温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体装置内形成所期望的形状和大小的空隙。半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、调整工序、第2层叠工序、以及加热工序。在第1层叠工序中，在设于基板上且含有第1材料的多个构造物的周围层叠聚合物膜，该聚合物...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。