非易失性存储装置制造方法及图纸

实施方式提供能够进行高效的读出工作的非易失性存储装置。非易失性存储装置构成为具有：第1及第2配线；存储单元，具有阻变存储元件与选择阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；读出电路(30)，在第1及第2读出期间，从阻变存储元件读出数据；写入电路(20)，在第1读出期间和第2读出期间之间的写入期间，向阻变存储元件写入数据；以及判定电路(40)，将基于在第1读出期间读出的数据的第1电压与基于在第2读出期间读出的数据的第2电压进行比较，由此判定在第1读出期间读出的数据，在第1读出期间、写入期间和第2读出期间，使得相同方向的电流流过存储单元。

Nonvolatile storage device

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储装置关联申请本申请享受以日本专利申请2018-182412号(申请日：2018年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及非易失性存储装置。
技术介绍
提出了在字线与位线的交叉点处配置有存储单元的非易失性存储装置，该存储单元具有阻变(电阻变化)存储元件和具有开关功能的元件的串联连接。但是，在现有的交叉点型的非易失性存储装置中，难说一定进行高效的读出工作。
技术实现思路
实施方式提供能够进行高效的读出工作的非易失性存储装置。实施方式的非易失性存储装置构成为具有：第1配线；与所述第1配线交叉的第2配线；存储单元，其是设置在所述第1配线与所述第2配线之间的存储单元，具有阻变存储元件与选择所述阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；读出电路，其在第1读出期间和第2读出期间，从所述阻变存储元件读出数据；写入电路，其在所述第1读出期间和所述第2读出期本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储装置，其构成为，具有：/n第1配线；/n与所述第1配线交叉的第2配线；/n存储单元，其是设置在所述第1配线与所述第2配线之间的存储单元，具有阻变存储元件与选择所述阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；/n读出电路，其在第1读出期间和第2读出期间，从所述阻变存储元件读出数据；/n写入电路，其在所述第1读出期间和所述第2读出期间之间的写入期间，向所述阻变存储元件写入数据；以及/n判定电路，其通过将基于在所述第1读出期间读出的数据的第1电压与基于在所述第2读出期间读出的数据的第2电压进行比较，判定在所述第1读出期间...

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-1724121.一种非易失性存储装置，其构成为，具有：
第1配线；
与所述第1配线交叉的第2配线；
存储单元，其是设置在所述第1配线与所述第2配线之间的存储单元，具有阻变存储元件与选择所述阻变存储元件的双端子开关元件的串联连接，所述阻变存储元件能够将低电阻状态和高电阻状态中的一方设定为数据；
读出电路，其在第1读出期间和第2读出期间，从所述阻变存储元件读出数据；
写入电路，其在所述第1读出期间和所述第2读出期间之间的写入期间，向所述阻变存储元件写入数据；以及
判定电路，其通过将基于在所述第1读出期间读出的数据的第1电压与基于在所述第2读出期间读出的数据的第2电压进行比较，判定在所述第1读出期间读出的数据；
在所述第1读出期间、所述写入期间和所述第2读出期间，使得相同方向的电流流过所述存储单元。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，
还具有在所述第1读出期间、所述写入期间和所述第2读出期间连续地向所述存储单元提供电流的第1恒定电流源。

【专利技术属性】
技术研发人员：片山明，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP