半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。本公开的一些实施例提供一种方法，包括：形成第一层于基板之上并形成黏着层于所述第一层之上，其中所述黏着层具有包括环氧基团的组合物。形成光刻胶层，所述光刻胶层直接位于黏着层上。将所述光刻胶层的一部分曝光于辐射源下。利用环氧基团使所述黏着层的组合物与所述光刻胶层的曝光部分交联。通过像是负型显影剂来显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案部件，所述光刻胶图案部件可覆盖所形成的交联区域。

Manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术是有关于半导体装置的制造方法，且特别涉及使用多层光刻胶堆栈的半导体装置的图案化制程。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)工业已历经快速的发展。在集成电路发展的进程中，功能性密度(例如，每一个芯片区域中内连接装置的数目)已经普遍增加，而几何尺寸(例如，制程中所能创造出最小的元件或线路)则是普遍下降。这种微缩化的过程通常通过增加生产效率及降低相关支出提供许多利益。然而，这种微缩化也增加了包含这些集成电路的装置在设计和制造上的复杂度，而且为了实现这些优点，在装置制造上也需要有类似的进步。在一示例性方面，光刻(photolithography，或简称“lithography”)是在微制造(例如半导体制造)中使用的制程，用以选择性移除部分的薄膜或基板。所述制程使用辐射(例如，光)以将图案(例如，几何图案)从光掩模转移到基板上的光敏层(例如，光刻胶层)。最近，已使用极紫外光(extremeultraviolet；EUV)辐射源的短曝光波长(例如，小于100nm)的优点来提供缩小的部件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一第一层于一基板之上；/n形成一黏着层于该第一层之上，其中该黏着层具有包括一环氧基团的一组合物；/n形成一光刻胶层，直接位于该黏着层上；/n将该光刻胶层的一部分曝光于一辐射源下；/n使该黏着层的该组合物与该光刻胶层的曝光部分交联，其中该环氧基团提供该交联；以及/n显影该光刻胶层以形成一光刻胶图案部件。/n

【技术特征摘要】
20180921 US 16/137,7421.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一第一层于一基板之上；
形成一黏着层于该第一层之上，其中该黏着层具有包括一环氧基团的一组合物；
形成一光刻胶层，直接位于该黏着层上；
将该光刻胶层的一部分曝光于一辐射源下；
使该黏着层的该组合物与该光刻胶层的曝光部分交联，其中该环氧基团提供该交联；以及
显影该光刻胶层以形成一光刻胶图案部件。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该黏着层包括旋涂该组合物。


3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该黏着层的该组合物为具有该环氧基团的一硅基聚合物。


4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该组合物为具有该环氧基团的一硅氧烷聚合物。


5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该交联产生该光刻胶层的一交联区域，其中该交联区域位于该光刻胶层经曝光的一部分和该黏着层之间。


6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该辐射源为一极紫外光EUV波长辐射源。


7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中显影该光刻胶层包括提供一负型显影剂。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘朕与，林子扬，张雅晴，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71