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本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。本发明中，存储器的形成方法包括在衬底上、相邻位线组合结构之间形成牺牲层图案，牺牲层图案在位线组合结构之间定义衬底上的多个接触区；节点接触形成在接触区上；去除牺牲层图案，形成第二空腔；之后形成绝...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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