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本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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