一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板，PCB板上设置有过孔以及走线，走线上设置有过孔连接走线，走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接，过孔连接走线的宽度为走线的宽度的85%‑95%，过孔连接走线的长度为过孔的长度的150%‑250%。本实用新型专利技术结构简单，在不增加背钻成本的情况下，通过改变走线的宽度以及长度，来有效的提高信号质量，成本低，信号质量高。

A PCB via structure for improving the signal quality of DDR memory module

【技术实现步骤摘要】
一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构
本技术涉及电路板
，具体的说是涉及一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构。
技术介绍
印制电路板（PrintedCircuitBoard，PCB板）又称印刷电路板，印刷线路板，是电子产品的物理支撑以及信号传输的重要组成部分，而过孔的作用是进行信号在不同层的连接。在PCB设计领域中，DDR的设计占了绝大部分。其中DDR（DoubleDataRateSDRAM）称为双倍速率同步动态随机存储器。现在DDR内存条的应用非常广泛，由于DDR控制器现在需要带的内存条的数量越来越多，运行的速率也越来越高，导致信号质量会急剧的下降，导致我们PCB设计的难度越来越大，其中最大的难点在于内存条连接器的过孔，由于孔径比较大，而且不可能进行背钻处理，所以过孔的阻抗一般会低于走线的50欧姆，因此会有一个阻抗不匹配的地方，从而影响信号质量。由于内存条连接器需要通过过孔和主板连接，过孔的孔径一般达到了0.4到0.5mm，而且由于没空间进行例如反焊盘的挖空，另外由于需要插内存条也不能进行背钻处理，背钻的话就会把过孔钻掉，无法插条子。在这种情况下过孔的阻抗肯定会低于50欧姆，这样的话，走线（低于50欧姆）和过孔的阻抗就会不匹配，导致信号质量的恶化。因此如何能在不增加加工成本的情况下提高信号裕量成为业界急需解决的问题。上述缺陷，值得改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足,本技术提供一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,本技术技术方案如下所述：一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构，包括PCB板，所述PCB板上设置有过孔以及走线，所述走线上设置有过孔连接走线，所述走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接，所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的85%-95%，所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的150%-250%。进一步的，所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的90%，所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的200%。进一步的，所述走线的宽度为5mil，所述过孔的长度为80mil，所述过孔连接走线的宽度为4.5mil，所述过孔走线的长度为160mil。根据上述方案的本技术，其有益效果在于，本技术结构简单，在不增加背钻成本的情况下，通过改变走线的宽度以及长度，来有效的提高信号质量，成本低，信号质量高。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术中走线与过孔连接走线的宽度示意图。图3为本技术中过孔连接走线的长度示意图。在图中，1、走线；2、过孔连接走线；3、过孔；W1、走线的宽度；W2、过孔连接走线的宽度；L2、过孔连接走线的长度；L3、过孔的长度。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：如图1-3所示，一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构，包括PCB板，PCB板上设置有过孔3以及走线1，走线1上设置有过孔连接走线2，走线1通过过孔连接走线2与过孔3连接，过孔连接走线的宽度W2为走线的宽度W1的85%-95%，过孔连接走线的长度L2为过孔的长度L3的150%-250%。优选的，在某一具体实施例中，过孔连接走线的宽度W2为走线的宽度W1的90%，过孔连接走线的长度L2为过孔的长度L3的200%。优选的，在某一具体实施例中，走线的宽度W1为5mil，过孔的长度L3为80mil；过孔连接走线的宽度W2为4.5mil，过孔走线的长度L2为160mil。其中走线1为正常50欧姆走线，当过孔连接走线2变窄，过孔连接走线2的阻抗增大，从而能起到拉高后面过孔3阻抗的作用。本技术结构简单，在不增加背钻成本的情况下，通过改变走线的宽度以及长度，来有效的提高信号质量，成本低，信号质量高。本技术具体实施例：本技术在整体走线50欧姆的情况下，在进入连接器过孔的前面一段，也就是过孔连接走线，把过孔连接走线的线宽缩小5%-15%，提高这一段的走线的阻抗，从而能起到拉高后面过孔阻抗的目的，同时过孔连接走线这一段需要改变走线长度，具体为过孔长度的150%-250%，优选的，过孔连接走线的线宽为走线的90%，过孔连接走线的长度为过孔长度的200%。在50欧姆走线中，其正常50欧姆走线的线宽为5mil，过孔长度为80mil，本技术通过在正常50欧姆走线于过孔之间设置有过孔连接走线，过孔连接走线的线宽为4.5mil，过孔连接走线的长度为160mil。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板，所述PCB板上设置有过孔以及走线，其特征在于，所述走线上设置有过孔连接走线，所述走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接，/n所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的85%-95%，所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的150%-250%。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板，所述PCB板上设置有过孔以及走线，其特征在于，所述走线上设置有过孔连接走线，所述走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接，
所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的85%-95%，所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的150%-250%。


2.根据权利要求1所述的提高DDR内...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄刚，吴均，
申请(专利权)人：深圳市一博科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44