本发明专利技术提供一种微粗糙电解铜箔，其包含一微粗糙面及多个铜瘤，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，在面积为120μm2的微粗糙面中，无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区的面积大于或等于62500nm2，各排列铜瘤区的长度为300nm至2,500nm，各排列铜瘤区中铜瘤的平均宽度为10nm至300nm，各排列铜瘤区中铜瘤的数量为3至50个。另外，本发明专利技术的微粗糙电解铜箔的Rlr值为1.05至1.60或Sdr为0.01至0.08。经由控制微粗糙电解铜箔的表面形貌及/或表面特性，能减少电子行走的路程，以达到减轻铜箔基板上在高频传输下因铜箔产生的介入损失程度，同时符合业界期望的剥离强度。同时符合业界期望的剥离强度。同时符合业界期望的剥离强度。
【技术实现步骤摘要】
微粗糙电解铜箔以及铜箔基板
[0001]本专利技术是申请号为202010552237.6、申请日为2020年6月17日、专利技术名称为微粗糙电解铜箔以及铜箔基板的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术关于一种铜箔，尤指一种电解铜箔及包含其的铜箔基板。
技术介绍
[0003]随着电子、信息产业的蓬勃发展，高频高速的讯号传输已成为各界积极研究与发展的目标。电子产品为了能符合高速讯号传输需求，首先面临的技术课题就是电子产品上高频传输时会发生明显的讯号传输损失(signal transmission loss)的问题。
[0004]为了降低讯号传输损失或者尽可能地抑制讯号衰减的程度，现有技术可藉由电路技术的补偿方法或者透过选择合适的导体材料及/或介电材料，尽可能地抑制或减轻电子产品在高频传输下发生介入损失(insertion loss)的程度，以尝试微小化电子产品在高频传输下产生的损耗。
[0005]以往透过选择合适的导体材料及/或介电材料虽能降低电子产品在高频传输下发生介入损失的程度，但却会弱化铜箔基板(copper clad laminate，CCL)中铜箔与树脂基材之间的剥离强度(peel strength)，致使铜箔基板在后续加工或应用工艺中容易发生铜箔与树脂基材脱落的问题，甚而影响后端产品的良率。
[0006]因此，如何将铜箔与树脂基材之间的剥离强度维持在业界可接受的标准，同时尽可能地抑制或减轻电子产品在高频传输下发生介入损失的程度，俨然已成为学界与业界积极研究的技术课题。
技术实现思路
[0007]有鉴于此，本专利技术其中一目的在于维持铜箔与树脂基材之间具有业界可接受的剥离强度的前提下，尽可能地抑制或减轻电子产品在高频传输下发生介入损失的程度。
[0008]为达成前述目的，本专利技术提供一种微粗糙电解铜箔，其包含：一微粗糙面，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，一部分的无铜瘤区分布于所述多个排列铜瘤区之间；多个铜瘤，所述多个铜瘤是形成在该微粗糙面上且位于所述多个排列铜瘤区中，所述多个铜瘤不位于所述多个无铜瘤区中，且各排列铜瘤区中的所述多个铜瘤沿着一方向排列形成在该微粗糙面上；其中，在面积为120μm2的微粗糙面中，所述多个无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区的面积大于或等于62500nm2，各排列铜瘤区的长度为300nm至2,500nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至300nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3至50个。
[0009]本专利技术控制微粗糙电解铜箔的表面形貌，能使此种微粗糙电解铜箔与树脂基材贴合时不仅能获得业界期望的剥离强度，更能抑制或减轻铜箔基板上高频传输下发生介入损失的程度，进而提升此种微粗糙电解铜箔应用于电子产品的高频讯号传输效能。
[0010]于本说明书中，所述“微粗糙面的面积为120μm
2”是指微粗糙电解铜箔中特定区域的微粗糙面的面积尺寸，并非意指微粗糙面的实际面积尺寸。举例来说，以扫描式电子显微镜在放大倍率为10,000倍下观察微粗糙电解铜箔的微粗糙面，所拍摄得到的扫描式电子显微镜照片所对应的面积尺寸约为12.7μm
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9.46μm，近似于120μm2。本说明书记载“在面积为120μm2的微粗糙面中，所述无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区的面积大于或等于62500nm
2”的结构特征意指特定范围下的微粗糙面中特定面积尺寸的无铜瘤区的数量。
[0011]应理解的是，前述多个无铜瘤区的面积尺寸只要符合大于或等于62500nm2即可，并无特别限定前述多个无铜瘤区的面积须为相同的面积尺寸；也就是说，所述多个无铜瘤区的面积尺寸可选择性地相同或不同，举例来说，其中一部分的无铜瘤区的面积尺寸可等于62500nm2，另一部分的无铜瘤区的面积尺寸可大于62500nm2。于其中一实施方案中，无铜瘤区的面积可为250nm
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250nm，但并非仅限于此。
