一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法制造方法及图纸

技术编号:23551750 阅读:32 留言:0更新日期:2020-03-24 23:46
本发明专利技术公开了一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法,该装置包括:10.6微米二氧化碳激光器、632.8纳米氦氖激光器、硒化锌透镜、镀金反射镜、BK7玻璃透镜、二向色镜、双光束对称加热光路系统、三维机械移动平台系统、显微成像系统和玻璃包层半导体芯光纤;首先采用玻璃包层‑熔芯拉丝法拉制玻璃包层半导体芯光纤,然后利用二氧化碳激光扫描玻璃包层半导体芯光纤形成半导体微球,成球之后去除玻璃包层,再经洗涤、干燥后得到半导体微球。本发明专利技术利用10.6微米二氧化碳激光器对光纤进行精确成球,在特定的玻璃包层半导体芯光纤结构尺寸条件下,能够精确控制成球尺寸和球度,并能够大批量生产半导体微球,具有很大的实际应用前景。

A device and method for rapid preparation of group IV semiconductor microspheres

【技术实现步骤摘要】
一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法。
技术介绍
IV族半导体硅、锗是当前最重要的光电材料;IV族硅、锗半导体微球有着重要的光电应用价值。首先,球体是最对称的几何形状,因此高折射率半导体微球是最大固体角度为4π的收集光信号和光能量的理想选择;硅微球已经开发用于太阳能电池应用。高折射率微球列阵还被广泛用于超高分辨率显微镜。此外,IV族半导体高折射率硅锗光学微球还具有量子电动力学(QED)特性,可以具有高Q品质因子的回音壁模式(WGM)光学谐振腔。以上这些应用都需要用到大量的微米尺寸(直径1-1000微米)的微球。通常快速制备无机材料(玻璃、陶瓷、金属、半导体等)微球的方法有溶胶凝胶法、水热合成法、粉末火焰喷射法等。采用这些方法制备的微球产物都不可避免地会接触到空气中的氧,但是由于微米级尺寸的单质硅、锗微球比表面积大,表面活性高,极易与空气中的氧气反应形成氧化物,所以这些方法都不是快速获得大量IV族半导体硅、锗微球合适的制备手段。玻璃包层-熔芯拉丝法是制备大批量玻璃包层-半导体芯纤维的最有效的方法。其预制棒有玻璃管和半导体晶体(硅或锗等)棒组合而成。在玻璃包层的保护下,半导体芯和空气中的氧隔绝,可以有效地避免微球表面的氧化反应。根据Plateau-Rayleigh不稳定性原理,两种具有完全不同粘度的圆柱层状流动液体在流动时受到表面张力的影响,圆柱会发生直径变化并断裂成微球。因此,在熔芯拉丝法拉制半导体芯纤维的过程中,由于玻璃包层具有较高粘度、半导体晶体纤芯具有较低粘度,预制棒在经过加热带时,如果光纤拉制速度过慢,柱状半导体纤芯容易断裂成半导体微球。所以玻璃包层-熔芯拉丝法是快速制备半导体硅锗微球、并避免微球表面发生显著氧化反应的有效方法。由于熔芯拉丝法是在常用玻璃光纤拉丝塔上完成,在拉丝过程中直接成球存在着以下缺点:(1)拉丝塔高温炉内加热带较长,典型均匀加热带长度为1至5厘米,比微球尺寸(1-1000微米)大1-4个数量级,无法精确控制每个微球局部区域的形成条件,从而使各个微球形成尺寸存在较大差异;(2)拉丝温度受到拉丝塔高温炉控制精度的限制,1至5厘米长度的加热带内温度波动在±5℃左右,这样导致玻璃粘度和表面张力发生波动,内部熔融硅锗芯成球尺寸会受到较大影响;(3)熔芯拉丝法的拉丝速度非常快,在5-50厘米/秒范围内,假设加热带长度为1厘米,拉丝速度为10厘米/秒,每厘米光纤在高温带中停留的时间仅0.1秒,远远低于形成微球的所需的1-10秒的最小时间,这样对微球尺寸和几何形状的控制精度极差。目前,市场上尚未见一款适用于快速制备大量IV族半导体硅、锗微球的设备。尽管国内外一些研究人员采用自制的装置(光纤拉锥机或二氧化碳激光器)对玻璃包层-硅(锗)芯光纤进行局部加热的方法实现了在玻璃包层光纤中制备出半导体硅(锗)微球的报道,但采用这些已报道的装置及其方法进行成球的过程中产量极低,一次只能得到一个或几个微球,且微球尺寸和几何形状的重复性差,难以实现快速制备大量IV族半导体硅、锗微球的目标,严重制约了IV族半导体硅、锗微球在红外光电器件中的应用与发展。
技术实现思路
针对上述现有的制备IV族半导体硅、锗微球的装置和方法产量低、微球尺寸和几何形状可控精度差的问题,本专利技术提供一种快速制备IV族半导体微球的装置和方法。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种快速制备IV族半导体微球的装置,包括:10.6微米二氧化碳激光器,作为加热激光光源;632.8纳米氦氖激光器,发出红光,用于辅助整个激光光束准直;硒化锌透镜,用于扩束并准直二氧化碳激光器输出光束;镀金反射镜,用于高反二氧化碳激光;BK7玻璃透镜,用于扩束并准直氦氖激光器输出的红光信号;二向色镜,用于透射红光并反射二氧化碳激光;双光束对称加热光路系统,用于二氧化碳激光局域加热;三维机械移动平台系统,用于高精度移动待测光纤样品;显微成像系统,用于实时监测二氧化碳激光加热玻璃包层半导体芯光纤的过程;玻璃包层半导体芯光纤,固定在高精度三维位移平台上,玻璃包层材料为氧化物玻璃,纤芯材料为单晶硅、单晶锗或硅锗合金。优选的,所述玻璃包层半导体芯光纤的包层直径为100微米-2毫米,纤芯直径为5微米-1毫米。更优选的,所述氧化物玻璃包括但不仅限于石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、硅酸盐玻璃中的一种或几种。本专利技术还提供一种快速制备IV族半导体微球的方法,包括以下步骤:S1、在光纤拉丝塔中采用玻璃包层-熔芯拉丝法拉制玻璃包层半导体芯光纤;S2、将玻璃包层半导体芯光纤固定在高精度三维位移平台系统上,利用二氧化碳激光扫描玻璃包层半导体芯光纤形成半导体微球;S3、半导体芯成球之后,通过氢氟酸将玻璃包层去除,经洗涤、干燥后得到半导体微球。优选的,步骤S1中,拉丝温度范围为950-1000℃。优选的,步骤S2中,二氧化碳激光器功率为4W,扫描速度为0.5mm/s,往返扫描5次。与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:本专利技术利用10.6微米二氧化碳激光器,对玻璃包层-IV族半导体硅(或锗、或硅锗合金)芯光纤进行后处理局域加热和往返扫描,进行精确成球。在特定的玻璃包层半导体芯光纤结构尺寸条件下,能够精确控制成球尺寸和球度(即接近完美球的程度),并能够大批量生产半导体微球,具有很大的实际应用前景。附图说明图1为快速制备IV族半导体晶体微球的装置示意图;图2为双光束对称加热光路系统示意图(横向);图3为双光束对称加热光路系统示意图(竖向);图4为快速制备IV族半导体晶体微球的工艺流程图;图5为二氧化碳激光局域加热单次扫描制备获得的在玻璃包层中的半导体微球照片;图6为二氧化碳激光局域加热多次扫描制备获得的在玻璃包层中的独立分离的半导体微球照片;图7为去除玻璃包层后半导体微球照片;图8为本专利技术制得的半导体微球拉曼光谱图;图中,1、二氧化碳激光器;2、632.8nm氦氖激光器;3、硒化锌透镜;4、镀金反射镜;5、玻璃扩束准直平行透镜;6、二向色镜;7、双光束对称加热光路系统;7a、锥形棱镜;7b、锥面反射镜;7c抛物面反射聚焦镜一;7d、抛物面反射聚焦镜二;8、三维机械移动平台系统;9、显微成像系统;10、玻璃包层半导体芯光纤。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示,本专利技术的一种快速制备IV族半导体晶体微球的装置,包括:10.6微米二氧化碳激光器1,作为加热激光光源;632.8纳米氦氖激光器2,发出红光用于辅助整个激光光束准直;硒化锌透镜3,用于扩束并准直二氧化碳激光器输出光束;镀金反射镜4,用于高反二氧化碳激光;BK7玻璃透镜5,用于扩束并准直氦氖激光器输出的红光信号;二本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种快速制备IV族半导体晶体微球的装置,其特征在于,包括:/n10.6微米二氧化碳激光器(1),作为加热激光光源;/n632.8纳米氦氖激光器(2),发出红光,用于辅助整个激光光束准直;/n硒化锌透镜(3),用于扩束并准直二氧化碳激光器输出光束;/n镀金反射镜(4),用于高反二氧化碳激光;/nBK7玻璃透镜(5),用于扩束并准直氦氖激光器输出的红光信号;/n二向色镜(6),用于透射红光并反射二氧化碳激光;/n双光束对称加热光路系统(7),用于二氧化碳激光局域加热;/n三维机械移动平台系统(8),用于高精度移动待测光纤样品;/n显微成像系统(9),用于实时监测二氧化碳激光加热玻璃包层半导体芯光纤的过程;/n玻璃包层半导体芯光纤(10),固定在高精度三维位移平台上,玻璃包层材料为氧化物玻璃,纤芯材料为单晶硅、单晶锗或硅锗合金。/n

