存储器及其形成方法、半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。本发明专利技术中，存储器的形成方法包括在衬底上、相邻位线组合结构之间形成牺牲层图案，牺牲层图案在位线组合结构之间定义衬底上的多个接触区；节点接触形成在接触区上；去除牺牲层图案，形成第二空腔；之后形成绝缘封盖层搭接在相邻的位线组合结构的顶部，并遮盖封闭第二空腔的顶部开口，以利用绝缘封盖层和相邻的位线组合结构界定出多个在节点接触之间的隔离腔。因此，制备过程简单，而且形成的隔离腔结构中的间隙均匀，从而有效的控制了寄生电容，由此获得的器件，性能得以提高。

Memory and its forming method, semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法、半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其形成方法、半导体器件。
技术介绍
存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极结构。所述栅极结构连接至字线，用于控制所述源区和漏区之间的电流流动。所述源区用于构成位线组合结构接触区，用以连接至位线组合结构，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。但是，相邻位线组合结构之间不可避免的会产生寄生电容，从而产生位线组合结构干扰，影响存储器的性能。如图1-7示出了一种存储器的形成方法，包括：如图1所示，在衬底1上形成有位线组合结构2，相邻位线组合结构2之间具有间隔3；如图2所示，形成第一介质层4在位线组合结构2上；如图3所示，在衬底1上间隔3中形成第二介质层5，第二介质层5填充间隔3的下半部；如图4-5所示，形成第三介质层6填充间隔3，并经过刻蚀形成侧墙7，侧墙7位于间隔3的上半部两侧，且不接触，具有第二空腔；请参考图6，自第二空腔刻蚀间隔3中下半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供前端结构，包括衬底及突起地设置于所述衬底上的多条位线组合结构；/n于所述衬底上形成牺牲层图案，所述牺牲层图案至少图案化填充在相邻所述位线组合结构之间以定义所述衬底上的多个接触区；/n设置多个节点接触在所述衬底上的接触区，所述节点接触容置於由所述位线组合结构和所述牺牲层图案交错形成的多个第一空腔中并与底层的所述衬底电性接触；/n去除所述牺牲层图案，以形成在所述节点接触之间的第二空腔；以及/n形成绝缘封盖层在所述前端结构上，所述绝缘封盖层搭接在相邻的所述位线组合结构的顶部，并遮盖封闭所述第二空腔的顶部开口，以利用所述绝缘封盖层和相邻的所述位线组合...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供前端结构，包括衬底及突起地设置于所述衬底上的多条位线组合结构；
于所述衬底上形成牺牲层图案，所述牺牲层图案至少图案化填充在相邻所述位线组合结构之间以定义所述衬底上的多个接触区；
设置多个节点接触在所述衬底上的接触区，所述节点接触容置於由所述位线组合结构和所述牺牲层图案交错形成的多个第一空腔中并与底层的所述衬底电性接触；
去除所述牺牲层图案，以形成在所述节点接触之间的第二空腔；以及
形成绝缘封盖层在所述前端结构上，所述绝缘封盖层搭接在相邻的所述位线组合结构的顶部，并遮盖封闭所述第二空腔的顶部开口，以利用所述绝缘封盖层和相邻的所述位线组合结构界定出多个在所述节点接触之间的隔离腔。


2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述位线组合结构包括：功函数层、位于所述功函数层上的导电层以及位于所述导电层上并覆盖所述导电层和功函数层的绝缘层。


3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成绝缘封盖层在所述前端结构上的步骤包括：沉积形成所述绝缘封盖层且所述绝缘封盖层朝向所述衬底方向局部填充所述第二空腔，但填充深度不及至所述导电层。


4.如权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成绝缘封盖层在所述前端结构上的步骤还包括：减薄所述绝缘封盖层直至暴露出所述节点接触，使所述绝缘封盖层形成在所述隔离腔上部的图案部位，以封闭所述第二空腔。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34