温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设...
该专利属于西安卫光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安卫光科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。