【技术特征摘要】
1.一种快速制备IV族半导体晶体微球的装置,其特征在于,包括:
10.6微米二氧化碳激光器(1),作为加热激光光源;
632.8纳米氦氖激光器(2),发出红光,用于辅助整个激光光束准直;
硒化锌透镜(3),用于扩束并准直二氧化碳激光器输出光束;
镀金反射镜(4),用于高反二氧化碳激光;
BK7玻璃透镜(5),用于扩束并准直氦氖激光器输出的红光信号;
二向色镜(6),用于透射红光并反射二氧化碳激光;
双光束对称加热光路系统(7),用于二氧化碳激光局域加热;
三维机械移动平台系统(8),用于高精度移动待测光纤样品;
显微成像系统(9),用于实时监测二氧化碳激光加热玻璃包层半导体芯光纤的过程;
玻璃包层半导体芯光纤(10),固定在高精度三维位移平台上,玻璃包层材料为氧化物玻璃,纤芯材料为单晶硅、单晶锗或硅锗合金。


2.根据权利要求1所述的一种快速制备IV族半导体晶体微球的装置,其特征在于,所述玻璃包层半导体芯光纤(10)的包层直径为100微米-2毫米,纤芯直径...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯宪韩枫施进丹
申请(专利权)人:江苏师范大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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