【技术实现步骤摘要】
存储器设备相关申请的交叉引用本申请要求2018年9月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0110822号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
至少一些示例实施例涉及存储器设备。
技术介绍
使用电阻器的存储器设备包括相变随机存取存储器(phase-changerandomaccessmemory，PRAM)设备、电阻随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，ReRAM)设备、磁RAM(magneticRAM，MRAM)设备等。与以充电或放电电荷的方式记录数据的动态随机存取RAM(dynamicrandomaccessRAM，DRAM)设备不同，使用电阻器的存储器设备可以使用电阻的变化来记录或擦除数据。
技术实现思路
至少一些示例实施例提供了能够通过有效地去除泄漏(leakage)电流来改进读取操作的性能的存储器设备。根据示例实施例的存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括开关元...
【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括开关元件和连接到开关元件的信息存储元件，该信息存储元件基于电阻变化存储数据；/n解码器电路，被配置为从所述多个存储器单元当中的所选择的存储器单元读取数据，所选择的存储器单元连接到所述多条字线中的所选择的字线和所述多条位线中的所选择的位线；以及/n电流补偿电路，被配置为从所选择的字线去除泄漏电流，泄漏电流基于在所述多条位线当中的除所选择的位线之外的未选择的位线中的至少一个中流动的断态电流。/n
【技术特征摘要】
20180917 KR 10-2018-01108221.一种存储器设备，包括：
连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括开关元件和连接到开关元件的信息存储元件，该信息存储元件基于电阻变化存储数据；
解码器电路，被配置为从所述多个存储器单元当中的所选择的存储器单元读取数据，所选择的存储器单元连接到所述多条字线中的所选择的字线和所述多条位线中的所选择的位线；以及
电流补偿电路，被配置为从所选择的字线去除泄漏电流，泄漏电流基于在所述多条位线当中的除所选择的位线之外的未选择的位线中的至少一个中流动的断态电流。
2.如权利要求1所述的存储器设备，还包括：
感测放大器，包括第一输入端子和第二输入端子，第一输入端子连接到所选择的字线，第一输入端子被配置为接收与所选择的存储器单元的状态对应的感测电压，并且第二输入端子被配置为接收参考电压。
3.如权利要求2所述的存储器设备，其中，所述电流补偿电路包括：
电流镜像电路，被配置为检测断态电流，并将泄漏电流镜像以产生镜像的泄漏电流；以及
连接到第一输入端子的泄放元件，该泄放元件被配置为基于镜像的泄漏电流从所选择的字线去除泄漏电流。
4.如权利要求1所述的存储器设备，其中，所述解码器电路包括：
钳位电路，被配置为在第一时间段内对所选择的位线和所选择的字线充电，并且其中
电流补偿电路被配置为在第二时间段内从所选择的字线去除断态电流，第二时间段在第一时间段之后。
5.如权利要求4所述的存储器设备，其中，解码器电路被配置为在第二时间段内将所选择的字线连接到由电流补偿电路提供的电流路径。
6.如权利要求1所述的存储器设备，其中，信息存储元件包括相变材料。
7.如权利要求1所述的存储器设备，其中：
所述多个存储器单元中的每一个中的信息存储元件连接到所述多条位线中的相应一个，并且
所述多个存储器单元中的每一个中的开关元件连接到所述多条字线中的相应一个。
8.如权利要求1所述的存储器设备，其中，解码器电路被配置为：
向所选择的位线输入第一电压，
向所选择的字线输入第二电压，第二电压低于第一电压，以及
向未选择的位线中的至少一个输入第三电压，第三电压低于第一电压并且高于第二电压。
9.如权利要求8所述的存储器设备，其中，第二电压是负电压。
10.如权利要求8所述的存储器设备，其中，第一电压与第三电压之间的差基本上等于第二电压与第三电压之间的差。
11.一种存储器设备，包括：
连接到多条位线和多条字线的多个存储器单元；
第一解码器电路，被配...
【专利技术属性】
技术研发人员：V甘加萨尼，罗太熙，BA詹尤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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