【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件的集成度也越来越高，进而被更广泛的应用于实际生活中。其中，为了减小器件之间的影响，通常可以利用隔离氧化层实现不同器件之间的相互隔离。然而，在形成有隔离氧化层后，并继续在所述隔离氧化层的外侧制备半导体器件时，常常会导致隔离氧化层受到损伤。具体参考图1a～图1c所示，半导体结构的形成方法例如包括如下步骤。第一步骤，具体参考图1a所示，提供一衬底10，所述衬底10上形成有隔离氧化层20，以及在所述隔离氧化层20上还可以进一步形成有第二半导体器件50。第二步骤，继续参考图1a所示，在所述衬底10上形成掩模层30，所述掩模层30覆盖所述隔离氧化层20，并且所述掩模层30中位于所述隔离氧化层20外侧的区域中还形成有掩模图形(例如包括多个开口)，以及将所述掩模图形复制至所述衬底10中，用于在所述隔离氧化层外侧的衬底上形成第一半导体器件。需要说明的是，在将所述掩模图形复制至...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有隔离氧化层，在所述隔离氧化层上形成第二半导体器件；/n在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层至少包括材料不同于所述隔离氧化层的第一掩模层，以及所述掩模层覆盖所述隔离氧化层和所述第二半导体器件，并且所述掩模层中位于所述隔离氧化层外侧的区域中还形成有掩模图形；/n将所述掩模图形复制至所述衬底中，用于在所述隔离氧化层外侧的衬底上形成第一半导体器件；以及，/n去除所述掩模层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有隔离氧化层，在所述隔离氧化层上形成第二半导体器件；
在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层至少包括材料不同于所述隔离氧化层的第一掩模层，以及所述掩模层覆盖所述隔离氧化层和所述第二半导体器件，并且所述掩模层中位于所述隔离氧化层外侧的区域中还形成有掩模图形；
将所述掩模图形复制至所述衬底中，用于在所述隔离氧化层外侧的衬底上形成第一半导体器件；以及，
去除所述掩模层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述掩模层之前，还包括在所述衬底的顶表面上形成衬氧化层；以及，在形成所述掩模层时，所述掩模层覆盖所述衬氧化层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩模层的材料包括氮化硅。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，执行刻蚀工艺去除所述第一掩模层，以及所述刻蚀工艺的刻蚀剂包括磷酸。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩模层为至少两个堆叠设置的叠层结构，并且所述第一掩模层为所述叠层结构的最底层，以使所述第一掩模层直接覆盖在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟志鸿，王珏，钟荣祥，周旭，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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