[0012]本领域技术人员可以理解的是，在面积为120μm2的微粗糙面中，前述面积大于或等于62500nm2的所述多个无铜瘤区的数量可为5个以上(包含5个)；较佳地，面积大于或等于62500nm2的所述多个无铜瘤区的数量可为5个至100个以上、10个至100个以上，甚至更多。
[0013]于其中一实施方案中，各无铜瘤区的面积可为大于或等于250nm
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250nm，即，各无铜瘤区可为大致上呈正方形的区域。于另一实施方案中，各无铜瘤区的面积也可为大于或等于500nm
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250nm，即，各无铜瘤区可为大致上呈长方形的区域。在面积为120μm2的微粗糙面中，面积大于或等于500nm
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250nm的所述多个无铜瘤区的数量可为10个至50个。于又一实施方案中，一部分无铜瘤区的面积可为大于或等于250nm
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250nm，另一部分无铜瘤区的面积可为大于或等于500nm
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250nm。
[0014]依据本专利技术，各排列铜瘤区中的所述多个铜瘤是沿着一方向排列形成在该微粗糙面上。具体来说，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤可沿着所述方向以选择性并列的方式形成在该微粗糙面上。也就是说，于其中一实施方案中，当各排列铜瘤区中所述多个铜瘤沿着所述方向以并列的方式形成在该微粗糙面上，所述多个铜瘤是沿着所述方向以相互紧邻的方式排列形成在该微粗糙面上；而于另一实施方案中，当各排列铜瘤区中所述多个铜瘤沿着所述方向不以并列的方式形成在该微粗糙面上，所述多个铜瘤是沿着所述方向以相互间隔的方式排列形成在该微粗糙面上。于某些实施方案中，一部分的排列铜瘤区中所述多个铜瘤可沿着所述方向以并列的方式形成在该微粗糙面上，另一部分的排列铜瘤区中所述多个铜瘤可沿着所述方向不以并列的方式形成在该微粗糙面上。于某些实施方案中，一排列铜瘤区中一部份的铜瘤可沿着所述方向以并列的方式形成在该微粗糙面上，所述排列铜瘤区中另一部份的铜瘤可沿着所述方向不以并列的方式形成在该微粗糙面上。
[0015]于本说明书中，所述排列铜瘤区的长度为该区域中多个尺寸不均一或不均一的铜瘤的宽度的总合，各排列铜瘤区的长度可为300nm至2,500nm，进一步为500nm至2,500nm。
[0016]于其中一实施方案中，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度可为10nm至100nm、100nm至150nm或150nm至280nm。较佳的，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至200nm。更佳的，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为50nm至200nm。
[0017]于其中一实施方案中，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量可为3个至6个、7个至15个、或16个至50个。较佳的，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3个至10个。
[0018]依据本专利技术，该微粗糙电解铜箔的粗糙度(Rz，由JIS94方法量测)可为3.0微米(μm)以下、2.0μm以下、1.5μm以下、1.2μm以下、1.0μm以下、0.本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微粗糙电解铜箔，其包含一微粗糙面，该微粗糙面的Rlr值为1.05至1.60，该微粗糙面的Sdr为0.01至0.08。2.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Rlr值为1.10至1.30，该微粗糙面的Sdr为0.010至0.023。3.一种铜箔基板，其包含如权利要求1或2所述的微粗糙电解铜箔及一基材，该基材与微粗糙电解铜箔压合。4.如权利要求3所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于4GHz的介入损失为
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0.26dB/in至
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0.32dB/in。5.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋云兴，李思贤，许纮玮，高羣祐，
申请(专利权)人：金居开发股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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