一种耐用的碳化硅肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐用的碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅二极管外壳，碳化硅二极管外壳为L形结构，碳化硅二极管外壳的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚，碳化硅二极管外壳的两侧对称设有碳化硅二极管散热片，碳化硅二极管外壳的L形台阶的顶端中间位置设有通孔，碳化硅二极管外壳的外部设有保护组件，保护组件包括套设于碳化硅二极管外壳外部的保护套一和位于保护套一一侧的保护套二，保护套一靠近保护套二的侧边设有卡环。有益效果：进而实现对二极管平铺过程，降低二极管在运送的过程中互相碰撞导致二极管出现损坏的可能，进而延长了二极管的使用寿命，同时提高了二极管的收纳能力。

A durable silicon carbide Schottky diode

【技术实现步骤摘要】
一种耐用的碳化硅肖特基二极管
本技术涉及二极管领域，具体来说，涉及一种耐用的碳化硅肖特基二极管。
技术介绍
二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种属半导体器件。现有的二极管在使用的时候，由于是在安装在各种电器元件上进行使用，在使用时会产生大量的热量，导致元件被高温烧毁，且在运输二极管的时候，由于二极管的管脚暴露在外面容易被外力的撞击导致损坏，进而造成二极管的毁坏，导致资源浪费。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种耐用的碳化硅肖特基二极管，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。为此，本技术采用的具体技术方案如下：一种耐用的碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅二极管外壳，所述碳化硅二极管外壳为L形结构，所述碳化硅二极管外壳的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚，所述碳化硅二极管外壳的两侧对称设有碳化硅二极管散热片，所述碳化硅二极管外壳的L形台阶的顶端中间位置设有通孔，所述碳化硅二极管外壳的外部设有保护组件，所述保护组件包括套设于所述碳化硅二极管外壳外部的保护套一和位于所述保护套一一侧的保护套二，所述保护套一靠近所述保护套二的侧边设有卡环，所述保护套二的一侧设有与所述卡环相适配的卡槽，所述保护套一远离所述卡环的一侧设有若干个与所述碳化硅二极管管脚相适配的保护槽一，所述保护套一的顶端设有开槽，所述保护套一的顶端设有与所述开槽相适配的遮挡盖，所述保护套二的内部设有与所述碳化硅二极管外壳的L形台阶相适配的保护槽二，所述保护套二的内部设有若干个位于所述保护槽二上方且与所述保护槽一相适配的保护槽三。进一步的，所述保护套一和所述保护套二的一侧均设有安装块，所述保护套一和所述保护套二远离所述安装块的一侧均设有与所述安装块相适配的安装槽。进一步的，所述遮挡盖的顶端设有凹槽，所述凹槽的内部设有提手。进一步的，所述凹槽的内部两侧对称设有卡杆，所述卡杆的一端贯穿所述遮挡盖且延伸至所述保护套一顶端的限位槽中。进一步的，所述保护套一和所述保护套二之间通过贯穿所述卡环且对称设置的螺栓连接。本技术的有益效果为：通过设置的碳化硅二极管散热片，有效的提高了二极管在工作时的散热性能，通过设置的保护套一和保护套二，有效的实现了对碳化硅二极管外壳和碳化硅二极管管脚的保护，进而避免碳化硅二极管管脚出现弯择和断裂现象，进而通过设置的遮挡盖，便于将遮挡盖进行拆卸和装置，进而便于工作人员了解二极管的型号，同时通过安装槽和安装块的配合设置，便于将多个二极管进行水平延伸，进而通过将保护套一套设碳化硅二极管管脚的一端穿插在另一个保护套二上的保护槽三中，便于将多个二极管纵向延伸，进而实现对二极管平铺过程，降低二极管在运送的过程中互相碰撞导致二极管出现损坏的可能，进而延长了二极管的使用寿命，同时提高了二极管的收纳能力。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种耐用的碳化硅肖特基二极管外部示意图之一；图2是根据本技术实施例的一种耐用的碳化硅肖特基二极管结构示意图；图3是根据本技术实施例的一种耐用的碳化硅肖特基二极管外部示意图之二；图4是根据本技术实施例的一种耐用的碳化硅肖特基二极管平铺图。图中：1、碳化硅二极管外壳；2、碳化硅二极管管脚；3、碳化硅二极管散热片；4、通孔；5、保护套一；6、保护套二；7、卡环；8、卡槽；9、保护槽一；10、保护槽二；11、保护槽三；12、开槽；13、遮挡盖；14、凹槽；15、提手；16、卡杆；17、限位槽；18、安装槽；19、安装块。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图，这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。根据本技术的实施例，提供了一种耐用的碳化硅肖特基二极管。实施例一：如图1-4所示，根据本技术实施例的耐用的碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅二极管外壳1，所述碳化硅二极管外壳1为L形结构，所述碳化硅二极管外壳1的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚2，所述碳化硅二极管外壳1的两侧对称设有碳化硅二极管散热片3，所述碳化硅二极管外壳1的L形台阶的顶端中间位置设有通孔4，所述碳化硅二极管外壳1的外部设有保护组件，所述保护组件包括套设于所述碳化硅二极管外壳1外部的保护套一5和位于所述保护套一5一侧的保护套二6，所述保护套一5靠近所述保护套二6的侧边设有卡环7，所述保护套二6的一侧设有与所述卡环7相适配的卡槽8，所述保护套一5远离所述卡环7的一侧设有若干个与所述碳化硅二极管管脚2相适配的保护槽一9，所述保护套一5的顶端设有开槽12，所述保护套一5的顶端设有与所述开槽12相适配的遮挡盖13，所述保护套二6的内部设有与所述碳化硅二极管外壳1的L形台阶相适配的保护槽二10，所述保护套二6的内部设有若干个位于所述保护槽二10上方且与所述保护槽一9相适配的保护槽三11。借助于上述技术方案，通过设置的碳化硅二极管散热片3，有效的提高了二极管在工作时的散热性能，通过设置的保护套一5和保护套二6，有效的实现了对碳化硅二极管外壳1和碳化硅二极管管脚2的保护，进而避免碳化硅二极管管脚2出现弯择和断裂现象，进而通过设置的遮挡盖13，便于将遮挡盖13进行拆卸和装置，进而便于工作人员了解二极管的型号，同时通过安装槽18和安装块19的配合设置，便于将多个二极管进行水平延伸，进而通过将保护套一5套设碳化硅二极管管脚2的一端穿插在另一个保护套二6上的保护槽三11中，便于将多个二极管纵向延伸，进而实现对二极管平铺过程，降低二极管在运送的过程中互相碰撞导致二极管出现损坏的可能，进而延长了二极管的使用寿命，同时提高了二极管的收纳能力。实施例二：如图3所示，所述保护套一5和所述保护套二6的一侧均设有安装块19，所述保护套一5和所述保护套二6远离所述安装块19的一侧均设有与所述安装块19相适配的安装槽18。通过设置的安装块19和安装槽18，便于将若干个碳化硅二极管进行平行放置，进而便于对碳化硅二极管进行整理。如图1、3、4所示，所述遮挡盖13的顶端设有凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐用的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括碳化硅二极管外壳(1)，所述碳化硅二极管外壳(1)为L形结构，所述碳化硅二极管外壳(1)的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚(2)，所述碳化硅二极管外壳(1)的两侧对称设有碳化硅二极管散热片(3)，所述碳化硅二极管外壳(1)的L形台阶的顶端中间位置设有通孔(4)，所述碳化硅二极管外壳(1)的外部设有保护组件，所述保护组件包括套设于所述碳化硅二极管外壳(1)外部的保护套一(5)和位于所述保护套一(5)一侧的保护套二(6)，所述保护套一(5)靠近所述保护套二(6)的侧边设有卡环(7)，所述保护套二(6)的一侧设有与所述卡环(7)相适配的卡槽(8)，所述保护套一(5)远离所述卡环(7)的一侧设有若干个与所述碳化硅二极管管脚(2)相适配的保护槽一(9)，所述保护套一(5)的顶端设有开槽(12)，所述保护套一(5)的顶端设有与所述开槽(12)相适配的遮挡盖(13)，所述保护套二(6)的内部设有与所述碳化硅二极管外壳(1)的L形台阶相适配的保护槽二(10)，所述保护套二(6)的内部设有若干个位于所述保护槽二(10)上方且与所述保护槽一(9)相适配的保护槽三(11)。/n...

