【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
由于易失性存储芯片(如DRAM)的读取速度更快，而非易失性存储芯片(如NANDflash)具备掉电不丢失数据的优点，因此，多数现代数据处理系统需要同时包含易失性存储芯片和非易失性存储芯片，以利用其各自的优点。由于易失性存储芯片和非易失性存储芯片的结构不同，通常采用不同工艺制程制造，各自形成独立的芯片。当数据处理系统同时包含易失性存储芯片以及非易失性存储芯片时，两种存储芯片通常独立存在，相互之间通过传输线连接，以进行数据传输。这种情形下的缺点是易失性存储芯片和非易失性存储芯片之间传输路径长，并且芯片接口以及传输线存在带宽限制，数据交互速度受限，且整体尺寸偏大，较难适应需高度集成化的应用场合。因此，如何提高易失性存储芯片以及非易失性存储芯片之间的数据传输速度，提高集成度，是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种半导体存储装置，以提高半导体存储装置的集成度及数据传输速度。为了...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：/n第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列和外围电路，所述外围电路包括第一电路、至少部分第二电路以及共用电路；/n第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；/n所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路；/n所述第二存储芯片的正面堆叠于所述第一存储芯片表面，所述第二存储芯片的正面形成有第二导电凸块，通过所述第二导电凸块与所述第一存储芯片之间形成电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列和外围电路，所述外围电路包括第一电路、至少部分第二电路以及共用电路；
第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；
所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路；
所述第二存储芯片的正面堆叠于所述第一存储芯片表面，所述第二存储芯片的正面形成有第二导电凸块，通过所述第二导电凸块与所述第一存储芯片之间形成电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二存储芯片的正面朝向所述第一存储芯片的正面；所述第一存储芯片的正面形成有第一导电凸块，所述第一导电凸块与所述第二导电凸块形成电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第二存储芯片的正面朝向所述第一存储芯片的正面；所述第一存储芯片的正面形成有焊垫，所述第一存储芯片内形成有贯穿所述第一存储芯片的导电柱，所述焊垫和所述导电柱上形成有第一导电凸块；所述第二存储芯片正面的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱一明，平尔萱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。