半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法。在半导体装置内形成所期望的形状和大小的空隙。半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、调整工序、第2层叠工序、以及加热工序。在第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。在调整工序中，调整聚合物膜的形状。在第2层叠工序中，以覆盖聚合物膜的方式在聚合物膜之上层叠临时密封膜。在加热工序中，通过加热聚合物膜，聚合物解聚成多种单体，解聚而成的多种单体经由临时密封膜脱离。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开的各种方面和实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，在多层化而成的半导体装置中，作为缩小层间绝缘膜的相对介电常数的方法，公知利用在由该层间绝缘膜埋入基板上的凹部之际作为埋入不良形成的空隙(参照例如下述专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-54307号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题不过，作为埋入不良形成的空隙的形状和大小依赖于凹部的宽度、深度等。例如，在凹部的宽度较窄的情况下，在凹部的下部形成有较大的空隙，但在凹部的宽度较宽的情况下，有时在凹部的下部几乎未形成空隙。另外，在凹部形成的空隙的形状和大小有时由于基板上的凹部的位置、半导体制造装置内的凹部的位置而波动。因此，难以针对任意的形状的凹部形成所期望的形状和大小的空隙。用于解决问题的方案本公开的一方面是一种半导体装置的制造方法，包括第1层叠工序、调整工序、第2层叠工序、以及加热工序。在第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：/n第1层叠工序，在该第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜；/n调整工序，在该调整工序中，调整所述聚合物膜的形状；/n第2层叠工序，在该第2层叠工序中，以覆盖所述聚合物膜的方式在所述聚合物膜之上层叠临时密封膜；以及/n加热工序，在该加热工序中，通过加热所述聚合物膜，使所述聚合物解聚成所述多种单体，使解聚而成的所述多种单体经由所述临时密封膜脱离。/n

【技术特征摘要】
20180925 JP 2018-1782541.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
第1层叠工序，在该第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜；
调整工序，在该调整工序中，调整所述聚合物膜的形状；
第2层叠工序，在该第2层叠工序中，以覆盖所述聚合物膜的方式在所述聚合物膜之上层叠临时密封膜；以及
加热工序，在该加热工序中，通过加热所述聚合物膜，使所述聚合物解聚成所述多种单体，使解聚而成的所述多种单体经由所述临时密封膜脱离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述调整工序中，利用蚀刻调整所述聚合物膜的形状，以便在各所述构造物的侧方配置所述聚合物膜。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
该半导体装置的制造方法在所述加热工序之后还包括如下工序：
第3层叠工序，在该第3层叠工序中，以覆盖所述临时密封膜的方式在所述临时密封膜之...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽秀二，山口达也，佐藤渚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP