半导体装置制造方法及图纸

本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构堆叠在第一通道结构上。第一晶体管还包括第一栅极结构，以位于第一通道结构与第二通道结构之间的第一金属盖，绕着第一通道结构与第二通道结构。第一金属盖的功函数异于第一栅极结构的其他部分的功函数。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及半导体装置及其形成方法。
技术介绍
关于可支持愈来愈复杂且精密的更大量功能的更小且更快的电子装置，电子工业对其的需求已历经高度成长。因此，在半导体工业中，一直以来的趋势是制造低成本、高功能且低耗能的集成电路(integratedcircuits；ICs)。到目前为止，通过缩小半导体集成电路的尺寸(例如：最小特征部件尺寸)而已经实现这些目标的大部分，并借此改善制造效率及降低相关成本。然而，这样的缩减亦引发半导体制造流程的复杂度的增加。因此，在半导体集成电路方面的持续进步的实现，需要在半导体制造流程与技术上的对应的进步。近来，为了通过增加栅极通道耦合(gatechannelcoupling)、减少关闭状态电流(OFF-statecurrent)及减少短通道效应(short-channeleffects；SCEs)来改善对栅极的控制，已努力引入多栅极晶体管(multi-gatetransistors)。这样的多栅极晶体管的一种为全环绕式栅极(gate-allaround；GAA)晶体管。在一些例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一晶体管，形成在该半导体装置的一第一区，该第一晶体管包括一第一通道结构、一第二通道结构与一第一栅极结构；其中：/n该第一通道结构在该第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸；/n在该半导体装置的一基板上方的一垂直方向，该第二通道结构堆叠在该第一通道结构上；以及/n该第一栅极结构以位于该第一通道结构与该第二通道结构之间的一第一金属盖，绕着该第一通道结构与该第二通道结构，该第一金属盖的功函数异于该第一栅极结构的其他部分的功函数。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 16/147,0271.一种半导体装置，包括：
一第一晶体管，形成在该半导体装置的一第一区，该第一晶体管包括一第一通道结构、一第二通道结构与一第一栅极结构；其中：
该第一通道结构在该第一晶体管的源极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，朱熙甯，蔡庆威，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71