【技术实现步骤摘要】
包括具有嵌入式半导体管芯的间隔件的半导体器件组件
本说明书涉及半导体器件组件。更具体地，本说明书涉及包括具有嵌入式半导体管芯的间隔件的半导体器件组件(例如，半导体器件模块)。
技术介绍
半导体器件组件，诸如包括多个半导体管芯的半导体器件模块(例如，多芯片模块)，可以包括与半导体管芯耦接(例如，电耦接和/或热耦接)的间隔件(导电间隔件)。用于实现此类间隔件的当前方法可以具有某些缺点。例如，包括在此类组件中的各种材料之间的热膨胀系数(CTE)的不匹配可以在半导体管芯上产生应力，这可以导致半导体管芯断裂和/或损坏。此外，用于将半导体管芯与间隔件耦接的材料(例如，粘合剂材料，诸如焊料、导电粘合剂等)中的空隙可以加剧CTE不匹配问题，并使间隔件和半导体管芯之间的热阻和/或电阻增加。此类增加的热阻和/或电阻可以由于半导体器件组件内生成的热量而导致可靠性问题，和/或可以不利地影响半导体管芯和相关联的半导体器件模块的电气性能。
技术实现思路
在一般方面，一种半导体器件组件可以包括半导体管芯，该半导体管芯具有：第一表面，该...
【技术保护点】
1.一种半导体器件组件，包括：/n半导体管芯，所述半导体管芯具有：/n第一表面，所述第一表面包括有源电路；/n第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及/n多个侧表面，所述多个侧表面各自在所述半导体管芯的所述第一表面和所述半导体管芯的所述第二表面之间延伸；以及/n导电间隔件，所述导电间隔件具有限定在其中的腔，所述半导体管芯与所述导电间隔件电耦接和热耦接，所述半导体管芯至少部分地嵌入所述腔中。/n
【技术特征摘要】
20180928 US 16/145,9181.一种半导体器件组件，包括：
半导体管芯，所述半导体管芯具有：
第一表面，所述第一表面包括有源电路；
第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及
多个侧表面，所述多个侧表面各自在所述半导体管芯的所述第一表面和所述半导体管芯的所述第二表面之间延伸；以及
导电间隔件，所述导电间隔件具有限定在其中的腔，所述半导体管芯与所述导电间隔件电耦接和热耦接，所述半导体管芯至少部分地嵌入所述腔中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中，所述半导体管芯通过设置在所述腔中的粘合剂材料与所述导电间隔件热耦接和电耦接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中，所述半导体管芯的所述第二表面完全嵌入所述导电间隔件的所述腔中，并且所述半导体管芯的所述多个侧表面至少部分地嵌入所述导电间隔件的所述腔中。
4.根据权利要求1所述的半导体器件组件，还包括：
直接接合金属衬底，所述直接接合金属衬底与所述半导体管芯的所述第一表面电耦接；
低模量封装材料，所述低模量封装材料被设置在所述导电间隔件和所述直接接合金属衬底之间，并且被设置在所述半导体管芯的所述第一表面和所述直接接合金属衬底之间；以及
模塑料，所述模塑料封装所述半导体管芯、所述导电间隔件、所述低模量封装材料和所述直接接合金属衬底，
所述直接接合金属衬底的表面通过所述模塑料暴露出来。
5.根据权利要求4所述的半导体器件组件，其中，所述直接接合金属衬底是第一直接接合金属衬底，并且所述腔被设置在所述导电间隔件的第一表面中，所述半导体器件组件还包括：
第二直接接合金属衬底，所述第二直接接合金属衬底与所述导电间隔件的第二表面耦接，所述导电间隔件的所述第二表面与所述导电间隔件的所述第一表面相对。
6.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中，所述导电间隔件的表面包括圆周环，所述圆周环限定所述腔。
7.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中，所述导电间隔件包括铜间隔件，并且所述腔机械地冲压在所述铜间隔件的表面中。
8.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中，所述导电间隔件包括：
铜间隔件部分；以及
腔部分，所述腔部分设置在所述铜间隔件部分上，所述腔部分包括焊膏或冲压焊料预成型件中的至少一者。
9.一种半导体器件组件，包括：
半导体管芯；
导电间隔件，所述导电间隔件具有限定在所述导电间隔件的第一表面中的腔，所述半导体管芯与所述导电间隔件电耦接和热耦接，所述半导体管芯至少部分地嵌入所述腔中；
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，林育圣，陈惠斌，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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