【技术特征摘要】
1.一种耐用的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括碳化硅二极管外壳(1)，所述碳化硅二极管外壳(1)为L形结构，所述碳化硅二极管外壳(1)的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚(2)，所述碳化硅二极管外壳(1)的两侧对称设有碳化硅二极管散热片(3)，所述碳化硅二极管外壳(1)的L形台阶的顶端中间位置设有通孔(4)，所述碳化硅二极管外壳(1)的外部设有保护组件，所述保护组件包括套设于所述碳化硅二极管外壳(1)外部的保护套一(5)和位于所述保护套一(5)一侧的保护套二(6)，所述保护套一(5)靠近所述保护套二(6)的侧边设有卡环(7)，所述保护套二(6)的一侧设有与所述卡环(7)相适配的卡槽(8)，所述保护套一(5)远离所述卡环(7)的一侧设有若干个与所述碳化硅二极管管脚(2)相适配的保护槽一(9)，所述保护套一(5)的顶端设有开槽(12)，所述保护套一(5)的顶端设有与所述开槽(12)相适配的遮挡盖(13)，所述保护套二(6)的内部设有与所述碳化硅二极管外壳(1)的L形台阶相适配的保护槽二(10)，所述保护套二(6)的内部设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：关世瑛，
申请(专利权)人：上海芯石半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31