一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型专利技术取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。

An inner lead MOSFET layout structure and MOSFET chip

【技术实现步骤摘要】
一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片
本技术属于半导体
，具体涉及一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片。
技术介绍
随着6英寸分立器件芯片生产线在全国遍地开花，产品要在市场上取得竞争优势，除了提高产品成品率和可靠性之外，必须进一步缩小芯片尺寸，适应电子装置小型化要求，同时提高产品单片晶圆上的芯片颗粒数。对于小电流的MOSFET器件，由于版图结构中有源区四周栅极引线占用的面积比较大，要将芯片尺寸做到最小，常规的结构已经无法满足要求。本技术专利设计的结构，在不影响器件电学参数的情况下，可以有效减小芯片面积，提高产品单片晶圆上的芯片颗粒数。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，在不影响器件电学参数的情况下，可以有效减小芯片面积，增加硅片上单芯片的数目。本技术采用以下技术方案：一种内引线MOSFET版图结构，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内引线MOSFET版图结构，其特征在于，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端(1)，结终端(1)的内部设置有元胞区(5)，元胞区(5)内设置有栅Pad(3)和源pad(6)，栅Pad(3)与栅极引线(2)连接，栅极引线(2)与栅Pad(3)连接形成U型区域，在U型区域内设置有cell区(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种内引线MOSFET版图结构，其特征在于，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端(1)，结终端(1)的内部设置有元胞区(5)，元胞区(5)内设置有栅Pad(3)和源pad(6)，栅Pad(3)与栅极引线(2)连接，栅极引线(2)与栅Pad(3)连接形成U型区域，在U型区域内设置有cell区(4)。


2.根据权利要求1所述的内引线MOSFET版图结构，其特征在于，源pad(6)设置在U型区域的开...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁文华，习毓，陈骞，周新棋，智晶，田欢，
申请(专利权)人：西安卫光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61