半导体制造装置用部件制造方法及图纸

技术编号:23707832 阅读:90 留言:0更新日期:2020-04-08 11:44
本发明专利技术提供一种半导体制造装置用部件,其具备:陶瓷板,其在上表面具有晶圆载置面,且内置电极;陶瓷制的致密质插头,其配设于陶瓷板的下表面侧,且通过环状的接合部与陶瓷板陶瓷接合;金属制的冷却板,其通过环状的接合部以外的部分接合于陶瓷板的下表面;以及气体流路。气体流路具有将陶瓷板在厚度方向上贯通的放气孔和一边弯曲一边贯通致密质插头的上表面侧和下表面侧且与放气孔连通的气体内部流路,且在比环状的接合部的内周靠内侧通过。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置用部件
本专利技术涉及半导体制造装置用部件。
技术介绍
一直以来,已知各种半导体制造装置用部件。例如,专利文献1的半导体制造装置用部件在上表面具有晶圆载置面的静电卡盘的下表面接合有金属制的冷却板。冷却板具有供气孔。静电卡盘具有与供气孔连通的有底筒状孔和从有底筒状孔的底面贯通至晶圆载置面的放气孔。在静电卡盘经由树脂制的粘接剂以嵌入有底筒状孔的状态粘接有多孔质插头。另外,例如专利文献2的半导体制造装置用部件在上表面具有晶圆载置面的静电卡盘的下表面经由中间板配置有冷却板。冷却板具有供气孔。静电卡盘具有从下表面贯通至晶圆载置面的放气孔。中间板与冷却板一起形成了与供气孔及放气孔连通的空旷的空间,且在该空旷的空间配置有致密质插头。致密质插头具有一边弯曲一边贯通上表面侧和下表面侧的气体内部流路。这些半导体制造装置用部件在腔室内将晶圆载置于晶圆载置面,向腔室内导入原料气体,并且向冷却板施加用于放射等离子体的RF电压,由此使等离子体产生,进行晶圆的处理。此时,向供气孔导入氦等氛围气体。氛围气体从供气孔经多孔质插头的空隙或致密质插头的气体内部流路,通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造装置用部件,其特征在于,具备:/n陶瓷板,其在上表面具有晶圆载置面,且内置电极;/n陶瓷制的致密质插头,其配设于上述陶瓷板的下表面侧,且通过环状的接合部与上述陶瓷板陶瓷接合;/n金属制的冷却板,其通过上述接合部以外的部分接合于上述陶瓷板的下表面;以及/n气体流路,其具有将上述陶瓷板在厚度方向上贯通的放气孔和一边弯曲一边贯通上述致密质插头的上表面侧和下表面侧且与上述放气孔连通的气体内部流路,且在比上述接合部的内周靠内侧通过。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,2051.一种半导体制造装置用部件,其特征在于,具备:
陶瓷板,其在上表面具有晶圆载置面,且内置电极;
陶瓷制的致密质插头,其配设于上述陶瓷板的下表面侧,且通过环状的接合部与上述陶瓷板陶瓷接合;
金属制的冷却板,其通过上述接合部以外的部分接合于上述陶瓷板的下表面;以及
气体流路,其具有将上述陶瓷板在厚度方向上贯通的放气孔和一边弯曲一边贯通上述致密质插头的上表面侧和下表面侧且与上述放气孔连通的气体内部流路,且在比上述接合部的内周靠内侧通过。


2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
上述接合部为陶瓷烧结体。


3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件,其特征在于,
在上述致密质插头的...

【专利技术属性】
技术研发人员:石川征树赤塚祐司
申请(专利权)人:日本碍子株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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