电子设备制造技术

技术编号:23534263 阅读:25 留言:0更新日期:2020-03-20 08:16
一种电子设备包含主衬底、半导体封装结构和至少一个热管。所述半导体封装结构电连接到所述主衬底,且包含裸片安装部分、半导体裸片和覆盖结构。所述半导体裸片安置在所述裸片安装部分上。所述覆盖结构覆盖所述半导体裸片。所述热管与所述覆盖结构接触以用于耗散掉由所述半导体裸片产生的热量。

Electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求2018年9月12日递交的第62/730,526号美国临时申请及2019年9月10日递交的第16/566,502号美国非临时申请的权益和优先权,所述申请的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及电子设备,且涉及包含至少一个热管的电子设备。
技术介绍
半导体封装结构的规范可以包含高速数据传输容量、高数据容量和较小占用面积。散热也是此类半导体封装结构的一个问题。在操作期间,高速数据传输可导致产生大量热量并且可使半导体封装结构的温度升高。归因于半导体封装结构的小尺寸,可能难以耗散掉所述热量。如果热量无法有效地耗散,那么半导体封装结构的性能可能降低,或者半导体封装结构可能损坏或呈现为无法操作。
技术实现思路
在一些实施例中,电子设备包含主衬底、半导体封装结构和至少一个热管。半导体封装结构电连接到主衬底,且包含裸片安装部分、半导体裸片和覆盖结构。半导体裸片安置在裸片安装部分上。覆盖结构覆盖半导体裸片。热管与覆盖结构接触以用于耗散掉由半导体裸片产生的热量。附图说明当结合附图阅读时,从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,且出于论述的清楚起见,各种结构的尺寸可任意增大或减小。图1说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图2说明图1的电子设备的组装截面图。图3说明根据本公开的一些实施例的电子设备的组装截面图。图4说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图5说明图4的电子设备的组装立体图。图6说明图5的电子设备的前视图。图7说明图5的电子设备的俯视图。图8说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图9说明图8的电子设备的组装立体图。图10说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图11说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图12说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图13说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图14说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图15说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图16说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图17说明图16的电子设备的截面图。图18说明根据本公开的一些实施例的电子设备的截面图。图19说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图20说明图19的电子设备的组装立体图。图21说明图20的电子设备的截面图。图22说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图23说明图22的电子设备的组装立体图。图24说明图23的电子设备的截面图。图25说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图26说明图25的电子设备的组装立体图。图27说明图26的电子设备的截面图。图28说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图29说明图28的电子设备的组装立体图。图30说明图29的电子设备的截面图。图31说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图32说明图31的电子设备的组装立体图。图33说明图32的电子设备的截面图。图34说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图35说明图34的电子设备的组装立体图。图36说明图35的电子设备的截面图。图37说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图38说明图37的电子设备的组装立体图。图39说明沿着图38的电子设备的线39-39截取的截面图。图40说明沿着图38的电子设备的线40-40截取的截面图。图41说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图42说明图41的电子设备的组装立体图。图43说明图42的电子设备的截面图。图44说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图45说明图44的组装电子设备的截面图。图46说明根据本公开的一些实施例的电子设备的分解立体图。图47说明图46的组装电子设备的截面图。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据以下结合附图作出的详细描述将容易地理解本公开的实施例。以下公开内容提供用于实施所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本公开的某些方面。当然,这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例,且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。此外,本公开可在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的,且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。为符合日益增多的功能的规范,应增加集成在半导体封装结构中的设备的数目。因此,功率密度和热源数目增加,且热阻(thermalresistance)相对较大。另外,难以耗散掉(dissipate)半导体封装结构的中心处的设备所产生的热量。为了解决上述问题,在一些比较性实施例中,提供风扇。所述风扇附接到半导体封装结构以透过空气流(airflow)耗散掉半导体封装结构外围处的热量。然而,此类风扇可能不会耗散掉半导体封装结构的中心处的设备所产生的热量。在一些比较性实施例中,增加衬底通孔的数目或金属层的厚度。然而,对散热效率的改进是微小的。在一些比较性实施例中,使用热界面材料(thermalinterfacematerial,TIM)位于设备和封装衬底之间。然而,半导体封装结构的中心处的设备的温度可能并不会大幅减小。本公开的至少一些实施例提供对散热效率高度改进的电子设备。在一些实施例中,电子设备包含至少一个热管(heatpipe),所述热管与半导体封装结构的覆盖结构(coverstructure)接触以用于耗散掉由半导体封装结构的半导体裸片产生的热量。图1说明根据本公开的一些实施例的电子设备1的分解立体图。图2说明图1的电子设备1的组装截面图。电子设备(electronicdevice)1包含主衬底2、半导体封装结构3和至少一个热管4。主衬底2(例如,印刷电路板(printedcircuitboard,PCB))具有第一表面21(例如,顶表面)和与第一表面21相对的第二表面22(例如,底表面),且包含主体24、第一保护层26、第二保护层28。主体24具有第一表面241(例如,顶表面)和与第一表面241相对的第二表面242(例如,底表面)。主体24可包含多个钝化层(图中未示)和插入位于钝化层之间的多个电路层(图中未示)。第一保护层26和第二保护层28可以是阻焊层。如图1所示,主衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备,其包括:/n主衬底;/n半导体封装结构,其电连接到所述主衬底且包括:/n裸片安装部分;/n半导体裸片,其安置在所述裸片安装部分上;以及/n覆盖结构,其覆盖所述半导体裸片;以及/n至少一个热管,其与所述覆盖结构接触以用于耗散掉由所述半导体裸片产生的热量。/n

