适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端制造方法及图纸

本申请提供适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端，方法包括：在掉电情况下触发中断控制指令，以令闪存设备执行如下任务：将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合，编程为与第一闪存页的数据组合相一致；以及/或者，将第一个闪存串到掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与第一闪存页的数据组合相一致；其中，第二闪存字线是位于第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。本发明专利技术通过引入断电处理的中断控制，改变数据组合来改善数据保存并保护已有数据，大大提升数据保存率和数据的安全性。

Power down processing method, device, medium and terminal applicable to flash memory device

【技术实现步骤摘要】
适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端
本申请涉及存储器件
，特别是涉及适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端。
技术介绍
在3DNAND闪存器件中，电荷陷阱层中所发生的横向电荷迁移是影响数据保存的一个重要物理机制。这种电荷迁移通常有两个主要原因：一是边缘电场，另一个是相邻单元间的电场。其中，由于边缘电场引起的横向电荷迁移尚能通过提升单元编程阈值来缓解，但对于由相邻单元间的电场而引起的横向电荷迁移，即使提升单元编程阈值也无济于事。3DNAND闪存中的块(Block)一旦它开始编程便会处于打开状态，直至它被完全编程。对于打开状态的块(OpenBlock)而言，最后编程的字线以及与之对应的上一字线上相邻单元间会有非常大的阈值电压差，这种情形就会导致严重的电荷横向迁移，从而影响数据保存。申请内容鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端，用于解决现有技术中的3DNAND闪存的电荷横向迁移的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种适用于闪存设备的掉电处理方法，其包括：在掉电情况下触发中断控制指令，以令闪存设备执行如下任务：将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及/或者，将第一个闪存串到掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；其中，所述第二闪存字线是位于所述第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。于本申请的第一方面的一些实施例中，所述方法还包括：在所述第一闪存页并非所述第一闪存字线上的最后一闪存页，且所述第一闪存字线也非其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：将所述第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及将从第一个闪存串到所述第一闪存页所在的闪存串中的所有位于所述第二闪存字线上的闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致。于本申请的第一方面的一些实施例中，所述方法还包括：在所述第一闪存页并非所述第一闪存字线上的最后一闪存页，但所述第一闪存字线是其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：将所述第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致。于本申请的第一方面的一些实施例中，所述方法还包括：在所述第一闪存页是所述第一闪存字线上的最后一闪存页，但所述第一闪存字线并非其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：从第一个闪存串到所述第一闪存页所在的闪存串中的所有位于所述第二闪存字线上的闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致。于本申请的第一方面的一些实施例中，所述方法还包括：将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串之后的所有闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；其中，所述第二闪存字线是位于所述第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。于本申请的第一方面的一些实施例中，所述闪存设备的类型包括3DNAND闪存设备。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种适用于闪存设备的掉电处理装置，其包括中断控制指令触发模块；所述中断控制指令触发模块用于在掉电情况下触发中断控制指令，以令闪存设备执行如下任务：将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及/或，将第一个闪存串到掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；其中，所述第二闪存字线是位于所述第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种闪存设备，其连接并受控于本申请的第二方面所提供的掉电处理装置。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述适用于闪存设备的掉电处理方法。为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第五方面提供一种电子终端，包括：处理器及存储器；所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行所述适用于闪存设备的掉电处理方法。如上所述适用于闪存设备的掉电处理方法、装置、介质、及终端，本申请的，具有以下有益效果：本专利技术旨在通过引入断电处理的中断控制指令，通过改变数据组合来改善数据保存并保护已有数据，从而大大提升数据保存率和数据的安全性。附图说明图1显示为本申请一实施例中的NAND快闪存储器件的结构示意图。图2A显示为本申请一实施例中的P-P-P数据组合的结构示意图。图2B显示为本申请一实施例中的E-P-E数据组合的结构示意图。图3显示为本申请一实施例中的闪存块的结构示意图。图4显示为本申请一实施例中的适用于闪存设备的掉电处理方法的流程示意图。图5A显示为本申请一实施例中的闪存块的结构示意图。图5B显示为本申请一实施例中的闪存块的结构示意图。图6显示为本申请一实施例中的闪存块的结构示意图。图7显示为本申请一实施例中的闪存块的结构示意图。图8显示为本申请一实施例中的适用于闪存设备的掉电处理装置的结构示意图。图9显示为本申请一实施例中电子终端的结构示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要说明的是，在下述描述中，参考附图，附图描述了本申请的若干实施例。应当理解，还可使用其他实施例，并且可以在不背离本申请的精神和范围的情况下进行机械组成、结构、电气以及操作上的改变。下面的详细描述不应该被认为是限制性的，并且本申请的实施例的范围仅由公布的专利的权利要求书所限定。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例，而并非旨在限制本申请。空间相关的术语，例如“上”、“下”、“左”、“右”、“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等，可在文中使用以便于说明图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“固持”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于闪存设备的掉电处理方法，其特征在于，包括：/n在掉电情况下触发中断控制指令，以令闪存设备执行如下任务：/n将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及/或者/n将第一个闪存串到掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；其中，所述第二闪存字线是位于所述第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于闪存设备的掉电处理方法，其特征在于，包括：
在掉电情况下触发中断控制指令，以令闪存设备执行如下任务：
将掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及/或者
将第一个闪存串到掉电前最后一已编程的第一闪存页所在的闪存串中所有位于第二闪存字线上的第三闪存页的数据组合，编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；其中，所述第二闪存字线是位于所述第一闪存页所在的第一闪存字线之后的闪存字线。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一闪存页并非所述第一闪存字线上的最后一闪存页，且所述第一闪存字线也非其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：
将所述第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致；以及
将从第一个闪存串到所述第一闪存页所在的闪存串中的所有位于所述第二闪存字线上的闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一闪存页并非所述第一闪存字线上的最后一闪存页，但所述第一闪存字线是其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：
将所述第一闪存字线上的一个或多个未编程的第二闪存页的数据组合编程为与所述第一闪存页的数据组合相一致。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一闪存页是所述第一闪存字线上的最后一闪存页，但所述第一闪存字线并非其所在闪存块中的最后一闪存字线的情况下，令所述闪存设备执行如下任务：
从第一个闪存串到所述第一闪存页所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王硕，付祥，汤强，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42