电阻型存储器器件制造技术

提供了一种电阻型存储器器件，包括：在第一方向上延伸的第一导线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线；以及连接第一导线和第二导线的存储器单元，其中，存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储层和第一加热电极层，第一加热电极层包括与第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且第一接触表面具有第一接触电阻；以及第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，第二加热电极层包括与第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且第二接触表面具有与第一接触不同的第二接触电阻。

Resistive memory device

【技术实现步骤摘要】
电阻型存储器器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0098761的优先权，该申请的公开内容通过全文引用合并于此。
本专利技术构思涉及一种存储器器件，更具体地，涉及一种具有交叉点阵列的电阻型存储器器件。
技术介绍
电阻型存储器器件是一种具有三维交叉点堆叠结构的非易失性存储器器件，其中存储器单元布置在彼此交叉的两个电极之间的交叉处。电压降(也称为“IR降”)可以发生在电阻型存储器器件的存储器单元阵列的电流流动路径中。随着电阻型存储器器件的速度和容量持续增加，电阻型存储器器件的可靠性可能因IR降而降低。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，提供了一种电阻型存储器器件，包括：多个第一导线，在第一方向上延伸；多个第二导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个存储器单元，连接到所述多个第一导线和所述多个第二导线，其中，所述多个存储器单元包括：第一存储器单元，包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻型存储器器件，包括：/n多个第一导线，在第一方向上延伸；/n多个第二导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及/n多个存储器单元，连接到所述多个第一导线和所述多个第二导线，/n其中，所述多个存储器单元包括：/n第一存储器单元，包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及/n第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，所述第二加热电极层包括与所述第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且所述第二接触表面具有与所述第一接触电阻不同的第二接触电阻。/n

【技术特征摘要】
20180823 KR 10-2018-00987611.一种电阻型存储器器件，包括：
多个第一导线，在第一方向上延伸；
多个第二导线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及
多个存储器单元，连接到所述多个第一导线和所述多个第二导线，
其中，所述多个存储器单元包括：
第一存储器单元，包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及
第二存储器单元，包括第二电阻型存储器层和第二加热电极层，所述第二加热电极层包括与所述第二电阻型存储器层接触的第二接触表面，并且所述第二接触表面具有与所述第一接触电阻不同的第二接触电阻。


2.根据权利要求1所述的电阻型存储器器件，其中，所述第一接触表面的面积不同于所述第二接触表面的面积。


3.根据权利要求1所述的电阻型存储器器件，其中，所述第一加热电极层的组成不同于所述第二加热电极层的组成。


4.根据权利要求1所述的电阻型存储器器件，其中，所述第一加热电极层包括具有第一电阻率的材料，并且所述第二加热电极层包括具有与所述第一电阻率不同的第二电阻率的材料。


5.根据权利要求1所述的电阻型存储器器件，还包括：驱动器，被配置为将电压施加到所述多个第一导线中的每一个的接入点，其中，从所述接入点到所述第一存储器单元的第一电流路径、和从所述接入点到所述第二存储器单元的第二电流路径具有彼此不同的长度。


6.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，并且所述第二加热电极层的厚度小于所述第一加热电极层的厚度。


7.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，并且所述第二接触表面的面积小于所述第一接触表面的面积。


8.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，并且所述第二加热电极层的电阻率大于所述第一加热电极层的电阻率。


9.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，所述第一加热电极层和所述第二加热电极层均包括第一金属，并且所述第一金属在所述第二加热电极层中的含量比小于所述第一金属在所述第一加热电极层中的含量比。


10.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，所述第一加热电极层和所述第二加热电极层均包括氮原子，并且所述氮原子在所述第二加热电极层中的含量比大于所述氮原子在所述第一加热电极层中的含量比。


11.根据权利要求5所述的电阻型存储器器件，其中，所述第二电流路径长于所述第一电流路径，所述第一加热电极层和所述第二加热电极层均包括硅原子，并且所述硅原子在所述第二加热电极层中的含量比大于所述硅原子在所述第一加热电极层中的含量比。


12.一种电阻型存储器器件，包括：
第一导线，包括施加有电压的接入点；以及
多个存储器单元，连接到所述第一导线，
其中，所述多个存储器单元包括：
第一存储器单元，布置在距所述接入点第一距离处，所述第一存储器单元包括第一电阻型存储器层和第一加热电极层，所述第一加热电极层包括与所述第一电阻型存储器层接触的第一接触表面，并且所述第一接触表面具有第一接触电阻；以及
第二存储器单元，布置在距所述接入点比所述第一距离大的第二距离处，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹镇灿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR