用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法技术

本申请提供了用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法，该一体化均热基板包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，均热版主体包括金属槽，且均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层为一体化构造。通过本申请的一体化均热基板及其制造方法，克服了使用传统焊料层连接所带来的模块热阻较大、可靠性降低、工艺复杂的问题，同时由于该均热板主体包括金属槽，使得其具有较轻的重量，达到了低热阻、均热性好以及重量轻的效果。

Integrated soaking substrate for power semiconductor module packaging and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法
本专利技术涉及功率半导体模块的设计和封装
，并且更具体地，涉及一种用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法。
技术介绍
功率半导体模块在工作中，功率半导体芯片会产生功率损耗。现在随着电流电压等级的提高，以及应用环境对功率半导体模块体积小型化、重量轻型化的要求，功率半导体模块对散热的要求越来越高。传统的功率半导体模块，芯片功率损耗产生的大多数热量是依次通过芯片焊层、陶瓷衬板、衬板焊层、基板、TIM(ThermalInterfaceMaterial)到散热器扩散出去。在整体热阻中，TIM和焊层大约占到55％，是影响功率半导体模块散热的主要环节。同时，焊层也是影响模块可靠性和寿命的重要因素。而功率半导体模块要求良好的模块均热性，有利于改善芯片均流等电热特性，提高模块整体的可靠性和使用寿命。为提高现有功率模块在应用中的散热问题，研究人员进行了大量的工作。例如，在一些方案中，均热板散热系统由均热板散热基板内部具有微细结构的真空腔体以及一定数量与之相连的散热鳍片构成，所述的真空腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于功率半导体模块封装的一体化均热基板，其特征在于，包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，所述均热板主体包括金属槽，且所述均热板本体、所述均热板上板、所述绝缘陶瓷层和所述上覆金属层为一体化构造。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于功率半导体模块封装的一体化均热基板，其特征在于，包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，所述均热板主体包括金属槽，且所述均热板本体、所述均热板上板、所述绝缘陶瓷层和所述上覆金属层为一体化构造。


2.根据权利要求1所述的一体化均热基板，其特征在于，所述一体化构造通过采用直接覆铜工艺或者活性金属钎焊工艺实现。


3.根据权利要求1或2所述的一体化均热基板，其特征在于，所述一体化均热基板还包括散热翅片、支撑柱、微细结构、相变介质注入口和相变介质；
其中，所述散热翅片与所述均热板本体的底部连接，所述支撑柱和所述微细结构设置于所述均热板本体的金属槽中。


4.根据权利要求3所述的一体化均热基板，其特征在于，所述支撑柱和/或所述散热翅片与所述均热板本体为一体化构造。


5.根据权利要求3所述的一体化均热基板，其特征在于，所述微细结构采用金属粉末烧结而成，或者采用金属网填充而成，或由腔体内壁表面沟槽构成。


6.根据权利要求1或2所述的一体化均热基板，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴小平，齐放，李道会，王彦刚，吴义伯，李想，龚芷玉，
申请(专利权)人：株洲中车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43