发明公开一种进阶反转电解铜箔及应用其的铜箔基板，其中进阶反转电解铜箔具有一不平整的微粗糙化处理面，且微粗糙化处理面具有由铜结晶所构成的多个生产方向条纹。因此，本发明的进阶反转电解铜箔与树脂基复合材料之间具有良好的结合力，且能够提高信号...

本发明公开一种进阶反转电解铜箔及其铜箔基板，其中进阶反转电解铜箔具有一不平整的微粗糙化处理面。微粗糙化处理面具有呈非均匀性分布的多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，它们构成了一非均匀分布的垂流状条纹图案。因此，本发明的进阶反转电解铜...

本发明公开一种经微细粗糙化处理的电解铜箔以及使用其的覆铜基板。电解铜箔具有一微粗糙表面，且微粗糙表面具有多个山形结构以及多个相对于山形结构的凹陷结构。其中依据国际标准ISO25178所测定多个所述山形结构的算术平均高度(Sa)与顶点密度...

本发明公开一种微粗糙电解铜箔及铜箔基板。微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多个凸锋、多个凹槽以及多个微结晶簇。凹槽具有U形剖面轮廓及/或V形剖面轮廓，凹槽的平均宽度介于0.1至4微米，凹槽的平均深度小于或等于1.5微米。微结...

本发明公开一种微粗糙电解铜箔及铜箔基板。微粗糙电解铜箔包括一微粗糙表面。微粗糙表面具有多个凸锋、多个V型凹槽以及多个微结晶簇。两个相邻的所述凸锋界定出一个V型凹槽。V型凹槽的平均深度小于1微米。微结晶簇位于所述凸锋顶部。微结晶簇的平均高...

本发明公开一种电解铜箔的生产设备及其电流调整控制装置。电解铜箔的生产设备包括电解槽、电极组件、电解滚筒以及电流调整控制装置，电极组件沿电解槽的槽壁设置，电解滚筒设置于电解槽上，且电解滚筒与电极组件之间具有电解液流道，电流调整控制装置设置...

本实用新型公开一种电解铜箔的生产设备及其电流调整控制装置。电解铜箔的生产设备包括电解槽、电极组件、电解滚筒以及电流调整控制装置，电极组件沿电解槽的槽壁设置，电解滚筒设置于电解槽上，且电解滚筒与电极组件之间具有电解液流道，电流调整控制装置...