硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片清洗方法，包括：将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括硝酸和氢氟酸；将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括盐酸和氢氟酸；将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。本发明专利技术不但弥补了双氧水的分解、氧原子的流失，还加快了微量金属离子的去除，提高了硅片表面清洁度，从而有利于提升硅片的少子寿命；同时还降低加热温度，减少化学试剂的流失，从而减少化学试剂的补液量，延长化学溶液的更换周期。

Wafer cleaning method

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是指一种硅片清洗方法。
技术介绍
目前，在清洗硅片的操作环节中需要持续加热(温度为70℃～90℃)并且氮气鼓泡，由于温度较高，易造成化学试剂的分解、挥发而流失，同时每次清洗需补加一定量的化学试剂，导致生产成本消耗较大。申请号为201810167905.6的专利中公开了一种硅片清洗液及硅片清洗方法，包括：在25℃～75℃的温度下，采用硅片清洗液对金属催化制绒和单质金属离子化之后的硅片进行后清洗；但是，这种方法仍然存在溶液温度高，易造成化学试剂的分解、挥发而流失的技术问题。在实现本专利技术过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：1)清洗不彻底，影响硅片表面清洁度；2)较高温下化学试剂易分解或流失，每次清洗需补加大量的化学试剂；3)能耗大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种硅片清洗方法，以解决化学试剂易分解或流失、能耗大的技术问题。本专利技术实施例提供了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤(1)，将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；步骤(2)，将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括氢氟酸和硝酸；步骤(3)，将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；步骤(4)将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括氢氟酸和盐酸；<br>步骤(5)，将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(1)中，所述第一溶液的温度为50～70℃；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液的温度为50～70℃。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(1)中，所述第一溶液中臭氧的浓度为20～200毫克/升；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液中臭氧的浓度为20～200毫克/升。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(1)中，所述第一溶液还包括双氧水；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液还包括双氧水。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(1)中，所述第一溶液中盐酸、双氧水与水的体积比为1:1:5～1:2:7；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液中氨水、双氧水与水的体积比为1:1:5～1:2:7；其中，在所述步骤(1)和步骤(3)中，所述盐酸的质量分数为20～45％，所述双氧水的质量分数为20～40％，所述氨水的质量分数为20～35％。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(1)中，所述硅片在第一溶液中的清洗时间为5～15分钟；和/或，在所述步骤(3)中，所述硅片在第三溶液中的清洗时间为5～15分钟。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(2)中，所述第二溶液中氢氟酸与硝酸的体积比为0.1:100～2:100；和/或，在所述步骤(4)中，所述第四溶液中氢氟酸的体积百分比为0.5～5％，盐酸的体积百分比为3～10％；其中，在所述步骤(2)和步骤(4)中，所述氢氟酸的质量分数为30～70％，所述硝酸的质量分数为40～80％，所述盐酸的质量分数为20～45％。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(2)中，所述硅片在第二溶液中的清洗时间为1～5分钟；和/或，在所述步骤(4)中，所述硅片在第四溶液中的清洗时间为5～15分钟。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(4)中，将所述硅片烘干，包括：采用加热的氮气对所述硅片进行干燥。在本专利技术的一些实施例中，在所述步骤(4)中，采用加热的氮气对所述硅片进行干燥，包括：采用温度为40～60℃的氮气对所述硅片进行干燥4～10分钟。本专利技术实施例提供的硅片清洗方法在步骤(1)和步骤(3)中，采用清洗溶液与臭氧鼓泡相结合的清洗方法，既保留了化学溶液清洁的硅片表面污染的能力，又引入强氧化性气体，更加促进硅片表面污染的去除能力，提升硅片少子寿命。该方法不但弥补了双氧水的分解、氧原子的流失，还加快了微量金属离子的去除，提高了硅片表面清洁度，从而有利于提升硅片的少子寿命；同时还降低加热温度，减少化学试剂的流失，从而减少化学试剂的补液量，延长化学溶液的更换周期。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本专利技术的至少一个实施例提供了一种硅片清洗方法，该硅片清洗方法包括以下步骤：步骤(1)，将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；步骤(2)，将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括氢氟酸和硝酸；步骤(3)，将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；步骤(4)，将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括氢氟酸和盐酸；步骤(5)，将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。可见，本专利技术实施例在传统清洗工艺上，将氮气鼓泡清洗改变为臭氧鼓泡清洗，既保留了化学溶液清洁的硅片表面污染的能力，又引入强氧化性气体，更加促进硅片表面污染的去除能力，提升硅片少子寿命。需要指出的是，为了保证化学溶液对硅片表面污染的清洁能力，步骤(1)和步骤(3)的操作环节为加热。可选地，在步骤(1)中，所述第一溶液的温度为50～70℃。可选地，在步骤(3)中，所述第三溶液的温度为50～70℃。同时由于硅片表面的去除能力提高，因此可以降低步骤(1)和步骤(3)中的加热温度，从而减缓化学试剂的分解或流失，减少化学试剂的使用量，延长化学溶液的使用周期。在传统的硅片清洗工艺中，化学溶液的温度为70～90℃，本专利技术实施例提供的方法在保证清洁能力的情况下，可以将温度降至50～70℃，使得步骤(1)和步骤(3)中化学试剂补液量为传统补液量(0.1～1L)的一半。需要指出的是，在到达相同清洁效果的情况下，现有技术需要化学溶液的温度为90℃，而本专利技术可以将化学溶液的温度降为70℃；现有技术需要化学溶液的温度为70℃，而本专利技术可以将化学溶液的温度降为5本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤(1)，将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；/n步骤(2)，将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括氢氟酸和硝酸；/n步骤(3)，将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；/n步骤(4)将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括氢氟酸和盐酸；/n步骤(5)，将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(1)，将硅片放入第一溶液中，并在所述第一溶液中通入臭氧；其中，所述第一溶液包括盐酸；
步骤(2)，将所述硅片从第一溶液中取出，放入第二溶液中，所述第二溶液包括氢氟酸和硝酸；
步骤(3)，将所述硅片从第二溶液中取出，放入第三溶液中，并在所述第三溶液中通入臭氧；其中，所述第三溶液包括氨水；
步骤(4)将所述硅片从第三溶液中取出，放入第四溶液中，所述第四溶液包括氢氟酸和盐酸；
步骤(5)，将所述硅片从第四溶液中取出，并将所述硅片烘干。


2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述第一溶液的温度为50～70℃；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液的温度为50～70℃。


3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述第一溶液中臭氧的浓度为20～200毫克/升；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液中臭氧的浓度为20～200毫克/升。


4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述第一溶液还包括双氧水；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液还包括双氧水。


5.根据权利要求4所述的硅片清洗方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所述第一溶液中盐酸、双氧水与水的体积比为1:1:5～1:2:7；和/或，在所述步骤(3)中，所述第三溶液中氨水、双氧水与水的体积比为1:1:5～1:...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙永灯，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11