晶体管终端结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体管终端结构及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一掩膜层，第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；通过分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在衬底上形成多个分压环；在衬底上形成第二掩膜层，第二掩膜层开设有截止环注入窗口；通过截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在衬底上形成截止环，终端结构在各拐角部的截止间距大于在各平直部的截止间距。本发明专利技术在拐角部的截止间距大于在平直部的截止间距。晶体管的有源区是低电位，截止环处为高电位，在拐角部形成电场集中的尖峰。拐角部的截止间距越大，截止环与有源区的距离就越远，高电压击穿空气的距离越长，能够避免有源区与截止环间的电弧放电的异常现象出现。

Transistor terminal structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
晶体管终端结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶体管终端结构，还涉及一种晶体管终端结构的制造方法。
技术介绍
各类平面型、沟槽型、特殊结构型的功率晶体管器件需要终端浮空分压环分步承压来提高器件的耐压能力，而常规浮空分压环终端需要以增加浮空分压环的个数来提升耐压能力，如此一来，整个终端长度必将增加，以致整个晶体管器件的面积尺寸也跟随增加，而晶体管面积尺寸是器件制造生产性企业的敏感成本，晶体管面积尺寸增加势必影响到了器件的销售价格，降低了企业的产品市场竞争力，根本上影响了晶体管制造企业的发展生存，也不利于企业产品的更新换代。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种新型的晶体管终端结构及其制造方法。一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间呈大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述终端结构包括截止环和多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距。在其中一个实施例中，所述截止环在各拐角部的宽度均大于在各平直部的宽度。在其中一个实施例中，还包括多个多晶硅场板，至少部分多晶硅场板与各分压环一一对应设置，多晶硅场板在对应的分压环顶面的正投影与分压环有交叠。在其中一个实施例中，还包括金属场板，所述金属场板将距所述截止环最近的一个分压环与对应的多晶硅场板电连接。在其中一个实施例中，其余各与分压环一一对应的多晶硅场板上不设金属场板与分压环电连接。在其中一个实施例中，所述截止环的导电类型与各所述分压环相反。在其中一个实施例中，所述终端结构包括衬底和衬底上的外延层，所述截止环和各分压环设于所述外延层中，所述衬底、外延层及截止环具有第一导电类型，各所述分压环具有第二导电类型。一种晶体管终端结构的制造方法，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间形成大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；通过所述分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在所述衬底上形成多个分压环；在所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层开设有截止环注入窗口；通过所述截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在所述衬底上形成截止环，所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。在其中一个实施例中，所述衬底上还形成有外延层，所述截止环和各所述分压环形成于所述外延层中，所述形成多个分压环之后、所述在所述衬底上形成第二掩膜层之前，还包括步骤：在所述外延层上表面形成场氧化层；在所述场氧化层上形成多个多晶硅场板，至少部分多晶硅场板与各分压环一一对应设置，多晶硅场板在对应的分压环顶面的正投影与分压环有交叠。在其中一个实施例中，所述通过所述截止环注入窗口注入第一导电类型杂质的步骤之后，还包括：在所述场氧化层上和多晶硅场板上形成介质层；刻蚀所述介质层形成接触孔；形成金属场板，所述金属场板通过所述接触孔将距所述截止环最近的一个分压环与对应的多晶硅场板电连接。上述晶体管终端结构及其制造方法，在各拐角部的截止间距大于在各平直部的截止间距。晶体管的有源区是低电位，截止环处为高电位，在拐角部形成电场集中的尖峰。拐角部的截止间距越大，截止环与有源区的距离就越远，高电压击穿空气的距离越长，能够避免有源区与截止环间的电弧放电的异常现象出现。附图说明为了更好地描述和说明这里公开的那些专利技术的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的专利技术、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些专利技术的最佳模式中的任何一者的范围的限制。图1是晶体管的有源区以及终端结构的俯视图；图2是一实施例中晶体管终端结构的剖面示意图；图3是一个实施例中分压环24在终端结构中的俯视图；图4是一实施例中晶体管终端结构的制造方法的流程图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间呈大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述终端结构包括截止环和多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括多个平直部和将相邻的平直部连接在一起的拐角部，各相邻的平直部间呈大于零度的夹角并通过一拐角部连接过渡，所述终端结构包括截止环和多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，所述终端结构在各拐角部的截止间距均大于在各平直部的截止间距。


2.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述截止环在各拐角部的宽度均大于在各平直部的宽度。


3.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，还包括多个多晶硅场板，至少部分多晶硅场板与各分压环一一对应设置，多晶硅场板在对应的分压环顶面的正投影与分压环有交叠。


4.根据权利要求3所述的晶体管终端结构，其特征在于，还包括金属场板，所述金属场板将距所述截止环最近的一个分压环与对应的多晶硅场板电连接。


5.根据权利要求4所述的晶体管终端结构，其特征在于，其余各与分压环一一对应的多晶硅场板上不设金属场板与分压环电连接。


6.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述截止环的导电类型与各所述分压环相反。


7.根据权利要求6所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述终端结构包括衬底和衬底上的外延层，所述截止环和各分压环设于所述外延层中，所述衬底、外延层及截止环具有第一导电类型，各所述分压环具有第二导电类型。


8.一种晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张曌，李杰，魏国栋，刘玮，田甜，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44