刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种刻蚀方法，包括：向反应腔室内通入第一催化气体、第二催化气体和工艺气体，使第一催化气体和第二催化气体均参与反应，以对待加工工件进行刻蚀；以及去除在待加工工件上形成的固态产物。本发明专利技术提供的刻蚀方法能够在刻蚀后，降低刻蚀量的差异，以及碗型现象和沟槽型现象的产生，并且能够降低工艺时间，提高工艺效率和产能。

Etching method

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，具体地，涉及一种刻蚀方法。
技术介绍
近年来，随着集成电路集成度的提高，晶体管的尺寸越来越小，随之而来的短沟道效应、漏感应势垒效应、热载流子效应等多维及非线性效应越来越突显。因此与平面的金氧半场效晶体管(MOSFET)相比，具有更好的沟道控制能力，进而具有更快的开关速度及更高的电流密度的鳍式场效应晶体管(FinFET)备受关注。如图1-图4所示，在鳍式场效应晶体管器件制备工艺中很关键的一道工序为浅沟道隔离(STI)刻蚀。刻蚀后形成裸露出一定高度的鳍(Fin)1，鳍1的高度会影响栅控电压，因此要求刻蚀后所有鳍1裸露出的高度一致，然而，实际工艺中很难保证刻蚀后鳍1裸露的高度完全一致，易出现刻蚀量的差异(loading)，且如图所示，刻蚀后鳍1侧壁处会残留一些未反应的二氧化硅(siliconoxide)2形成碗型(footing)，或这如图所示，过刻蚀一些二氧化硅2形成沟槽型(trench)，这些现象会严重影响器件的性能。因此，开发一种高效的降低鳍式场效应晶体管中浅沟道隔离刻蚀后碗型现象和沟槽型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：/n向反应腔室内通入第一催化气体、第二催化气体和工艺气体，使所述第一催化气体和所述第二催化气体均参与反应，以对待加工工件进行刻蚀；以及/n去除在所述待加工工件上形成的固态产物。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
向反应腔室内通入第一催化气体、第二催化气体和工艺气体，使所述第一催化气体和所述第二催化气体均参与反应，以对待加工工件进行刻蚀；以及
去除在所述待加工工件上形成的固态产物。


2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，向反应腔室内通入第一催化气体、第二催化气体和工艺气体的步骤，进一步包括：
向所述反应腔室内同时通入所述第一催化气体和所述第二催化气体；
等待第一预定时间后向所述反应腔室内通入所述工艺气体。


3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，向反应腔室内通入第一催化气体、第二催化气体和工艺气体的步骤，进一步包括：
向所述反应腔室内通入所述第一催化气体和所述第二催化气体中的其中一种催化气体；
等待第二预定时间后同时向所述反应腔室内通入所述工艺气体和另一种催化气体；或者等待第二预定时间后，向所述反应腔室内通入另一种催化气体或所述工艺气体，等待第三预定时间后再向所述反应腔室内通入所述工艺气体或另一种催化气体。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的刻蚀方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓娟，郑波，马振国，吴鑫，王春，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11