包括PN结二极管的半导体装置制造方法及图纸

一种包括pn结二极管的半导体装置及其制造方法。所述装置包括具有第一导电类型的半导体衬底。所述装置还包括定位在所述衬底中的埋入式氧化物层。所述装置另外包括具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结。所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上正交地延伸。所述装置还包括场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。

【技术实现步骤摘要】
包括PN结二极管的半导体装置
本说明书涉及包括pn结二极管的半导体装置和制造包括pn结二极管的半导体装置的方法。
技术介绍
在先进的全耗尽绝缘层上硅(FDSOI)技术中，虽然大多数有源装置(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))建立在绝缘体是埋入式氧化物层的SOI区域上，但具有高电流和高电压的有源装置(例如，横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)、PN结二极管)构建在非SOI区域上(即，在已经移除了氧化物层的可以被称为混合(HYBRID)区域的常规体衬底上)。反向偏置结击穿电压是这些装置的关键品质因数(FoM)之一。图1示出了pn结二极管10的例子。二极管包括半导体衬底2，所述半导体衬底2可以是p型衬底。n阱4定位在衬底2上。p型(P+)区域14形成二极管10的第一电极(阴极)。二极管10的另一个电极(阳极)由n型区域12形成。电极12、14由隔离区域6分离。在图1所示种类的装置中，pn结定位在p型区域14的下侧与n阱4之间的界面处。因此，这种装置中出现最高电场的点(以及因此发生击穿的点——在图1中以2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n具有第一导电类型的半导体衬底；/n定位在所述衬底中的埋入式氧化物层；/n具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结，其中所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上正交地延伸；以及/n场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。/n

【技术特征摘要】
20181001 US 16/148,2851.一种半导体装置，其特征在于，包括：
具有第一导电类型的半导体衬底；
定位在所述衬底中的埋入式氧化物层；
具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结，其中所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上正交地延伸；以及
场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，与具有所述第二导电类型的所述半导体区域形成所述pn结的具有所述第一导电类型的所述半导体区域包括掺杂半导体区域，所述掺杂半导体区域比所述衬底更高地掺杂并且定位在所述埋入式氧化物层正下方。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括具有所述第一导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层正下方定位在所述衬底中并且与所述pn结横向间隔开，其中所述半导体区域比所述衬底更高地掺杂。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的定位在所述埋入式氧化物层正下方的一部分比在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的其余部分更高地掺杂。


5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，形成所述场板电极的所述半导体区域具有所述第二导电类型。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：维特·桑·迪恩，马里纳·弗劳贝尔，保罗·亚历山大·格鲁多斯基，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL