一种半导体结构制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构制造方法，涉及半导体技术领域。该方法提供一种半导体堆叠结构，所述半导体堆叠结构包括基底以及依次堆叠在所述基底上的过渡层、金属层和捕获层，在所述半导体堆叠结构在进行热处理并形成半导体结构时，过渡层能够在形成半导体结构的过程中提供硅补偿，避免出现金属层与基底反应速度过快以及形成的半导体结构空洞、表面不平整以及粗糙度较大等问题，降低了半导体结构的表面电阻，提高了制程工艺的稳定性以及良品率。

A manufacturing method of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构制造方法。
技术介绍
在半导体元件制造过程中，接触窗(Contactwindow)或孔洞需要与局部线路连接，通常选用具有较低接触电阻的金属硅化物。现有技术中，通过对薄膜半导体堆叠结构进行热处理形成金属硅化物。金属与基底反应形成金属硅化物的过程中，基底将被大量消耗，进而将会造成金属硅化物中出现大量的空洞(hole)，而且金属硅化物的表面不平整以及粗糙度较大，所述空洞及缺陷的数量及大小决定制成稳定性与产品的良品率。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构制造方法，用于解决现有技术中金属硅化物工艺质量较低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体结构制造方法，包括：提供一基底，在所述基底上形成一过渡层；形成一金属层于所述过渡层上；形成一捕获层于所述金属层上，以形成一半导体堆叠结构；对所述半导体堆叠结构进行第一退火；在进行所述第一退火步骤后，对所述半导体堆叠结构进行清洗；以及在进行所述清洗步骤后，对所述半导体堆叠结构进行第二退火，以形成半导体结构。可选的，所述基底为硅。可选的，在形成所述过渡层之前，提供第二清洗液，对所述基底表面的原生氧化层进行清洗。可选的，堆叠二氧化硅于所述基底上并形成所述过渡层。可选的，所述过渡层的厚度为至可选的，所述金属层为钴。可选的，所述金属层的厚度为至可选的，所述金属层为钛和/或氮化钛。可选的，所述捕获层的厚度为至可选的，第一退火的温度为380度至510度。可选的，第二退火的温度为680度至890度。可选的，在进行所述第一退火时，所述金属层与所述过渡层反应并形成硅化亚钴。可选的，在进行所述第二退火时，所述硅化亚钴进一步形成硅化钴。附图说明图1显示为本专利技术实施例提供的半导体结构制造方法流程示意图。图2显示为基底结构示意图。图3显示为过渡层结构示意图。图4显示为金属层结构示意图。图5显示为半导体堆叠结构示意图。图6显示为第一退火后半导体堆叠结构示意图。图7显示为第一清洗液清洗后的半导体堆叠结构示意图。图8显示为第二退火后形成的半导体结构示意图。图9显示为金属硅化物空洞结构示意图。图10显示为本专利技术实施例第一退火过程中离子运动示意图。图11显示为本专利技术实施例第一退火过程中例子运动示意图。图12显示为半导体结构的电镜示意图。零件标号说明1基底2过渡层3金属层4捕获层5硅化亚钴层6杂质层7硅化钴层8空洞具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。这里参考作为本专利技术的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述专利技术的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本专利技术的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本专利技术的范围。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。在本专利技术的实施例中，请参阅图1至图8，本专利技术提供了一种半导体结构制造方法，包括：S1：提供一基底1；S2：在所述基底上形成一过渡层2；S3：形成一金属层3于所述过渡层2上；S4：形成一捕获层4于所述金属层3上，形成半导体堆叠结构；S5～S7：对半导体堆叠结构进行热处理，以形成半导体结构。作为示例，所述半导体结构为形成金属硅化物，所述金属硅化物可包括硅化钛(TiSi2)、硅化钴(CoSi2)、硅化镍(NiSi)、硅化钽(TaSi2)、硅化钨(WSi2)等金属硅化物，相应地，所述金属层3包括钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)、钽(Ta)、钨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基底，在所述基底上形成一过渡层；/n形成一金属层于所述过渡层上；/n形成一捕获层于所述金属层上，以形成一半导体堆叠结构；/n对所述半导体堆叠结构进行第一退火；/n在进行所述第一退火步骤后，提供第一清洗液对所述半导体堆叠结构进行清洗；以及/n在进行所述清洗步骤后，对所述半导体堆叠结构进行第二退火，以形成半导体结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，在所述基底上形成一过渡层；
形成一金属层于所述过渡层上；
形成一捕获层于所述金属层上，以形成一半导体堆叠结构；
对所述半导体堆叠结构进行第一退火；
在进行所述第一退火步骤后，提供第一清洗液对所述半导体堆叠结构进行清洗；以及
在进行所述清洗步骤后，对所述半导体堆叠结构进行第二退火，以形成半导体结构。


2.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于：所述基底为硅。


3.根据权利要求2所述的半导体结构制造方法，其特征在于：在形成所述过渡层之前，提供第二清洗液，对所述基底表面的原生氧化层进行清洗。


4.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于：堆叠二氧化硅于所述基底上并形成所述过渡层。


5.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为至


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉贵，方建智，彭康钧，李建财，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34