【技术特征摘要】
20180912 US 62/730,526;20190910 US 16/566,5021.一种电子设备,其包括:
主衬底;
半导体封装结构,其电连接到所述主衬底且包括:
裸片安装部分;
半导体裸片,其安置在所述裸片安装部分上;以及
覆盖结构,其覆盖所述半导体裸片;以及
至少一个热管,其与所述覆盖结构接触以用于耗散掉由所述半导体裸片产生的热量。


2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述半导体封装结构进一步包括封装衬底,所述封装衬底包含所述裸片安装部分,所述半导体裸片附接到所述封装衬底的所述裸片安装部分,且通过倒装芯片接合而电连接到所述封装衬底;且所述覆盖结构是覆盖所述半导体裸片的盖结构。


3.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述半导体封装结构进一步包含位于所述半导体裸片与所述盖结构之间的热界面材料。


4.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述盖结构是顶盖结构,且与所述封装衬底的表面接触。


5.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述盖结构包含基板和安置于所述基板的四个拐角处的四个定位接脚,所述定位接脚中的每一个的内表面与所述封装衬底的侧表面的一部分接触。


6.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述热管包含与所述盖结构相邻的第一部分和与所述主衬底相邻的第二部分。


7.根据权利要求6所述的电子设备,其中所述热管是U形热管,且包含一个第一部分和两个第二部分,其中所述第一部分连接所述两个第二部分,所述第一部分安置在所述盖结构上,且所述两个第二部分贯穿所述主衬底。


8.根据权利要求6所述的电子设备,其中所述第二部分中的每一个包含水平区段,其安置在所述主衬底的表面上。


9.根据权利要求6所述的电子设备,其进一步包括散热片,其安置在所述热管的所述第一部分上。


10.根据权利要求2所述的电子设备,其进一步包括散热片,其中所述热管包含与所述盖结构相邻的第一部分和基本上垂直于所述第一部分的第二部分,所述散热片安置在所述热管的所述第一部分上,且所述热管的所述第二部分连接到所述散热片。


11.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述热管包含安置在所述盖结构上的第一部分和贯穿所述封装衬底的第二部分。


12.根据权利要求2所述的电子设备,其中所述热管包含安置在所述盖结构上...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡荣哲胡逸群洪志斌
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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