包括层叠的半导体晶片的层叠封装制造技术

技术编号:23607215 阅读:32 留言:0更新日期:2020-03-28 07:43
包括层叠的半导体晶片的层叠封装。一种层叠封装包括:第一半导体晶片;第二半导体晶片,该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上;以及第三半导体晶片,该第三半导体晶片被设置在所述提升支撑件上。所述第三半导体晶片与所述第二半导体晶片在竖直方向部分地交叠。

Stack packaging of semiconductor chips including stack

【技术实现步骤摘要】
包括层叠的半导体晶片的层叠封装
本公开涉及半导体封装技术,并且更具体地,涉及包括层叠的半导体晶片的层叠封装。
技术介绍
已经在各种电子系统中采用了半导体器件。可以处理半导体器件以提供半导体晶片,并且可以封装半导体晶片以提供在电子系统中采用的半导体封装。半导体晶片中的每一个可以包括用于存储或处理数据的集成电路,并且可以由模制层保护以提供半导体封装。随着诸如紧凑型移动系统这样的较小的电子系统的发展,对高度集成的存储装置的需求不断增加。因此,在移动系统中采用的半导体封装已经被开发成在紧凑尺寸的情况下增加它们的容量。
技术实现思路
根据一实施方式,一种层叠封装可以包括:第一半导体晶片,该第一半导体晶片被设置在封装基板上;第二半导体晶片,该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上;提升支撑件(liftingsupporter),该提升支撑件与所述第二半导体晶片横向间隔开地设置在所述封装基板上;第三半导体晶片,该第三半导体晶片被设置在所述提升支撑件上,所述第三半导体晶片与所述第二半导体晶片在竖直方向部分地交叠;以及第四半导体晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠封装,该层叠封装包括:/n第一半导体晶片,该第一半导体晶片被设置在封装基板上;/n第二半导体晶片,该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上;/n提升支撑件,该提升支撑件与所述第二半导体晶片横向间隔开地设置在所述封装基板上;/n第三半导体晶片,该第三半导体晶片被设置在所述第二半导体晶片和所述提升支撑件二者上;以及/n第四半导体晶片,该第四半导体晶片被层叠在所述第三半导体晶片上。/n

【技术特征摘要】
20180919 KR 10-2018-01124101.一种层叠封装,该层叠封装包括:
第一半导体晶片,该第一半导体晶片被设置在封装基板上;
第二半导体晶片,该第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上;
提升支撑件,该提升支撑件与所述第二半导体晶片横向间隔开地设置在所述封装基板上;
第三半导体晶片,该第三半导体晶片被设置在所述第二半导体晶片和所述提升支撑件二者上;以及
第四半导体晶片,该第四半导体晶片被层叠在所述第三半导体晶片上。


2.根据权利要求1所述的层叠封装,其中,所述封装基板包括:
第一基板边缘区域和第二基板边缘区域,该第一基板边缘区域和该第二基板边缘区域彼此相对;
第一触点和第四触点,所述第一触点和所述第四触点被设置在所述第一基板边缘区域上;以及
第二触点和第三触点,所述第二触点和所述第三触点被设置在所述第二基板边缘区域上。


3.根据权利要求2所述的层叠封装,其中,所述第一半导体晶片被设置在所述第一基板边缘区域和所述第二基板边缘区域之间的区域上。


4.根据权利要求2所述的层叠封装,其中,所述第一半导体晶片包括:
所述第一半导体晶片的第一边缘区域,所述第一半导体晶片的第一边缘区域与所述第一触点相邻;以及
第一接合焊盘,所述第一接合焊盘被设置在所述第一半导体晶片的第一边缘区域上。


5.根据权利要求4所述的层叠封装,其中,所述第二半导体晶片包括:
所述第二半导体晶片的第一边缘区域,所述第二半导体晶片的第一边缘区域与所述第二触点相邻;以及
第二接合焊盘,所述第二接合焊盘被设置在所述第二半导体晶片的第一边缘区域上。


6.根据权利要求5所述的层叠封装,其中,所述第二半导体晶片被层叠在所述第一半导体晶片上,使得所述第一半导体晶片的第一边缘区域与所述第一触点相邻并且所述第二半导体晶片的第一边缘区域与所述第二触点相邻。


7.根据权利要求5所述的层叠封装,其中,所述第三半导体晶片与所述第二半导体晶片部分地交叠,以使所述第二半导体晶片的所述第二接合焊盘露出。


8.根据权利要求5所述的层叠封装,其中,所述第三半导体晶片包括:
所述第三半导体晶片的第一边缘区域,所述第三半导体晶片的第一边缘区域与所述第三触点相邻;以及
第三接合焊盘,所述第三接合焊盘被设置在所述第三半导体晶片的第一边缘区域上。


9.根据权利要求8所述的层叠封装,
其中,所述第三半导体晶片还包括在与所述第三半导体晶片的第一边缘区域延伸的方向交叉的方向上延伸的第二边缘区域,
其中,所述第二半导体晶片还包括在与所述第二半导体晶片的第一边缘区域的延伸方向交叉的方向上延伸的第二边缘区域,并且
其中,所述第三半导体晶片被部分地层叠在所述第二半导体晶片上,使得所述第三半导体晶片的第二边缘区域与所述第二半导体晶片的第二边缘区域在竖直方向交叠。


10.根据权利要求9所述的层叠封装,其中,所述第四半导体晶片包括:
所述第四半导体晶片的第一边缘区域,所述第四半导体晶片的第一边缘区域与所述第四触点相邻;以及
第四接合焊盘,所述第四接合焊盘被设置在所述第四半导体晶片的第一边缘区域上。


11.根据权利要求10所述的层叠封装,该层叠封装还包括分别将所述第一接合焊盘、所述第二接合焊盘、所述第三接合焊盘和所述第四接合焊盘电连接到所述第一触点、所述第二触点、所述第三触点和所述第四触点的第一接合线、第二接合线、第三接合线和第四接合线。


12.根据权利要求11所述的层叠封装,其中,所述第二接合线接合到所述第二接合焊盘并且延伸至与所述第三半导体晶片间隔开。


13.根据权利要求11所述的层叠封装,该层叠封装还包括:
第一粘合层,该第一粘合层被设置在所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片之间,以提升所述第二半导体晶片;以及
第二粘合层,该第二粘合层被设置在所述第三半导体晶片和所述第四半导体晶片之间,以提升所述第四半导体晶片。


14.根据权利要求13所述的层叠封装,其中,所述第一粘合层扩展以覆盖所述第一接合焊盘和所述第一接合线的与所述第一接合焊盘接合的部分。


15.根据权利要求13所述的层叠封装,其中,所述提升支撑件具有与包括所述第一半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:都恩惠
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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