执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法制造方法及图纸

可以提供一种存储器装置，其包括可变电阻存储器单元，所述可变电阻存储器单元包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，可变电阻元件的第一端连接到位线，可变电阻元件的第二端、第一单元晶体管的第一端和第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，第一单元晶体管的第二端和第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并被配置为在第二写入操作中将字线和子字线彼此连接。

Memory device and memory unit write method for performing asymmetric write operation

【技术实现步骤摘要】
执行非对称写入操作的存储器装置和存储器单元写入方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0110186的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本文描述的专利技术构思的示例实施例涉及存储器装置，更具体地，涉及被配置为根据写入方向执行非对称写入操作的存储器装置。
技术介绍
对可实现更高集成度和更大容量的非易失性半导体存储器装置的需求日益增加。非易失性半导体存储器装置的代表性示例是闪存，在便携式电子装置中将闪存用作存储器装置。正在开发具有随机可访问性和改进的性能特性的其他装置作为例如闪存的替代方案。使用可变电阻元件(例如，隧穿磁阻(TMR)层)的磁随机存取存储器(MRAM)是这种替代装置的一个示例。针对可变电阻元件的写入操作包括位线写入操作和源极线写入操作，在位线写入操作和源极线写入操作中电流方向彼此不同。双向写入方案在对可变电阻存储器单元执行位线写入操作时可能引起过电流，并且在对可变电阻存储器单元执行源极线写入操作时可能由于可变电阻元件的电阻导致驱动能力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：/n可变电阻存储器单元，其包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，所述可变电阻元件的第一端连接到位线，所述可变电阻元件的第二端、所述第一单元晶体管的第一端和所述第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，所述第一单元晶体管的第二端和所述第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和/n字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到所述第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到所述第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并且被配置为在第二写入操作中将所述字线和所述子字线彼此连接。/n

【技术特征摘要】
20180914 KR 10-2018-01101861.一种存储器装置，包括：
可变电阻存储器单元，其包括可变电阻元件、第一单元晶体管和第二单元晶体管，所述可变电阻元件的第一端连接到位线，所述可变电阻元件的第二端、所述第一单元晶体管的第一端和所述第二单元晶体管的第一端连接到公共节点，所述第一单元晶体管的第二端和所述第二单元晶体管的第二端连接到源极线；和
字线控制电路，其被配置为在第一写入操作中将连接到所述第二单元晶体管的栅电极的子字线与连接到所述第一单元晶体管的栅电极的字线分离，并且被配置为在第二写入操作中将所述字线和所述子字线彼此连接。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述字线控制电路包括：
第一控制晶体管，其被配置为响应于第一电源电压而被关断，使得所述字线和所述子字线彼此分离，并且响应于第二电源电压而被导通，使得所述字线连接到所述子字线，和
第二控制晶体管，其被配置为响应于所述第一电源电压而被导通，使得所述第二电源电压被供应到所述第二单元晶体管的栅电极，并且响应于所述第二电源电压而被关断，使得所述第二电源电压不被供应到所述第二单元晶体管的栅电极。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述字线控制电路还包括电平移位器，所述电平移位器被配置为接收和移位所述第一电源电压或所述第二电源电压，并且将经移位的电压输入到所述第一控制晶体管的栅电极和所述第二控制晶体管的栅电极两者。


4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当所述经移位的电压基于所述第一电源电压时，所述经移位的电压的电平与施加到所述字线的字线电压的电平相同。


5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一控制晶体管是PMOS晶体管，并且所述第二控制晶体管是NMOS晶体管。


6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：
行解码器，其被配置为提供用于驱动所述字线的字线电压；和
写入驱动器和读出放大器，其被配置为产生用于驱动所述位线的位线电压或用于驱动所述源极线的源极线电压。


7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器装置被配置为使得：
在所述第一写入操作中，所述位线电压被施加到所述位线并且地电压被施加到所述源极线；并且
在所述第二写入操作中，所述源极线电压被施加到所述源极线并且所述地电压被施加到所述位线。


8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述可变电阻元件包括：
自由层，其具有可变的磁化方向；
钉扎层，其具有固定的磁化方向；和
阻挡层，其位于所述自由层和所述钉扎层之间。


9.一种存储器装置，包括：
可变电阻元件，其具有连接到位线的第一端；和
字线控制电路，其被配置为选择第一路径和第二路径中的至少一个，所述可变电阻元件的第二端连接到源极线，所述源极线在所述第一路径和所述第二路径两者上。


10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，
所述第一路径包括第一单元晶体管，所述第一单元晶体管具有连接到字线的栅电极，和
所述第二路径包括第二单元晶体管，所述第二单元晶体管具有连接到子字线的栅电极。


11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述存储器装置被...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庚旼，郑铉成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR